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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Chiao-Shun Chuangc (검색결과 1 건)
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        Photofield-Effect in Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) Thin-Film Transistors

        Tze-Ching Fung,Chiao-Shun Chuangc,Kenji Nomura,Han-Ping David Shieh,Hideo Hosono,Jerzy Kanicki 한국정보디스플레이학회 2008 Journal of information display Vol.9 No.4

        We studied both the wavelength and intensity dependent photo-responses (photofield-effect) in amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). During the a-IGZO TFT illumination with the wavelength range from 460~660 nm (visible range), the off-state drain current (IDS_off) only slightly increased while a large increase was observed for the wavelength below 400 nm. The observed results are consistent with the optical gap of ~3.05eV extracted from the absorption measurement. The a-IGZO TFT properties under monochromatic illumination (λ=420nm) with different intensity was also investigated and IDS_off was found to increase with the light intensity. Throughout the study, the field-effect mobility (μeff) is almost unchanged. But due to photo-generated charge trapping, a negative threshold voltage (Vth) shift is observed. The mathematical analysis of the photofield-effect suggests that a highly efficient UV photocurrent conversion process in TFT off-region takes place. Finally, a-IGZO mid-gap density-of-states (DOS) was extracted and is more than an order of magnitude lower than reported value for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), which can explain a good switching properties observed for a-IGZO TFTs.

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