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Transient Behavior of Serial and Parallel Memristor Circuits
람 카지 부다토키(Ram Kaji Budhathoki),마헤스워 샤파라(Maheshwar Prasad Sah),양창주(Changju Yang),김용진(Yongjin Kim),김형석(Hyongsuk Kim) 제어로봇시스템학회 2013 제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집 Vol.2013 No.12
When input voltage/current is supplied to a circuit with multiple memristors, the composite behavior of the memristor circuit exhibits transient states before it enters a steady state. During the transient state period, the behavior is very complex and not predictable due to each memristor`s different action depending upon its connection polarity and initial state. In this paper, the transient characteristics of a composite memristor are analyzed via the relationships of charge, flux and memristance of each memristor. Also, a general computation method of composite memristance for multiple-memristor circuits of diverse configurations is proposed.
Analysis of Electrical Features of Serially and Parallelly connected Memristor Circuits
람 카지 부다토키,마헤스워 사,김주홍,김형석,Budhathoki, Ram Kaji,Sah, Maheshwar Pd.,Kim, Ju-Hong,Kim, Hyong-Suk The Institute of Electronics and Information Engin 2012 電子工學會論文誌-CI (Computer and Information) Vol.49 No.5
저항, 콘덴서, 및 인턱터와 함께 4의 회로 소자로 알려진 멤리스터가 개발되었으나, 아직 그 전기적 특성이 충분히 해석되지 않고 있다. 멤리스터들은 연결된 극성에 따라서 저항이 증가 혹은 감소하며, 직렬 혹은 병렬연결 형태에 따라서 그 동작 특성이 다양해진다. 본 연구에서는 HP의 $TiO_2$ 멤리스터를 모델로 하여 다양한 직 병렬회로에 대한 전기적 특성을 분석하였다. 이를 위해서 사인파 입력신호에 대해서 나타나는 전압-전류 간의 히스테르시스 루프의 다양한 모양을 분석하였다. 본 멤리스터 연구결과는 멤리스터 소자에 대한 특성 이해와 논리 회로 및 뉴런 셀에의 응용회로들의 특성을 분석하는데 유용하게 사용될 수 있다. Memristor which is known as fourth basic circuit element has been developed recently but its electrical characteristics are not still fully understood. Memristor has the incremental and decremental feature of the resistance depending upon the connected polarities. Also, its operational behavior become diverse depending on its connection topologies. In this work, electrical characteristics of diverse types of serial and parallel connections are investigated using the HP $TiO_2$ model. The characteristics are analyzed with pinched hystersis loops on the V-I plane when sine input signal is applied. The results of the work would be utilized usefully for analyzing the characteristics of memristor element and applications to logic circuit and neuron cells.