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        중국 애니메이션 전문인력 양성을 위한 교과과정에 관한 연구

        계정(Gui-Jing Zhao),효용(Hyo-Yong Kim) 한국애니메이션학회 2008 애니메이션연구 Vol.4 No.2

        한국 애니메이션 대학들의 교과과정은 기초분야에서 중국대학과는 달리 창의성을 길러주는 폭넓고, 다양한 전문과정을 강조하는 교과과정으로 편성되어 있다. 중국과는 애니메이션 관련 대학의 설립에 있어서 역사적으로 차이가 많고, 대학의 재정여건도 수준차이가 있지만, 창의력을 키우는 교과과정의 내용을 주목할 필요가 있다고 본다. 이에 본 연구에서는 분석 범위로 한국의 유명 애니메이션 대학의 교과과정을 분석하고 중국 대학의 교과과정과 비교 분석하여 기초교육과 드로잉교육, 전공교육에서의 창의력개발, 산학협력 교육을 집중적으로 비교 분석하고 중국 대학들의 애니메이션교육이 나아가야 할 방향을 제시한다. Schools Korean that have animation related courses, have curriculum focused on both specialization and cultivating creativeness, which are obtained by teaching the wide and diverse basic field of study. Korean animation education have a longer history and more funds than China, but we should take notice of their curriculum, which focuses on growing creativity. In this study, first, I will compare and analyze the curriculum of China school and that of Korean schools, which are well known for their animation courses. I will also compare composition and criticism training many different fields, basic drawing in the basic field of study, and character design in the major field of study. by doing this, I will suggest the direction China school should take in basic field of study and major field of study.

      • SCOPUSKCI등재

        에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면 근처에서의 금속 분순물의 정량

        김영훈,정혜영,조효용,이보영,유학도,Kim, Young-Hoon,Chung, Hye-Young,Cho, Hyo-Yong,Lee, Bo-Young,Yoo, Hak-Do 대한화학회 2000 대한화학회지 Vol.44 No.3

        실리콘 웨이퍼를 일정한 두께로 에칭하여 실리콘 웨이퍼 표면 근처의 특정영역에 존재하는 금속불순물을 정량하였다. HF와 $HNO_3$의 부피비를 1:3으로 혼합한 용액 5mL로 20분간 실리콘 웨이퍼와 반응 시켰을 때 1${\mu}m$ 두께로 웨이퍼 전면을 균일하게 에칭할 수 있었다. 에칭 후, 용액을 중발하기 위해 마이크로파 오븐을 사용하였는데 증발과정에서 spike한 Cu, Ni, Zn, Cr, Mg 및 K의 회수율은 99∼105%였다,Cu를 오염시킨 epitaxial 실리콘 웨이퍼의 경우 에칭법으로 전처리를 하여 ICP${\cdot}MS$로 측정한 결과, Cu는 뒷면의 표면으로부터 1∼2${\mu}m$ 안의 polysilicon영역에 집중적으로 분포하였고 Cu 농도를 1${\mu}m$두께의 범위에서 정량할 수 있었다. The metal impurities in specific regions at near surface of silicon wafer were determined by constant depth etching·lt is possible to etch uniformly over the entire wafer surface by 1$\mu\textrm{m}$ depth with 5 mL of etching solution made up of HF and HNO$_3$ mixed by l:3 volume ratio. The microwave oven was used to evaporate the solution after etching. After spiking, The recoveries of Cu, Ni, Zn, Cr, Mg and K were found to be 99∼105%ted in polysilicon region and could be quantified by 1$\mu\textrm{m}$ depth.

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