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편광 상태와 메타 물질을 이용한 전자기파 유도 에너지 전달 제어
박진우(Jin-Woo Park),김성일(Sung-Il Kim),장원호(Won-Ho Jang),이영백(YoungPak Lee) 한국전자파학회 2012 한국전자파학회논문지 Vol.23 No.3
메타 물질에서의 전자기파 유도 에너지 전달 제어에 관한 연구가 마이크로파 영역에서 실험 및 전산 모사를 통해 이루어졌다. 제시된 메타 물질은 기판을 사이로 두 개의 링 타입 공진기가 비대칭적으로 배열된 구조이고, 전자기파의 유도 에너지 전달이 편광 상태에 크게 의존함을 확인할 수 있었다. 본 연구는 마이크로파 제어 및 관련 응용 분야에 새로운 가능성을 제시할 수 있을 것이다. The classical electromagnetically-induced transparency(EIT)-like switching in metamaterial was experimentally and theoretically demonstrated in the microwave-frequency region. The metamaterial unit cell consists of two identical split-ring resonators, which are arranged on both sides of a dielectric substrate with asymmetry. It is found that the classical EIT-like switching can be achieved by changing the polarization of the incident electromagnetic wave. The results of this study are promising for practical applications.
Pulsed ECR PECVD를 이용한 SiOx박막의 성장 및 특성분석
이주현,정일채,채상훈,서영준,이영백 선문대학교 1998 공과대학논문집 Vol.1 No.1
일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 실화막(Si_(3)N_(4))이나 실리콘 산화막(SiO_(2)) 을 200 - 300℃의 온도에서 증착을 하게되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응 에 의한 산화막의 성장법을 시도했는데, 이 때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse콜 가하는 방법을 최초로 시도했고, 계면에 불 순물의 혼입을 최대한으로 줄이기 위해서 진공을 파괴하지 않은 상태로 산화막을 연속적으로 성장시키는 방법을 이용했다. Pulse를 가했을 경우에는 pulse를 가하지 않은 경우에 비해서 화학양론적 측면, 유전상수, 산화막의 표면 평탄도 등에서 우수한 산화막이 성장했으며, 특히 비정질 실리콘과 유전체막사이의 계면 특성을 반영하는 산화막의 표면 평탄도가 1/3정도로 획기적으로 줄어들었다. Dielectric thin films for TFT(thin film transistor)s, such as silicon nitride(Si_(3)N_(4)) and silicon oxide(SiO_(2)), are usually deposited at 200 - 300 ℃. In this study, authors have tried to form dielectric films not by deposition but by oxidation with ECR(Electron Cyclotron Resonance) oxygen plasma, to improve the interface properties between the dielectric films and semiconductor films(hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H)). The substrate was not intentionally heated during oxidation. The oxidation was performed consecutively without breaking vacuum after the deposition of a-Si:H films on the substrate to prevent the introduction of impurities. In this study, especially pulse mode of microwave power has been firstly tried during ECR oxygen plasma formation. Compared with the case of the continuous wave mode, the oxidation with the pulsed ECR results in higher quality silicon oxide(SiO_(x)) films in terms of stoichiometry of bonding, dielectric constants and surface roughness. Especially the surface roughness of the pulsed ECR oxide films dramatically decreased to one-third of that of the continuous wave mode cases.