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여지환 대구대학교 기초과학연구소 1984 基礎科學硏究 Vol.1 No.-
Schottky diode have been fabricated. Its structure was made of Schottky diode with metal overlap. The turn on Voltage can also be obtained by measuring the j --V characteristics. The breakdown voltage can be measured.
여지환 대구대학교 산업기술연구소 1987 産業技術硏究 Vol.6 No.-
Integrated circuit application, it is important to monitor the temperature dependence of threshold voltage. The temperature coefficient of threshold voltage increases with increased channel doping concentration.
여지환 대구대학교 (한사대학) 산업기술연구소 1988 産業技術硏究 Vol.7 No.-
It can be seen that as the ratio β_(n)/β_(p) is decreased the transition region shifts from left to right. The static power dissipation is reduced by changing the device gain factor ratio of driver and load transistor of a CMOS inverter.
여지환 대구대학교 산업기술연구소 1993 産業技術硏究 Vol.12 No.-
시스템의 제어는 제어되는 시스템의 수학적 모델 설정에 의존한다. 퍼지집합은 모호한 개념의 확장에 대한 수학적 모델 이다. 본 논문에서는 문자영상의 이진화를 위해서 가변 문턱치를 찾기위해 퍼지규칙을 사용하였다. 최종추론된 퍼지집합에서 일정홗정값을 찾는 방법으로써 면적중심법과 무게중심법으로 문턱치를 추출하여 이진화 하여 비교하였다. 일반적으로 많이 사용하는 무게중심법과 본 논문에서 제안된 면적중십법과 차이는 별로 없다.단지 퍼지규칙 설정에 많이 의존되며 또한 하드웨어하기에는 면적중심법이 간편하다.
The time-variable characteristic of logic gate and IGBT device
여지환 대구대학교 정보통신연구소 2008 情報通信硏究 Vol.5 No.1
This paper describes the result of simulation which calculated a gate propagation delay time of CMOS and describes the result of the transient characteristic of power device. When the reverse voltage is biased on the substrate ,for reducing the speed delay time ,a supply voltage has to reduce. Using the new drain current model and a propagation delay time model equations, the operation speed of CMOS gate will predict the dependence on the load capacitance and the depth of oxide, threshold voltage, the supply voltage ,the channel length. We make the model of the transient characteristic of power device. Using the transient characteristic model, we can predict the power losses. The power losses obtained from the analytical model show good agreement 본 논문은 CMOS 게이트의 전달지연 시간을 새로운 전류모델 식을 이용하여 계산한 시뮬레이션 결과를 보여준 논문이며 또한 전력소자의 천이특성을 캐리어 수명으로 나타냈다. 역방향 전압이 기판 바이어스로 인가시 속도지연이 감소되며 잡음도 감소된다. 또한 공급전압도 감소된다. 새로운 전류모델 식의 타당성을 검토했다. IGBT 전력소자에 대해 시간에대해 전압변화율을 공간전하영역 폭변화에 의해 계산했다.