http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
1200V급 4H-SiC Trench MOSFET의 Design parameter에 따른 전기적 특성 분석
우제욱(Je-Wook Woo),서정주(Jeong-Ju Seo),진승후(Seung-hoo Jin),구용서(Yong-Seo Koo) 한국전기전자학회 2020 전기전자학회논문지 Vol.24 No.2
SiC는 Si에 비해서 Breakdown field가 10배 높고, Energy gap이 3배 높기 때문에 높은 Breakdown voltage를 갖는 우수한 전력 MOSFET을 제작할 수 있다. 하지만 낮은 Mobility로 인한 높은 On저항을 갖기 때문에 이를 낮추기 위해서 Trench MOSFET이 제안되었지만 동시에 BV가 감소한다는 문제점을 갖는다. 본 논문에서는 1200V급 Trench MOSFET 설계를 목적으로 하며, 이를 해결하기 위해서 BV와 Ron에 대한 중요한 변수인 Epi 깊이, Trench 깊이, Trench 깊이에서 Epi 깊이까지의 거리에 대한 Split을 진행하여 최대 전계, BV, Ron의 신뢰성 특성을 비교 분석하였다. Epi 깊이가 증가할수록, Trench 깊이가 감소할수록, Trench 깊이에서 Epi 깊이가 감소할수록 최대 전계 감소, BV 증가, Ron 증가를 확인하였다. 모든 결과는 Sentaurus TCAD를 통해 Simulation 되었다. Since SiC has 10 times higher breakdown field and 3 times higher energy gap than Si, it is possible to manufacture an excellent power MOSFET with a high breakdown voltage. However, since it has a high on-resistance due to low mobility, a Trench MOSFET has been proposed to lower it, but at the same time, it has a problem that BV decreases. The purpose of this paper is to design a 1200V trench MOSFET, and to solve this, split Epi depth, Trench depth, and Trench depth to Epi depth, which are important variables for BV and Ron, to achieve maximum electric field, BV, Ron’s reliability characteristics were compared and analyzed. As the epi depth increased, the trench depth decreased, and the epi depth decreased at the trench depth, the maximum electric field decrease, BV increase, and Ron increase were confirmed. All results were simulated by sentaurus TCAD.
전류 구동 능력 향상을 위한 듀얼 이미터 구조의 4H-SiC 기반 LIGBT에 관한 연구
우제욱(Je-Wook Woo),이병석(Byung-Seok Lee),권상욱(Sang-Wook Kwon),공준호(Jun-Ho Gong),구용서(Yong-Seo Koo) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.2
본 논문에서는 고전압과 고온에서 사용할 수 있는 SiC 기반의 LIGBT 구조를 제시한다. 낮은 전류 특성을 향상시키기 위해 Gate를 중심으로 대칭되는 Dual-Emitter가 삽입된 것이 특징이다. 제안된 소자의 특성 검증을 위하여 Sentaurus TCAD simulation을 이용하여 시뮬레이션을 진행하였고 일반적인 LIGBT와 비교 연구를 진행하였다. 뿐만 아니라, 소수캐리어에 의한 전기적 특성을 검증하기 위해 N-drift 영역의 길이에 대하여 변수를 지정하여 Split을 진행하였다. 시뮬레이션 분석 결과, 제안된 Dual-Emitter 구조는 기존의 LIGBT보다 동일한 전압에서 높은 전류가 흐르는 것을 확인하였다. In this paper, a SiC-based LIGBT structure that can be used at high voltage and high temperature is presented. In order to improve the low current characteristic, a dual-emitter symmetrical around the gate is inserted. In order to verify the characteristics of the proposed device, simulation and design were conducted using Sentaurus TCAD simulation, and a comparative study was conducted with a general LIGBT. In addition, splitting was performed by designating a variable for the length of the N-drift region in order to verify the electrical characteristics of the minority carriers. As a result of the simulation it was confirmed that the proposed dual-emitter structure flows a higher current at the same voltage than the conventional LIGBT.
