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신재철(Shin Jae-Cheol) 한국교육행정학회 2004 敎育行政學硏究 Vol.22 No.4
대학종합평가인정제는 1994년부터 7년을 주기로 본격적으로 도입ㆍ시행되었고,현재의 제2주기 평가는 5년 주기 (2006년 종료)로 성시되고 있으며, 2007년부터 제3주기 평가가 시작된다. 이 논문은 앞으로 실시될 처 3주기 대학종합평가인정제의 개선방안을 탐색하는 데 있다. 이러한 목적을 달성하기 위하여 이 논문은 그 동안 실시된 대학종합평가인정제의 성과와 문제는 무엇이며, 대학종합평가인정제가 앞으로 해결해야 할 과제를 논의하였다. 대학종합평가인정제의 성과를 논의함에 있어서는 지금까지 밝혀진 연구결과들을 검토ㆍ분석하였으며,제3주기 대학종합 평가인정제의 방향과 들에 관한 연구의 경과를 토대로 앞으로 해결해야 할 과제를 논의하였다 대학종합평가의 성과는 대학교육의 질과 연구력 향상/대학운영의 합리성 증대 대학의 자구노력 촉진 등으로 나타났으며, 문제점으로는 평가기준의 타당성 미흡/평가결과의 비효율적 활용, 대학의 국제경쟁력과 특성화 유도 부족 등을 들 수 있다, 앞으로 개선해야 할 대학종합평가인 정제의 과제로 평가의 목적, 평가방법, 제도와 운영, 결과활용 등을 논의하였다. The purposes of this study were to analyze contributions and problems of the overall evaluation and accreditation system of university and to suggest the measures for improving the university evaluation system in the future. For these purposes, this study reviewed and analyzed the results of researches which were done on the university overall evaluation and accreditation system Based on the results of study on the new paradigm of the third cycle university overall evaluation system, this study discussed the measures to solve the problems of the first and the second cycle evaluation and accreditation system. The findings of the researches showed that the evaluation and accreditation system contributed greatly to upgrade the quality of university education and the ability of faculty's research, and to improve university management and educational environment. But the findings indicated that the evaluation system failed to secure the validity of evaluation criteria and standards, to utilize the evaluation results, and to foster the internationally competitive ability and characterization of individual university in Korea. Finally, this study discussed the measures for improving the overall evaluation and accreditation system of university, the measures including purposes, methods, system, operation of the evaluation system, and utilization of the evaluation results.
Pt 금속 박막을 이용한 InAlP층의 텍스쳐 구조 형성 및 반사율 측정
신현욱,신재철,김효진,김성,최정우,Shin, Hyun Wook,Shin, Jae Cheol,Kim, Hyo Jin,Kim, Sung,Choe, Jeong-Woo 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.3
태양전지의 표면에 텍스쳐 구조를 형성하면 빛의 반사율을 줄일 수 있으므로 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 표면의 텍스쳐 구조는 넓은 파장대역에서 빛의 반사를 줄여주기 때문에 다중접합 III-V화합물 태양전지에 아주 유용하다. 본 연구에서는 얇은 Pt층을 식각 마스크로 사용하여 다중접합 III-V태양전지의 window층으로 사용되는 InAlP층에 다양한 텍스쳐 구조를 형성하고 반사율을 측정하였다. 습식식각에 의해 나노미터 크기로 형성된 피라미드 꼴 텍스쳐 구조는 $0.3{\sim}1.5{\mu}m$의 넓은 파장영역에서 빛의 반사율을 13.7%까지 감소시켰다. Textured surface has been fabricated to reduce the light reflectance from the solar cells. The textured surface is very suitable for the multi-junction III-V solar cells because it can decrease the light reflectance over a large wavelength range. In this study, we have generated a textured structure on InAlP which is used for the window layer of the multi-junction III-V solar cells. Ultra-thin Pt layer (0.7 nm) has been used for wet etching mask. An array of nanosized pyramid shape formed on InAlP surface dramatically reduces the light reflectance up to 13.7% over a large wavelength range (i.e., $0.3{\sim}1.5{\mu}m$).
