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- 저자 : 노호균(Hokyun Rho) (검색결과 3 건)
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N-GaN 접촉 전극의 크기 및 배열 변화에 따른 패드리스 수직형 발광다이오드의 구동전압의 변화에 관한 연구
노호균,하준석,Rho, Hokyun,Ha, Jun-Seok 한국마이크로전자및패키징학회 2014 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.21 No.1
LED (Light Emitting Diode) 시장의 발전이 빠르게 이루어지고 있음에 따라 점차 고효율 LED의 필요성이 증가하고 있다. 이에 우리는 Hole Type의 Padless 신 구조 수직형 LED에서, 접촉 전극의 크기와 그 배치가 Chip의 가동 전압에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 이를 위하여 LED simulation을 통한 계산과 실제 Chip 제작을 통한 전기적 특성 평가를 하였다. 그 결과, Simulation 을 통하여 n전극의 크기가 커질수록 구동전압이 낮아짐을 확인하였고, N 전극의 형태가 확산됨에 따라서도 구동전압이 낮아짐을 확인하였다. 이러한 추세는 실제 제작한 LED Chip의 측정 결과와 비슷한 경향을 나타내었다. For the application of light-emitting diodes (LEDs) for general illumination, the development of high power LEDs chips became more essential. For these reasons, recently, modified vertical LEDs have been developed to meet various requirements such as better heat dissipation, higher light extraction and less cost of production. In this research, we investigate the effect of Size and Array of N-GaN contact on operation voltage with new structured padless vertical LED. We changed the size and array of N-electrodes and investigated how they affect the operation voltage of LEDs. We simulated the current crowding and expected operation voltage for different N-contact structures with commercial LED simulator. Also, we fabricated the padless vertical LED chips and measured the electrical property. From the simulation, we could know that the larger size and denser array of n-electrodes could make operation voltage decrease. These results are well in accordance with those measured values of real padless vertical LED chips.
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N-GaN 접촉 전극의 크기 및 배열 변화에 따른 패드리스 수직형 발광다이오드의 구동전압의 변화에 관한 연구
노호균(Hokyun Rho),하준석(Jun-Seok Ha) 한국마이크로전자및패키징학회 2015 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.21 No.1
LED (Light Emitting Diode) 시장의 발전이 빠르게 이루어지고 있음에 따라 점차 고효율 LED의 필요성이 증가하고 있다. 이에 우리는 Hole Type의 Padless 신 구조 수직형 LED에서, 접촉 전극의 크기와 그 배치가 Chip의 가동 전압에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 이를 위하여 LED simulation을 통한 계산과 실제 Chip 제작을 통한 전기적 특성 평가를 하였다. 그 결과, Simulation 을 통하여 n전극의 크기가 커질수록 구동전압이 낮아짐을 확인하였고, N 전극의 형태가 확산됨에 따라서도 구동전압이 낮아짐을 확인하였다. 이러한 추세는 실제 제작한 LED Chip의 측정 결과와 비슷한 경향을 나타내었다. For the application of light-emitting diodes (LEDs) for general illumination, the development of high power LEDs chips became more essential. For these reasons, recently, modified vertical LEDs have been developed to meet various requirements such as better heat dissipation, higher light extraction and less cost of production. In this research, we investigate the effect of Size and Array of N-GaN contact on operation voltage with new structured padless vertical LED. We changed the size and array of N-electrodes and investigated how they affect the operation voltage of LEDs. We simulated the current crowding and expected operation voltage for different N-contact structures with commercial LED simulator. Also, we fabricated the padless vertical LED chips and measured the electrical property. From the simulation, we could know that the larger size and denser array of n-electrodes could make operation voltage decrease. These results are well in accordance with those measured values of real padless vertical LED chips.
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금속/그래핀 이중 구조 와이어의 합성 및 전기적 특성 연구
정민희,김동영,노호균,신한균,이효종,이상현,Jeong, Minhee,Kim, Dongyeong,Rho, Hokyun,Shin, Han-Kyun,Lee, Hyo-Jong,Lee, Sang Hyun 한국마이크로전자및패키징학회 2021 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.28 No.1
본 연구에서는 금속 와이어를 촉매로 화학기상증착법을 이용하여 그래핀을 합성하고 구조 및 전기적 특성 변화를 분석하였다. 구리와 니켈의 탄소에 대한 용해도 차이로 인해 구리와이어에서는 단층 그래핀이 성장하였고, 니켈와이어의 표면에는 다층 그래핀이 성장되었다. 또한. 고온의 그래핀 성장 조건에서 구리와 니켈의 재결정화를 통해 결정립의 크기가 증가한 것을 확인하였다. 표면에 그래핀이 합성된 구리와이어의 경우, 최대전류허용치는 1.91×105 A/㎠으로 합성 전 구리와이어에 비해 약 27% 향상되었다. 이와 유사하게, 다층 그래핀이 합성된 니켈와이어의 경우에도 최대전류 허용치는 순수한 니켈와이어 대비 약 36% 향상된 4.41×104 A/㎠으로 측정되었다. 이러한 그래핀/금속 복합소재의 우수한 전기적 특성은 고전류를 요구하는 소자 및 부품에서 안정적인 전기적 흐름을 공급하는데 기여할 수 있을 것이다. In this study, graphene layer was grown on metal microwire using chemical vapor deposition. The difference of carbon solubility between copper and nickel resulted in the formation of mono-layer and multi-layer graphene were formed on the surfaces of copper and nickel microwires, respectively. During the growth of graphene at high temperature, copper and nickel were recrytallized and the grain size increased. The ampacity of graphene/copper microwire was improved by approximately 27%, 1.91×105 A/㎠, compared to pristine copper microwire. Similar to this behavior, the ampacity of multilayer graphene/nickel microwire was 4.41×104 A/㎠ which is about about 36% improved compared to the pure nickel microwire. The excellent electrical properties of graphene/metal composites are beneficial for supplying the electrical energy to the high-power electronic devices and equipment.
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