김욱현,우제욱,전주영,Kim, Ukhyun,Woo, Jewook,Jeon, Jooyoung 한국전기전자학회 2022 전기전자학회논문지 Vol.26 No.3
In this paper, a two-stage single-ended power amplifier (PA) with broadband gain characteristics was presented by utilizing a radio frequency (RF) transformer (TF), which is essential for a differential amplifier. The bandwidth of a PA can be improved by designing TF to have broadband characteristics and then applying it to the inter-stage matching network (IMN) of a PA. For broadband gain characteristics while maintaining the performance and area of the existing PA, an IMN was implemented on an monolithic microwave integrated circuit (MMIC) and a multi-layer printed circuit board (PCB), and the simulation results were compared. As a result of simulating the PA module designed using InGaP/GaAs HBT model, it has been confirmed that the PA employing the proposed design method has an improved fractional bandwidth of 19.8% at a center frequency of 3.3GHz, while the conventional PA showed that of 11.2%.
상추 유식물체 절편의 조직배양에 의한 고빈도 기관발생과 식물체 재분화
정민,우제욱,정원중,유장렬,Jung, Min,Woo, Je-Wook,Jung, Won-Joong,Yoo, Jang-Ryul 한국식물생명공학회 1999 식물생명공학회지 Vol.26 No.3
To induce adventitious buds, hypocotyl and cotyledonary explants from 7 to 10 day-old seedlings of lettuce (Lactuca sativa L.: two Japanese cultivars of crisphead lettuce and four Korean cultivars of leaf lettuce) were cultured or Murashige and Skoog (MS) and Schenk and Hildebrandt (SH) media supplemented with BA and NAA in the light for five weeks. Cotyledonary explants produced adventitious shoots at greater frequencies than hypocotyl explants. MS medium was more favorable to adventitious shoot formation than HS medium. Combination of 0.5 mg/L BA and 0.1 to 1 mg/L HPh in MS medium led to the greatest frequency (86%) in adventitious shoot formation. Creator than 95% of shoots excised from explants were rooted when cultured on MS basal medium. 부정아를 유도하기 위하여 발아 7∼10일된 일본 결구상추 2품종과 국내 잎상추 (Lactuca sativa L.)4품종의 하배축 및 자엽절편으로부터 식물체 재분화시스템을 확립하였다. 하배축 및 자엽절편을 BA와 NAA가 조합 처리된 MS 및 SH배지에 치상하여 5주 동안 명배양하였다. 일반적으로 하배축보다는 자엽절편에서, SH 배지보다는 MS 배지에서 배양하였을 때에 부정아 형성률이 높았다. MS배지에 BA는 0.5 ㎎/L, NAA는 0.1∼l ㎎/L로 처리하였을 때에 최고의 부정아 형성률을 보였으며, 품종에 따라 30% ( '만추대청치마')에서 86% 까지의 부정아 형성률을 나타내었다. 형성된 shoot의 95% 이상이 MS 기본배지에서 발근하여 소식물체로 발달하였다.
낙뢰 Surge 방호를 위한 독립접지를 공통접지로 개선하는 효율적인 방법에 대한 연구
전형구(Hyung-Gu Jeon),우제욱(Jea Wook Woo),서용준(Yongjoon Suh) 한국철도학회 2011 한국철도학회 학술발표대회논문집 Vol.2011 No.10
본 논문은 낙뢰 Surge 방호를 위하여 독립접지를 공통접지로 개선하는 효율적인 방법 을 제안하였다. 낙뢰 Surge 방호를 위해서는 등전위 이론에 근거하는 공통접지방식이 적합 하고 중성선이 있는 전원계통에서는 공통접지방식을 사용하는 것이 국제적으로 통용되는 기술규격이다. 따라서 낙뢰 Surge에 취약한 문제점을 갖고 있는 기존의 중성선이 없는 전 원계통과 독립접지방식을 중성선이 있는 전원계통과 공통접지방식으로 개선을 하고 정전압 소자를 이용하여 낙뢰 Surge를 방호하는 효율적인 등전위 시스템 구축 방법을 제안한다. This paper proposes the effective method to improve the protection from induced lightning Surge by making common grounding from individual grounding. Common grounding under equipotential principle is more effective than individual grounding for lightning Surge protection and so common grounding is indicated as international technical standard under the AC power supply system with neutral line. So this paper is to propose the effective way of induced lightning Surge protection method for currently installed power supply system which has no neutral grounded line and individual grounding which are weak for lightning Surge protection. This proposal can improve the power supply system as has neutral line and improve the grounding system to common grounding system. And also this paper proposes to make effective equipotential system with voltage variable shunting devices for lightning Surge protection.