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      • KCI우수등재

        원자층 증착법을 이용한 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub> 보호막의 수분 보호 특성

        권태석,연건,김웅선,문대용,김경택,신새영,한동석,박재근,박종완,Kwon, Tae-Suk,Moon, Yeon-Keon,Kim, Woong-Sun,Moon, Dae-Yong,Kim, Kyung-Taek,Shin, Sae-Young,Han, Dong-Suk,Park, Jae-Gun,Park, Jong-Wan 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.6

        원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)을 이용하여 PES (poly (ether sulfon)) 기판위에 증착 온도, 플라즈마 파워에 따라 $Al_2O_3$와 $TiO_2$ 박막을 증착했다. 공정 조건에 따라 $Al_2O_3$와 $TiO_2$ 박막의 밀도, 탄소의 함유량이 달라지는 것을 알 수 있었으며, 공정 조건을 변화시켜 고밀도의 박막을 얻을 수 있었다. 플라즈마에 의한 PES 기판 손상을 막기 위해 buffer layer를 도입했으며, 또한 박막 내부 결함에 의한 수분 투과를 지연 또는 막기 위해 다층 구조를 증착했다. 이를 분석하기 위해 MOCON test를 이용해 투습률을 조사하였다. 플라스틱 기판에 다층 구조의 무기물 보호막을 적용했을 시 플라스틱 기판의 투습률 특성이 개선되었으며, 수분 투과에 대한 activation energy 또한 증가하는 것을 알 수 있었다. In this study, $Al_2O_3$ and $TiO_2$ films was deposited on to PES (poly(ethersulfon) substrate by using atomic layer deposition as functions of deposition temperature and plasma power. The density and carbon contents of $Al_2O_3$ and $TiO_2$ films was changed by varying process conditions. High density thin films was achieved through optimizing the process conditions. Buffer layer was deposited prior to the processing of upper thin films to avoid PES surface destruction during the high power plasma process and to enhances the tortuous path for water vapor permeation for the defect decoupling effect. The water vapor transmission rate by using MOCON test was investigated to analyze the effect. Water vaper permeation properties was improved by using the inorganic multi-layer passivation layer and activation energy of the water vapor permeation was increased.

      • KCI우수등재

        원자층 증착법을 이용한 Al₂O₃/TiO₂ 보호막의 수분 보호 특성

        권태석(Tae-Suk Kwon),연건(Yeon-Keon Moon),김웅선(Woong-Sun Kim),문대용(Dae-Yong Moon),김경택(Kyung-Taek Kim),신새영(Sae-Young Shin),한동석(Dong-Suk Han),박재근(Jae-Gun Park),박종완(Jong-Wan Park) 한국진공학회(ASCT) 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.6

        원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)을 이용하여 PES (poly (ether sulfon)) 기판위에 증착 온도, 플라즈마 파워에 따라 Al₂O₃와 TiO₂ 박막을 증착했다. 공정 조건에 따라 Al₂O₃와 TiO₂ 박막의 밀도, 탄소의 함유량이 달라지는 것을 알 수 있었으며, 공정 조건을 변화시켜 고밀도의 박막을 얻을 수 있었다. 플라즈마에 의한 PES 기판 손상을 막기 위해 buffer layer를 도입했으며, 또한 박막 내부 결함에 의한 수분 투과를 지연 또는 막기 위해 다층 구조를 증착했다. 이를 분석하기 위해 MOCON test를 이용해 투습률을 조사하였다. 플라스틱 기판에 다층 구조의 무기물 보호막을 적용했을 시 플라스틱 기판의 투습률 특성이 개선되었으며, 수분 투과에 대한 activation energy 또한 증가하는 것을 알 수 있었다. In this study, Al₂O₃ and TiO₂ films was deposited on to PES (poly(ethersulfon) substrate by using atomic layer deposition as functions of deposition temperature and plasma power. The density and carbon contents of Al₂O₃ and TiO₂ films was changed by varying process conditions. High density thin films was achieved through optimizing the process conditions. Buffer layer was deposited prior to the processing of upper thin films to avoid PES surface destruction during the high power plasma process and to enhances the tortuous path for water vapor permeation for the defect decoupling effect. The water vapor transmission rate by using MOCON test was investigated to analyze the effect. Water vaper permeation properties was improved by using the inorganic multi-layer passivation layer and activation energy of the water vapor permeation was increased.

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