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3-Level PWM 스위칭 기법에 따른 태양광 발전용 전력조절기의 고주파 스위칭 인버터 효율 분석
정안열(A.Y. Jung),이종현(J.H. Lee),이춘호(C.H. Lee),박종후(J.H. Park),전희종(H.J. Jeon) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.4
계통연계형 태양광 시스템을 구성하고 있는 전력변환 장치인 전력조절기는 일반적으로 DC-DC Converter와 DC- AC Inverter인 Two-Stage로 구성되어 있다. 본 논문에서는 Descrete 소자를 사용하였고, 태양광 발전용 전력조절기의 풀 브리지 고주파 스위칭 인버터에 관한 효율을 3㎾ 하드웨어를 구성하여 Phase-Shift 3-Level PWM 스위칭 방법과 Hybrid 3-Level 스위칭 방식에 대한 분석을 검증 하였다.
Growth and electro-optical characteristics of CdSe/GaAs epilayers prepared by electron beam epitaxy
양동익,신영진,이춘호,최용대,유평렬,Yang, D.I.,Shin, Y.J.,Lee, C.H.,Choi, Y.D.,Yu, P.R. The Korea Association of Crystal Growth 1997 한국결정성장학회지 Vol.7 No.1
Electron beam 증착법을 보완하여 GaAs(100)기판위에 cubic(zinc blende) CdSe 에피충을 성장시켜 그의 특성을 조사하였다 .. CdSe 에피충의 격자 상수는 6.077 A였으며, 배향 성은 ECP 패번에 의하여 확인되고 결정성은 DCXR curve로 관찰하였다. 상온에서 측정된 H Hall data로는 에피충의 운반자 농도와 이통도는 각각 1018cm-3, 102cm2N' see 정도임을 알았 고 30 K에서 측정한 PC spectra peak는 cubic CdSe의 free exciton에 기인된 것으로 1.746 e eV에서 예리하게 나타냐고 있음을 보여주고 있다. An improved technique based upon an electron beam evaporation system has been developed to prepare cubic thin films In crystalline semiconductors. Zinc blonde CdSe epilayers were grown on GaAs(100) substrate by an e-beam evaporation method. The lattice parameter obtained from (400) reflection is $6.077\AA$, which is in excellent agreement with the value reported in the literature for zinc blonde CdSe. The orientation of the as-grown CdSe epilayer is determined by electron channeling patterns. The crystallinity of epitaxial CdSe layers were investigated on the double crystal X-ray rocking curve. The carrier concentration and mobility of epilayers deduced by Hall effect measurement are about $10^{18}{\textrm}{cm}^{-3}$, $10^2\textrm{cm}^2/V{\cdot}sec$ at room temperature, respectively. The photocurrent spectrum peak of the epilayer at 30 K exhibits a sharp change at 1.746 eV due to the free exciton of cubic CdSe.