열처리로 제조된 In₂Se₃ 박막의 구조 및 광학적 특성 연구
박재형(Jae-Hyoug Park),김대영(Dae-Young Kim),박광훈(Gwang-Hun Park),한명수(Myung-Soo Han),김효진(Hyo-Jin Kim),신재철(Jae-Cheol Shin),하준석(Jun-Seok Ha),김광복(Kwang-Bok Kim),고항주(Hang-Ju Ko) 한국진공학회(ASCT) 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.3
열처리 공정으로 제조한 In₂Se₃ 박막의 구조 및 광학적 물성을 조사하여 보고한다. 기판위에 스퍼터링 방법으로 인듐(In: indium)을 증착하고 셀레늄 분위기에서 열처리 온도를 변화시키며 In-Se 박막을 제조하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 형성과 상의 변화를 관찰 할 수 있었다. 낮은 열처리 온도(≤150℃)에서는 In의 뭉침 현상을 관찰할 수 있었고 열처리 온도가 250℃ 부터 In₂Se₃ 박막이 형성되며 350℃ 에서 γ-In₂Se₃ 상이 형성됨을 알 수 있었다. 열처리 온도가 400℃로 증가면 wurtzite 구조의 고품질 γ-In₂Se₃ 박막을 얻을 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 밴드갭이 증가함을 알 수 있었고, 열처리 온도 400℃에서 제조된 γ-In₂Se₃ 결정질 박막의 밴드갭이 1.796eV임을 알았다. We report investigation of structural and optical characteristics of In₂Se₃ thin films fabricated by thermal annealing process. Indium (In) is deposited on substrates by sputtering methods and In₂Se₃ thin films are fabricated by thermal annealing it with selenium vapor. The annealing temperature was changed from 150℃ to 400℃. We observe formation and phase changes of In₂Se₃ thin films with increase of annealing temperature. Conglomeration of In is observed at low annealing temperature (≤150℃). In₂Se₃ phases are started to form at 200℃ and γ-In₂Se₃ phase form at 350oC. High-quality γ-In₂Se₃ thin film with wurtzite structure is obtained at 400oC of annealing temperature. Furthermore, we confirm that band gaps of In₂Se₃ thin films are increased according to increase of annealing temperature. Optical band gap of high-quality γ-In₂Se₃ is found to be 1.796eV.
VLS 방법을 이용한 단결정 In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As 나노와이어 성장과 조성비 변화에 대한 특성측정
신현욱,신재철,최정우,Shin, Hyun Wook,Shin, Jae Cheol,Choe, Jeong-Woo 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.2
Vapor-Liquid-Solid 방법을 이용하여 다양한 성장온도와 V/III 비율 아래 $In_xGa_{1-x}As$ 나노와이어를 실리콘 (111) 기판 위에 성장하였다. 나노와이어 성장은 화학기상증착(MOCVD)장치를 이용하였으며, 나노와이어의 구조적 특성은 주사전자현미경 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 나노와이어의 조성비 분포를 확인하기 위하여 투과전자현미경에 장착된 Energy dispersive X-ray 분석기로 나노와이어의 길이에 따른 In과 Ga의 조성비를 측정하였다. 성장온도와 V/III 비율이 올라갈수록 In 조성비가 나노와이어 내부에서 크게 변하는 것을 확인하였는데, 이는 Vapor-Solid 방식에 의한 나노와이어 표면에서의 성장이 증가하기 때문으로 이해된다. Single crystalline $In_xGa_{1-x}As$ nanowires are grown on Si (111) substrate via Vapor-Liquid-Solid growth mode using metal-organic chemical vapor deposition. The ternary nanowires have been grown with various growth conditions and examined by electron microscopy. The alloy compositions of the nanowires has been investigated using Energy-dispersive X-ray spectroscopy. We have found that the composition gradient of the nanowire becomes larger with growth temperature and V/III ratio.