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S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진(Woo-Jin Chang),안호균(Hokyun Ahn),임종원(Jong-Won Lim),문재경(Jae-Kyoung Mun),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),민병규(Byoung-Gue Min),지홍구(Hong-Gu Ji),강동민(Dong-Min Kang),김해천(Haecheon Kim),남은수(Eun Soo Nam) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
The fabrication method and the performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) for S/X-band Applications were presented. The fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.5um and a total gate width of 300um exhibited a maximum transconductance of 305mS/mm and a drain saturation current of 180mA, respectively. The cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 31GHz and 53GHz, respectively. The AlGaN/GaN HEMT also shows a maximum output power density of 2.3W/mm at 2.4GHz and 1.8W/mm at 10GHz. For the fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.25um and a total gate width of 100um, the cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 39GHz and 120GHz, respectively.
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력증폭기
강동민(Dong-Min Kang),민병규(Byoung-Gue Min),이종민(Jong-Min Lee),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),김성일(Sung-Il Kim),안호균(Ho-Kyun Ahn),김동영(Dong-Young Kim),김해천(Hae-Cheon Kim),임종원(Jong-Won Lim),남은수(Eun-Soo Nam) 한국전자파학회 2016 한국전자파학회논문지 Vol.27 No.1
본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다. This paper describes the successful development and the performance of X-band 50 W pulsed power amplifier using a 50 W GaN-on-SiC high electron mobility transistor. The GaN HEMT with a gate length of 0.25 μm and a total gate width of 12 mm were fabricated. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 50 W with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2~9.5 GHz. It also shows a maximum output power density of 4.16 W/mm. This 50 W GaN HEMT and X-band 50 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.