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- 저자 : 임권택 ( Kwon Teak Lim ) (검색결과 4 건)
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웨이퍼 표면의 Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> 파티클 제거를 위한 초임계 이산화탄소 세정
김용훈,최해원,강기문,안톤커랴킨,임권택,Kim, Yong Hun,Choi, Hae Won,Kang, Ki Moon,Karakin, Anton,Lim, Kwon Teak 한국청정기술학회 2018 청정기술 Vol.24 No.3
본 연구에서는 초임계 이산화탄소와 공용매 첨가물을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 $Si_3N_4$ 파티클을 제거하는 기술을 조사하였다. 우선, 몇 가지 계면활성제와 첨가제에 관한 초임계 이산화탄소 용해도 및 파티클 분산성 평가를 통하여 초임계 공정에 대한 적합성을 확인하였다. 다양한 변수를 조정하여 파티클 세정 실험을 진행하여 최적의 제거 조건을 확립하였다. 실험에 사용된 계면활성제는 파티클 제거 효과가 떨어졌으며, 실험 후 이차 오염물이 형성됨을 확인하였다. 반면 trimethyl phosphate는 IPA공용매와 미량의 HF와 혼합된 세정 첨가제로서 초임계 이산화탄소에 5 wt%로 포함한 유체로 온도 $50^{\circ}C$, 압력 2000 psi에서 $15mL\;min^{-1}$의 유속으로 4분 간 세정한 결과, 85%의 파티클 제거 효율을 나타내었다. In this study, the removal of $Si_3N_4$ particles from the surface of a silicon wafer was investigated by using supercritical carbon dioxide, the IPA co-solvent and cleaning additive chemicals. First, the solubility of several surfactants and binders in supercritical carbon dioxide solubility and particle dispersibility in the binders were evaluated in order to confirm their suitability for the supercritical cleaning process. Particle removal experiments were carried out with adjusting various process parameters and reaction conditions. The surfactants used in the experiment showed little particle removal effect, producing secondary contamination on the surface of wafers. On the other hand, 5 wt% (with respect to $scCO_2$) of the cleaning additive mixture of trimethyl phosphate, IPA, and trace HF resulted in 85% of particle removal efficiency after $scCO_2$ flowing for 4 minutes at $50^{\circ}C$, 2000 psi, and the flow rate of $15mL\;min^{-1}$.
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포토레지스트 공정에서 높은 선택성을 가지는 초임계 이산화탄소/n-butyl acetate 공용매 시스템 연구
김동우(Dong Woo Kim),허훈(Hoon Heo),임권택(Kwon Teak Lim) 한국청정기술학회 2017 청정기술 Vol.23 No.4
본 연구에서는 초임계 이산화탄소/n-butyl acetate (scCO₂/n-BA) 공용매를 사용하여 네거티브형 포토레지스트(PR)를 제거하는 실험을 진행하였다. scCO₂와 n-BA의 용해도 평가를 통해 n-BA가 scCO₂와 균일하게 섞이는 조건을 실험적으로 측정하였다. 다양한 실험 변수를 조정하여 포토레지스트 제거 실험을 진행하였고, 미노광 포토레지스트 제거에 대한 최적의 조건을 확립하였다. 또한, 노광된 PR과 미노광 PR의 제거율을 비교하여 scCO₂/n-BA 공용매의 선택적 제거 성능을 확인하였다. 노광된 PR은 scCO₂/n-BA 공용매 환경에서 매우 안정적으로 존재함을 관찰하였고, 미노광 PR은 160 bar, 40 ℃, 75 wt% n-BA 이상의 농도에서 완전히 제거됨을 확인하였다. scCO₂/n-BA 공용매 시스템은 노광 PR과 미노광 PR 사이의 높은 선택성을 제공할 수 있으며, 네거티브 PR의 리소그래피 공정에서 높은 신뢰성을 부여할 것으로 기대된다. In this study, the supercritical carbon dioxide (scCO₂)/ n-butyl acetate (n-BA) co-solvent system was employed to remove an unexposed negative photoresist (PR) from the surface of a silicon wafer. In addition, the selectivity of the scCO₂/n-BA co-solvent system was confirmed for the unexposed and exposed negative PR. Optimum conditions for removal of the unexposed PR were obtained from various conditions such as pressure, temperature and n-BA ratio. The n-BA was highly soluble in scCO₂ without cloud point and phase separation in mostly experimental conditions. However, the scCO₂/n-BA co-solvent was phase separated at 100 bar, above 80 ℃. The unexposed and exposed PR was swelled in scCO2 solvent at all experimental conditions. The complete removal of unexposed PR was achieved from the reaction condition of 160 bar, 10 min, 40 ℃ and 75 wt% n-BA in scCO₂, as measured by ellipsometry. The exposed photoresist showed high stability in the scCO₂/n-BA co-solvent system, which indicated that the scCO₂/n-BA co-solvent system has high selectivity for the PR removal in photo lithograph process. The scCO₂/n-BA co-solvent system not only prevent swelling of exposed PR, but also provide efficient and powful performance to removal unexposed PR.
