http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
스핀전달토크형 자기저항메모리(STT-MRAM) 기술개발 동향
김도균(D. K. Kim),조지웅(J. U. Cho),노수정(S. J. Noh),김영근(Y. K. Kim) 한국자기학회 2009 韓國磁氣學會誌 Vol.19 No.1
Reduction of the critical current density (Jc) for STT magnetization switching is most important issue of magnetic tunnel junctions (MTJs) based MRAM. This report describes how to decrease the Jc and will introduce the recent research progresses of STT-MRAM devices with material engineering and structural improvement, respectively.