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      • SCOPUSKCI등재

        X-선 회절을 이용한 비정질 Ta-IPA 괴상과 박막의 구조 비교에 관한 연구

        윤대현,김화민,Yoon, Dai-Hyun,Kim, Hwa-Min 대한화학회 1991 대한화학회지 Vol.35 No.6

        Sol-gel법을 통하여 만들어진 비정질 Ta-IPA 괴상과 박막을 $25^{\circ}C$와 $340^{\circ}C$로 열처리한 구조의 차이점과 구조수와의 관계를 TG-DTA, IR과 X-선회절 강도측정으로부터 구한 동경분포곡선 등을 이용하여 알아보았다. 각 시편들을 L-$Ta_2O_5$ 결정의 물성 및 동경분포곡선(calc-RDF)과 비교하였다. 박막은 8면체-$TaO_6$로 괴상보다 작은 cluster로 구성되어 있었다. The structural variation process and relation of water of amorphous Ta-IPA bulk and thin film upon heat-treatment conditions of $25^{\circ}C$ and $340^{\circ}C$ have been studied by using the radial distribution functions$ (RDF_{obs})$ estimated from the X-ray diffraction intensities, TG-DTA and Infrared spectrophotometer. The expected Ta-IPA structure was determined by comparing the $ RDF_{obs}$ with that for $RDF_{calc}$. The structure of specimens prepared by sol-gel method is basically based on the L-$Ta_2O_5$ crystal. Thin film of samples are mainly composed of octahedral Ta$O_6$and have smaller cluster than bulk samples.

      • SCOPUSKCI등재

        X-선 회절을 이용한 비정질 SiO$_2$ Gel 의 구조 해석에 관한 연구

        윤대현,김기선,정현채,Yoon dai Hyun,Kim Ki Sun,Jung Hyun Chai 대한화학회 1990 대한화학회지 Vol.34 No.5

        Sol-gel법을 통하여 만들어진 비정질 SiO$_2$ gel들의 구조가 열처리 온도, 80$^{\circ}C$, 250$^{\circ}C$, 450$^{\circ}C$ 그리고 1000$^{\circ}C$에 따라 변화하는 과정을 X-선 회절 강도 측정으로부터 구한 동경분포곡선을 이용하여 알아보았다. 그리고 이를 6개의 결정들과 비교하여 예상되는 구조를 밝혔다. 각 시편들은 용융법으로 구한 SiO$_2$의 구조와 O-O결합쌍을 제외하고는 가장 유사한 구조를 가지며 cubic형으로 나타났다. The structural variation process of amorphous SiO$_2$ gel upon heat-treatment conditions of 80, 250, 450 and 1000$^{\circ}C$ has been studied by using the radial distribution functions (RDF$_{obs}$) estimated from the X-ray diffraction intensities. The expected gel structure was determined by comparing the RDF$_{obs}$ with those for the other six standard samples selected appropriately. The structure of specimens prepared by sol-gel method is well consistent with that of fused SiO$_2$ (${\beta}$-cristobalite with cubic symmetry) except a slight difference in O-O band distance.

      • KCI등재

        TiO₂ 박막의 광전기 화학반응에 의한 H₂의 제조

        정현채(Jung Hyun Chai),김기선(Kim Ki Sun),남승영(Nam Sung Young),선경호(Sun Kyung Ho),윤대현(Yoon Dai Hyun) 한국태양에너지학회 1990 한국태양에너지학회 논문집 Vol.10 No.2

        TiO₂ 박막을 물에 담그고 빛을 조사하였을 때의 물의 광전기화학적 분해현상을 관찰하였다. TiO₂ 박막은 스프레이법에 의해 SnO₂ 네사글라스를 만들고 이 네사글라스 위에 딥-코오팅법을 이용하여 TiO₂ 박막을 코오팅하였다. 다양한 두께의 TiO₂ 박막의 I-V 특성을 조사하였고 SEM에 의해 그 표면 상태를 알아보았다. 필름의 두께가 1.8㎛ 일때 광전기 전류가 최대로 나타남을 볼 수 있었다. TiO₂ 박막을 산성 수용액 (pH=l)에 담그고 Xe-램프를 광원으로 하여 광전기 화학반응에 의한 물의 광 분해에 의해 산소 및 수소 가스가 발생함을 볼 수 있었다. Photoelectrochemical decomposition of water by the irradiation of light to the TiO₂ thin film soaked in water was observed. The TiO₂ thin film was coated on top of SnO₂ nesa glass by use of spray method and of dip-coating method. The spray technique of SnO₂ nesa film production and dip-coating technique of TiO₂ thin film preparation on top of the SnO₂ nesa film were discribed briefly. TiO₂ film appearance was observed by SEM and I-V characteristic curve were measured for the various thickness of TiO₂ film. The film Thickness 1.8㎛ showed the maximum photoelectric current. Xe-lamp was used as light source for the photoelectrochemical reaction of thin film TiO₂ in acidic water(pH=1)

