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안기석(Ki-Seok An),여환욱(Hwan-Wook Yeo),이경원(Kyung-Won Lee),이순보(Soon-Bo Lee),조용국(Yong-Kook Joh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다. Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) and(2√3/3×2√3/3-R30°) patterns with increasing deposition time of Mg at room temperature. The three domain (3×1) structure appear at the adsorption temperature of 350℃. In particular, we first observed (1×1) and single domain (3×1) structures at adsorption temperature of 300, 450℃, respectively. From these results and measuring Mg KLL/Si2p XPS peak intensity ratio, we would expect that the relative coverages of Mg on Mg-induced (3×1) and (1×1) structure are to be 1/3 and 1 ML, respectively.
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안기석,여환욱,이경원,이순보,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1993 論文集 Vol.44 No.1
Si(111)7×7 위에 Mg을 흡착시켜 표면 구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT∼200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 7×7에서 diffused 1×1, 그리고 2√3/3×2√3/3-R30° 구조로 변화하였다. 이를 thermal annealing하여 3-Domain 3×1 구조를 관측하였고, 이 결과는 J. Quinn등의 결과와 일치함을 알 수 있다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 diffuse 1×1, Single domain 3×1구조(450℃)에 대하여 Mg(KLL)/Si(2p) peak intensity ratio를 증착량 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 흡착에 대한 mechanism을 제시하였다. Change of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption was studied by RHEED(Reflection HI호 Energy Electron Diffraction) and XPS(X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED patterns of Si(111)7×7 were changed to the diffuse 1×1 and 2√3/3×2√3/3-R30° patterns with increasing the deposition times of Mg at RT. The diffuse 1×1, 3-domain, and single domain 3×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300, 350 and 450℃, respectively. We could find the relative coverages of these structures by measuring Mg(KLL)/Si2p XPS intensity ratio.
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