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펄스 레이저를 이용한 고온 초전도박막 증착의 레이저-타깃 반응 기구
서정대,강광용,성건용,Seo, Jeong-Dae,Gang, Gwang-Yong,Seong, Geon-Yong 한국전자통신연구원 1992 전자통신동향분석 Vol.7 No.3
본 고에서는 $YBa_2Cu_3O_7_x$ 고온초전도 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 각광을 받고 있는 펄스 레이저 증착공정의 원리, 특징등을 살펴보았다. 특히, 이 공정에서 입사 레이저와 고체 타깃간의 상호작용으로 인한 플룸의 발생, 물질의 방출, 기판상의 증착 등과 관련된 반응기구를 중점적으로 기술하였다.
이종용,서정대,성건용,강광용,Lee, Jong-Yong,Seo, Jeong-Dae,Seong, Geon-Yong,Gang, Gwang-Yong 한국전자통신연구원 1991 전자통신동향분석 Vol.6 No.3
물리계에는 특이한 성질을 갖는 몇몇 부류(class), 예를 들면 초전도체, 초유체 헬륨, 준-일차원 금속등이 있다. 그리고 계를 정의하기 위하여는 계가 열평형에 도달하는 속도뿐만 아니라 거시적 점유상태를 규정하는 것이 필요하다. 그리하여 쌍생성(electrons pairing) 에 의한 초전도현상, 초유체 헬륨의 $\lambda$-전이, 준-일차원 금속의 Peierls전이와 같은 물리적 특성을 단일 양자상태의 거시적 점유로부터 추론하였다.
강광용,서정대,이종용,성건용,Gang, Gwang-Yong,Seo, Jeong-Dae,Lee, Jong-Yong,Seong, Geon-Yong 한국전자통신연구원 1991 전자통신동향분석 Vol.6 No.3
산화물 고온초전도체는 제2종 초전도체 이므로 초전도 혼합상태에 대한 해석과 고온초전도 메카니즘의 규명과는 직접적으로 관련되어 있다. 특히 자장하에서 생겨나는 여러가지 물성이 산화물 초전도체의 구조 및 메카니즘 연구에 밝은 전망을 던져 주므로 이론 및 실험과학자들에게 큰 관심을 불러 일으키고 있다. 한편, 산화물 고온초전도체는 $T_c$가 높기 때문에 noise를 포함한 열적 특성이 저온초전도체와 사뭇 다르며 고자장하의 $T_c$근처에서, 전류-전압특성등의 물성에 비선형성(nonlinearty)이 많이 나타난다. 이러한 특성과 관련하여 고온초전도체의 한면을 설명하고자 한다.
강광용,이종용,성건용,서정대,Gang, Gwang-Yong,Lee, Jong-Yong,Seong, Geon-Yong,Seo, Jeong-Dae 한국전자통신연구원 1992 전자통신동향분석 Vol.7 No.3
고온초전도체의 전자응용 예를 들면, 죠셉슨접합과 같은 diode-type 의 초전도소자 뿐만 아니라 반도체 트랜지스터와 같은 고온초전도 삼단자소자의 개발 및 실용화를 위해서 해결해야 할 당면문제는 많다. 그 중에서 특히, 실리콘 기판위에 고온초전도 단결정박막을 성장시키는 것과 양질의 유전체 buffer층을 제조하는 것등이 있다. 초전도체/반도체구조에서 초전도전자쌍은 근접효과에 의해 반도체속으로 확산되어 가며, 이러한 현상을 이용하여 초전도 트랜지스터와 초전도 전자파소자와 같은 신기능 초전도소자를 구현할 수 있다. 그리고 이들 소자의 동작원리는 반도체속에서의 초전도 파동함수(질서파라미터)의 제어에 기초를 두고 있다. 고온초전도 일렉트로닉스를 겨냥하며, 중요한 응용으로서 거론되고 있는 분야는 1) one-wafer computer의 꿈을 실현하기 위한 기반기술로 꼽고 있는 초전도배선연구, 2) 성능에서 반도체소자를 능가하는 초전도소자, 3) 21세기를 전망하면서 집적회로 연구자들의 타깃이 되고 있는 초전도집적회로 및 일렉트로닉스, 그리고 4) 광범위한 응용이 기대되는 초정밀 센서인 SQUID 소자 등이 있다.