      • X-선 회절을 이용한 비정질 Ta-IPA 괴상과 박막의 구조 비교에 관한 연구

        尹大鉉,金和民 대구효성가톨릭대학교 자연과학연구소 1991 基礎科學硏究論集 Vol.1991 No.1

        Sol-gel법을 통하여 만들어진 비정질 Ta-IPA 괴상과 박막을 25℃와 340℃로 열처리한 구조의 차이점과 구조수와의 관계를 TG-DTA, IR과 X-선회절 강도측정으로부터 구한 동경분포곡선 등을 이용하여 알아보았다. 각 시편들을 L-Ta_2O_5 결정의 물성 및 동경분포곡선(calc-RDF)과 비교하였다. 박막은 8면체-TaO_6로 괴상보다 작은 cluster로 구성되어 있었다. The structural variation process and relation of water of amorphous Ta-IPA bulk and thin film upon heat-treatment conditions of 25℃ and 340℃ have been studied by using the radial distribution functions (RDF_obs) estimated from the X-ray diffraction intensities, TG-DTA and Infrared spectrophotometer. The expected Ta-IPA structure was determined by comparing the RDF_obs with that for RDF_calc. The structure of specimens prepared by sol-gel method is basically based on the L-Ta_2O_5 crystal. Thin film of samples are mainly composed of octahedral TaO_6 and have smaller cluster than bulk samples.

      • 에탄 분자의 적외선 스펙트럼의 이론적 합성

        鄭玹采,윤대현,임화준,김기선 慶熙大學校 1987 論文集 Vol.16 No.-

        The ν_6 band of the ethane gas molecule was theoretically synthesized. The intensity and the frequency of each rotational line were computed with VAX-11 computer. The theoretically synthesized spectrum was compared with the experimentally obtained spectrum, which was taken through FT-IR spectrophotometer MX-3600. The R and P branches of the ν_6 band contour of the ethane gas molecule were different from the regular symmetrie top molecule and rather similar to the linear molecules as if there were no K dependence. The absorbance of the P-branch spectrum was overlapped by the unknown branches of the neighbour bands The intensities and frequencies of the unknown lines were not indentified. The overall band contour of the observed spectrum was quite well coincided with the theoretical spectrum except the P-branch.

      • CSVT법에 의해 증착시킨 CdS 박막의 전기적 특성

        김화민,최제헌,이병로,김태만,윤대현 대구효성가톨릭대학교 자연과학연구소 1991 基礎科學硏究論集 Vol.1991 No.1

        CSVT법에 의해 증착시킨 CdS 박막의 전기적 특성 및 열전기 특성을 조사하기 위하여 시료의 X-선 회절, 직류 전기전도도, Hall 이동도 그리고 TSC를 측정하였다. 그 결과 CSVT 법에 의해 제작된 CdS 박막이 보통중착법에 의한 것에 비하여 결정성장이 향상되고 Hall 이동도가 크며 저항이 작다는 것을 알았다. 또한 TSC 측정결과, 광조사 조건에 따라 TSC 피크가 다르게 나타나며 이러한 피크 특성은 photochemical reaction model로서 설명될 수 있고, 그리고 제작조건이 다른 두 CdS 박막에서 나타나는 TSC 피크의 비교로부터 CSVT법에 의해 제작된 시료가 보통증착법에 의한 것보다 상온 이상에서의 photochemical reaction 효과 적음을 알 수 있다. To investigate electrical property and thermally stimulated current (TSC) for the CdS films which were grown by close-spaced vapor transport (CSVT), the measurements of X-ray diffraction pattern (XRD), d.c. conductivity, Hall mobility and TSC were carried out. Form the result of the measurements, CSVT-CdS films are found to be better oriented and to be less resistive with better mobility as compared with the films evaporated by the conventional method. TSC spectra under illumination conditions show different TSC peaks. These can be explained by photochemical reaction model. The result suggests that the effect of photochemical reaction above room temperature is to be less than conventional evaporated films in the case of CSVT-CdS films.

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