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김성만(S. M. Kim),임재영(J. Y. Leem),이철로(C. R. Lee),노삼규(S. K. Noh),신장규(J. K. Shin),권영수(Y. S. Kwon),유연희(Y. H. Ryu),손정식(J. S. Son),김지언(J. E. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
MBE 방법을 이용하여 [011] 방향으로 2˚ 기울어진 GaAs 기판 위에 InAs 에피층 성장을 연구하였다. InAs 에피층의 결정성은 GaAs의 완충층의 두께가 약 2500 Å일 때 가장 좋은 특성을 나타내고 있었다. 한편 As BEP 및 Si cell 온도 등의 성장조건을 변화시키면서 성장한 시료에 대하여 Hall effect를 측정한 결과 As/In BEP 비가 1.2~2.0의 영역일 때 가장 높은 이동도를 가지는 InAs 에피층을 얻을 수 있었다. Si 도우핑에 의해 전자농도가 증가함에 따라 이동도는 증가하다가 Si cell 온도 960℃ (ND=2.21×10^(17) cm-³)를 기점으로 감소하는 경향을 나타내고 있다. Si 의 전자농도가 ND=2.21×10^(17) cm-³일 때 이동도가 1.10×10⁴ ㎠/V.s 로 가장 높게 나타나고 있었다. We studied the properties of the InAs epitaxial layers grown on (100)-oriented GaAs (2° tilted toward [011]) by molecular beam epitaxy. From DCX (double-crystal x-ray), the better crystal quality was shown in InAs epitaxial layers on about 2500 Å GaAs buffer among the different buffer thickness. On the other hand, by changing As HEP and Si cell temperature in growing InAs epitaxial layers on GaAs, we obtained the high mobility of InAs epitaxy in As/In HEP ratio (1.2~2.0) from Hall effect measurement. The electron mobility increased as electron concentration increases, until Si cell temperature 960℃ (ND=2.21×10^(17) ㎝-³). The mobility decreases as the Si cell temperature increases, at the temperature over 960℃. We obtained the high mobility (1.10×10⁴㎠/V.s) at Si electron concentration of ND=2.21×10^(17) ㎝-³.
As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
이동건(D. K. Lee),문영희(Y. H. Mun),손정식(J. S. Son),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1
Hall 효과 측정을 이용하여 As^+이 주입된 단결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 800℃ (30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다. We studied activation process of As^+ implanted Si(l00) according to annealing conditions by using Hall effect measurement. Depth profiles were measured by SIMS(secondary ion mass spectroscopy) and SUPREM Ⅳ computer simulation. It was found that sheet carrier concentration become different clearly in proportion to the increasing of annealing temperature, and that the annealing temperature has to vary according to dose for activation of implanted layer by measuring temperature dependence of Hall mobility. And, decreasing of junction leakage current was shown clearly above 800℃ (30 min).