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웨이퍼 표면의 Si₃N₄ 파티클 제거를 위한 초임계 이산화탄소 세정
김용훈(Yong Hun Kim),최해원(Hae Won Choi),강기문(Ki Moon Kang),안톤커랴킨(Anton Karakin),임권택(Kwon Teak Lim) 한국청정기술학회 2018 청정기술 Vol.24 No.3
본 연구에서는 초임계 이산화탄소와 공용매 첨가물을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 Si₃N₄ 파티클을 제거하는 기술을 조사하였다. 우선, 몇 가지 계면활성제와 첨가제에 관한 초임계 이산화탄소 용해도 및 파티클 분산성 평가를 통하여 초임계 공정에 대한 적합성을 확인하였다. 다양한 변수를 조정하여 파티클 세정 실험을 진행하여 최적의 제거 조건을 확립하였다. 실험에 사용된 계면활성제는 파티클 제거 효과가 떨어졌으며, 실험 후 이차 오염물이 형성됨을 확인하였다. 반면 trimethyl phosphate는 IPA공용매와 미량의 HF와 혼합된 세정 첨가제로서 초임계 이산화탄소에 5 wt%로 포함한 유체로 온도 50 ℃, 압력 2000 psi에서 15 mL min<SUP>-1</SUP>의 유속으로 4분 간 세정한 결과, 85%의 파티클 제거 효율을 나타내었다. In this study, the removal of Si₃N₄ particles from the surface of a silicon wafer was investigated by using supercritical carbon dioxide, the IPA co-solvent and cleaning additive chemicals. First, the solubility of several surfactants and binders in supercritical carbon dioxide solubility and particle dispersibility in the binders were evaluated in order to confirm their suitability for the supercritical cleaning process. Particle removal experiments were carried out with adjusting various process parameters and reaction conditions. The surfactants used in the experiment showed little particle removal effect, producing secondary contamination on the surface of wafers. On the other hand, 5 wt% (with respect to scCO₂) of the cleaning additive mixture of trimethyl phosphate, IPA, and trace HF resulted in 85% of particle removal efficiency after scCO₂ flowing for 4 minutes at 50 ℃, 2000 psi, and the flow rate of 15 mL min<SUP>-1</SUP>.
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PVA 직물의 방염 개질에 관한 연구: POCl<sub>3</sub>로 개질한 PVA 직물의 열적 및 기계적 특성
김창섭 ( Chang-sup Kim ),이원철 ( Won-chul Lee ),강병윤 ( Byong-yun Kang ),심상연 ( Sang-yeon Shim ),임권택 ( Kwon Teak Lim ),진성호 ( Sung-ho Jin ),제갈영순 ( Yeong-soon Gal ) 한국화상학회 2017 한국화상학회지 Vol.23 No.3
PVA 부직포의 방염성을 향상시키기 위하여 POCl<sub>3</sub>로 방염처리하였다. POCl<sub>3</sub>로 처리한 PVA 부직포의 물리적 및 열적 특성을 측정하고 분석하였다. 개질한 PVA 부직포는 대부분 물에 용해하지 않았으나 수축과 스웰링 특성을 보였다. POCl<sub>3</sub>로 방염처리한 PVA 부직포의 열적 특성이 우수하고 방염특성이 원시료 보다 많이 우수한 것을 확인하였다. 그라프트 비와 염색성 사이의 선형관계는 PVA 부직포의 히드록시기와 POCl<sub>3</sub>가 공유결합으로 연결된 것에 기인하는 것으로 분석되었다. The nonwoven poly(vinyl alcohol) [PVA] fabric was modified by treating with phosporyl chloride (POCl<sub>3</sub>). The physical and thermal properties of POCl<sub>3</sub>-modified PVA fabrics were measured and discussed. The modified PVA fabrics were mostly insoluble in water, unlike the original PVA fabrics. However the products showed contraction and swelling properties. TGA analysis results indicated that the POCl<sub>3</sub>-modified PVA fabrics are more thermally stable at more high temperature region. And the fire-proofing ability of the POCl<sub>3</sub>-modified PVA product is better than that of original PVA material. The linear correlation between graft ratios and dyeing ability may be resulted from increase of covalently bonded linkages between hydroxyl groups of orginal PVA fabrics with POCl<sub>3</sub>.
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