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효율적인 정보검색 및 관리를 위한 학술정보가공모델 연구
이석형(Lee Seok-Hyoyng),강남규(Kang N.G.),김한기(Kim H.G.),윤희준(Yoon H.J),한성근(Han S.G.),윤화묵(Yoon H.M.) 한국콘텐츠학회 2005 한국콘텐츠학회 종합학술대회 논문집 Vol.3 No.2
일반적으로 데이터베이스를 구축하고 서비스하기 위한 대부분의 방식은 상용 DBMS를 이용하여 정보의 관리를 수행하고 사용자 검색은 정보검색 시스템을 사용하는, DBMS와 정보검색 시스템의 연동방식을 채택하고 있다. 그러나 이러한 방법은 DBMS와 정보검색 시스템을 이중으로 운영해야하는 불편함이 있고, 데이터의 관리 및 처리를 위한 과정이 중복으로 이루어지는 단점이 있다. 따라서, 본 논문에서는 과학기술정보 데이터를 관리하고 원문과 함께 이용자에게 정보서비스를 위해 필요한 KRISTAL-2002 정보검색관리시스템 기반의 DB 구축과 정보검색 및 관리 모델을 제시한다. It constructs a database generally and service it does, to use a commercial business DBMS that manages information and to use a retrieval system that supports a search, it adopts the gearing method of the DBMS and information retrieval system But like this method is inconvenient must operate the DBMS and information retrieval system with duplication to be, there is a weak point where the data management and processing become accomplished with duplication. It presents the DB construction and information search and the management model of the KRISTAL-2002 information retrieval and management system base for the scientific and technical information data management and processing from the dissertation which it sees.
RTN에 의해 형성된 TiN / TiSi₂ Bilayer의 특성
이석형(S. H. Lee),김헌도(H. D. Kim),박종완(J. W. Park) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
질소 분위기에서 RTN에 의해 TiN/TiSi₂ bilayer 형성에 미치는, RTN 온도, 시간, substrate doping 등의 영향을 연구하였다. 형성된 TiN/TiSi₂ bilayer의 구조적, 전기적 특성은 x-ray diffraction(XRD), cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM), Rutherford backscattering spectrometry(RBS), x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)와 four point probe system 등을 이용하여 분석하였다. 형성된 TiN/TiSi₂ bilayer의 구조는 RTN 처리시간보다 온도에 의존하는 성향이 더욱 강하였다. Ti를 400 Å 증착한 시편의 경우, 600℃-30초 RTN 처리 후에 준안정상인 C49 TiSi₂가 형성되었으나, 700℃ 이상의 온도에서는 안정한 TiN/TiSi₂ bilayer가 형성되었다. 이 TiN/TiSi₂ bilayer는 1.6~1.9Ω/□의 낮은 면저항값을 나타냈다. TiN/TiSi₂ bilayer의 형성에는 BF₂^+의 영향은 거의 없었으며, As는 C49 상에서 C54 상으로의 상전이를 억제하는 효과를 나타냈다. Al/TiN/TiSi₂/Si contact 구조는 550℃, 30분까지 열적 안정성이 양호하였고, 10% 불산용액에서는 약 60초, 1% 불산에서는 180초까지 화학적으로 안정하였다. Dependency of a TiN/TiSi₂ bilayer formation by rapid thermal nitridation(RTN) of Ti in pure N₂ on Ti deposition thickness, RTN temperature, time, and substrate doping was investigated. The structural and electrical properties of the resulting TiN/TiSi₂ bilayers were characterized by x-ray diffraction(XRD), cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM), Rutherford backscattering spectrometry(RBS), x-ray photoelectron spectroscopy(XPS), and four point probe system. It was found that the structure of resulting TiN/TiSi₂ bilayers was dependent on RTN temperature rather than on RTN time. For a Ti deposition thickness of 400 Å, a metastable C49 TiSi₂ phase was formed after an RTN at 600℃ for 30 sec. When a Ti film was nitrided at 700℃ or higher temperatures, however, stable and stoichiometric TiN and C54 TiSi₂ phase were formed. This bilayer had a low sheet resistance of 1.6~1.9Ω/□. BF₂^+ had little influence on formation of TiN/TiSi₂ bilayer. But As had a retardation effect on the transformation from C49 phase to C54 phase. The Al/TiN/TiSi₂/Si contact structure was thermally stable up to 550℃ for 30 min annealing in Ar ambients. Furthermore, the TiN/TiSi₂ bilayer had chemical stability in 10% HF solution for 60 sec and in 1% HF solution for 180 sec.