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정보규(Bo Gyu Jeong),성영민(Young Min Seong),김병철(Byung Chul Kim),엄일규(Il Kyu Eom) 대한전자공학회 2010 電子工學會論文誌-SP (Signal processing) Vol.47 No.4
본 논문에서는 웨이블릿 영역에서 색차를 이용한 효과적인 디모자이킹 방법을 제안한다. 저주파 영역의 웨이블릿 계수는 관찰된 고주파 계수를 이용한 에지 방향적인 보간에 의해 구해진다. 손실된 고주파 계수는 추정된 저주파 계수에 의해 얻어진다. 고주파수 영역에서 결함을 줄이고 시각적인 질을 향상시키기 위해서 웨이블릿 영역에서 색차 방법을 이용하여 고주파수 계수를 업데이트 한다. 웨이블릿 영역에서 제안한 디모자이킹 방법을 시뮬레이션하고, 기존의 디모자이킹 방법들과 비교를 하였다. 실험 결과를 통해 제안 방법이 향상된 디모자이킹 결과를 발생시킨다는 것을 보여주었다. In this paper, we present an efficient demosaicking method using the difference between color channels in the wavelet domain. In our method, the low frequency wavelet coefficients are obtained by an edge-directive interpolation using the observed high frequency coefficients. The missing high frequency coefficients are obtained by the estimated low frequency coefficients. In order to reduce artifacts in high frequency domain and to improve visual quality, we update the high frequency coefficient using the color difference rule in the wavelet domain. We simulate our demosaicking method in the wavelet domain and compare our algorithm to the existing demosaicking schemes. Experimental results illustrate that the proposed method can generate enhanced demosaicking results.
간단한 조립 공정에 의해 배열된 SWCNT 채널을 가진 센서의 제작공정
김경헌(Kyeong Heon Kim),성영민(Young Min Seong),장지웅(Chi Woong Jang),전영민(Young Min Jhon),김선호(Sun Ho Kim),변영태(Young Tae Byun) 대한전기학회 2010 정보 및 제어 심포지엄 논문집 Vol.2010 No.10
포토리소그래피(photolithography) 공정만을 이용하여 단일벽 탄소 나노튜브 (single-walled carborn nanotube; SWCNT)가 실리콘 기판 위에 선택적으로 흡착되는 공정 방법이 이전에 보고되었다. 본 논문에서는 이 간단한 SWCNT 조립공정을 이용하여 전계효과 트랜지스터 (field emission transistor; FET)의 채널 형성 방법이 설명 되었다. 또한, 실제 제작된 SWCNT 기반 FET 소자의 전류 전압특성이 조사되었다. FET의 SWCNT 채널은 포토리소그래피 공정만을 이용하여 산화막(SiO₂)이 형성된 실리콘 기판위에 흡착되었다. 즉, 포토리소그래피 공정에 의해 SWCNT가 흡착될 부분(채널부분)의 포토레지스트가 제기된 패턴이 형성된 기판은 SWCNT가 분산된 다이클로로벤젠 (dichlorobenzene)용액 속에 담가진다. 결과적으로 SWCNT는 시료 표면 전체에 흡착되고 포토레지스트 패턴이 제거되면, 채널부분(소오스와 드레인 전극사이)에 선택적으로 SWCNT 패턴들이 형성된다. 이 조립공정이 이용됨으로서 SWCNT 패턴이 채널로 구성된 FET가 성공적으로 제작되었다.