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Hot-Wall Evaporation Technique으로 성장된 CdS 박막의 광전도 셀 특성
신영진,정태수,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신,유기수,Shin, Yeong-Jin,Jeong, Tae-Soo,Shin, Hyun-Keel,Kim, Taek-Sung,Jeong, Cheol-Hoon,lee, Hoon,Shin, Yeong-Shin,Rheu, Kee-Soo 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.1
Hot-wall evaporation technique으로 세라믹 기판 위에 CdS 박막을 성장하였다. 이 때 증발원과 기판의 온도는 각각 570, 40$0^{\circ}C$이고 두께는 3$mu extrm{m}$이었다. 공기 중에서 열처리하여 감도(${\gamma}$), 광전류와 암전류의 비(pc/dc), 최대허용소비전력(MAPD), spectral response 및 응답시간 등을 측정하였다. $550^{\circ}C$, 30분간 열처리한 경우 가장 좋은 광전도 특성을 얻었으며 ${\gamma}$=0.89, pc/cd~104, MAPD: 492mW, rise time이 100ms, decay time이 260ms이었다.
HWE 방법에 의한 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막 성장
신영진,정태수,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신,Shin, Yeong-Jin,Jeong, Tae-Soo,Shin, Hyun-Keel,Kim, Taek-Sung,Jeong, Cheol-Hoon,lee, Hoon,Shin, Yeong-Shin 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.1
Hot-Wall Epitaxy(HWE) 방법으로 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막을 성장하였다. 이 때 사용되어진 ZnSe 기판은 승화법으로 증발부분의 온도를 $1160^{\circ}C$ 성장부분의 온도를 $1130^{\circ}C$로 하여 약 2주 동안 직경 20mm, 높이 18mm인 원추형의 ZnSe 단결정을 얻었다. 양질의 ZnSe 박막을 얻기 위한 조건은 증발부분의 온도는 $610^{\circ}C$, 기판의 온도는 49$0^{\circ}C$이었다. ZnSe(bulk) 기판위에 성장한 ZnSe 박막의 광발광에서는 강한 D-A pair emission과 Cu 불순물에 의한 녹색과 적색 발광이 관측되었고 SA 발광은 관측되지 않았다.
신영진(Yeong-Jin Shin),박경동(Kyeong-Dong Park),김동욱(Dong-Ug Kim) 한국기계가공학회 2007 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 Vol.2007 No.-
The compressive residual stress, which is inducing by shot peening process, has the effect of increasing the intrinsic fatigue strength of surface and therefore would be beneficial in reducing the probability of fatigue damage. However, it was not known that the effect of shot peening in corrosion environment. In this study, the influence of shot peening and corrosion condition for corrosion property were investigated on immersed in 3.5% NaCl, 10% HNO₃ + 3% HF, 6% FeCl₃. The immersion test was performed with two kind of specimen. The immersion periods was performed 360days. Corrosion potential, weight loss were investigated from experimental results. From test results, the effect of shot peening on the corrosion characteristics was evaluated.
클라이언트/서버 환경에서 일회성 실행 코드를 이용한 보안 프레임워크
백영태(Yeong-Tae Beak),이세훈(Se-Hoon Lee),신영진(Young-Jin Shin),박전진(Jeon-Jin Park) 한국컴퓨터정보학회 2011 한국컴퓨터정보학회 학술발표논문집 Vol.19 No.1
본 논문에서는 기존 클라이언트/서버 환경에서 이용되는 보안 방법에 대해 새로운 방식으로 접근하고 이를 통하여 전통적인 클라이언트/서버 환경의 정보시스템에서 클라이언트를 위조하거나 변조하는 등 해킹시도 및 해킹 여부를 판별하여 안전한 클라이언트 시스템이 작동될 수 있는 일회성 코드를 이용한 보안 프레임워크를 제안한다. 제안된 보안 프레임워크는 기업체의 정보시스템 뿐만 아니라 게임 분야 등에 매우 유용하게 활용될 수 있다.
인쇄 / 소결 방법에 의한 CdS 광전도 셀 제작과 특성
정태수,김택성,정철훈,이훈,신영진,홍광준,유평렬 ( Tae Soo Jeong,Taek Sung Kim,Cheol Hoon Jeong,Hoon Lee,Yeong Jin Shin,Kwang Joon Hong,Pyeong Yeol Yu ) 한국센서학회 1998 센서학회지 Vol.7 No.5
We fabricated a photoconductive cell made of polycrystalline CdS thick film which has high photo-sensitivity using a print/sintering method. The resultant grain size is about 4 ㎛. When CuCl₂ of 0.06 to 0.12 mg is added, the sensitivity and the ratio of photocurrent to dark current are 0.8 and 10³, respectively. The response wavelength is 511 nm. The rise and decay response times are 50 and 20 ms, respectively. In addition, the maximum power dissipation is beyond 80 mW. We noticed that the addition of CuCl₂ between 0.06 and 0.12 mg to 1g of CdS results in a reliable formation of photoconductive sensor.
Hot - Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성
신현길(Hyun Keel Shin),신영진(Yeong Jin Shin),문종대(Jong Dae Moon) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 CdTe(100) 박막을 성장하였다. 박막을 성장하는 동안 기판의 온도는 280℃, 증발원의 온도는 430℃로 유지하였고 성장률은 2 ㎛/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe(100) 박막의 광전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 Γ_8에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 Γ_6로 전이한 것이며, 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5×10^(-4) eV/K 정도임을 알았다. CdTe(100) epilayers were grown on GaAs(100) substrates by hot-wall epitaxy. During the growth, the substrate and source temperatures were maintained at 280℃ and 430℃, respectively. The growth rate of the epilayers was 2 ㎛/h. The lattice parameter and full width at half maximum of double crystal x-ray rocking curve were decreased as the epilayer thickness increased. From the photocurrent spectrum of the CdTe(100) epilayer the photocurrent peak corresponding to the band gap was thought to be due to the direct transition from the valence Γ_8 to the conduction Γ_6 with the absorption of light. From the variation of the band gap energy with temperature the temperature coefficients were about -2.3~-3.5×10^(-4)eV/K.
박경동(Kyeong-Dong Park),신영진(Yeong-Jin Shin),기우태(Woo-Tae Ki),최종완(Jong-Wan Choi) 한국기계가공학회 2006 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 Vol.2006 No.-
Antifatigue failure technology take an important the part of current industries. Currently, the shot peening is used for removing the defect from the surface of steel and improving the fatigue strength on surface. In this study, the influence of shot peening and corrosive condition for corrosion property was investigated on immersed in 3.5% NaCl, 10% HNO3 + 3% HF, 6% FeCl3. The immersion test was performed on two kind of specimen. The immersion periods was performed 180days. Corrosion potential, weight loss were investigated from experimental results.