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- 저자 : 권태운(Tae-Woon Kwon) (검색결과 5 건)
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김경만(Kyung-Man Kim),권태운(Tae-Woon Kwon),심광열(Kwang-Yeol Sim),김세열(Se-Yeol Kim) 한국조명·전기설비학회 2006 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.5월
This paper gives a Wireless lightning detecting and warning system. This system composed of transmitter and receiver. It promptly senses lightning strikes on the power lines and transmission towers by using the lightning current detection circuit in a small transmitter situated on the top of power tower, and it sends the number of lightning strikes and the ID. of the tower to patrols through the receivers. This system will be used to discover the exact location of a lightning strike.
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권태운,최재하 울산대학교 1998 공학연구논문집 Vol.29 No.2
본 논문에서는 주파수 변환을 얻기 위해 GaAs MESFET의 선형채널저항을 이용하는 FET 저항성 믹서를 설계하였다. 이 믹서는 설계가 쉽고, 저잡음이며, 상호변조왜곡을 줄일수 있으므로 저잡음 수신기에 적용할 수 있다. 본 설계에 필요한 주파수 규격은 RF 중심주파수 12.5GHz, LO 주파수 11GHz, IF 1.5GHz, 그리고 RF 통과대역은 1GHz이다. 본 설계에서는 범용 GaAs MESFET를 사용하여 유전율 2.48인 기판에 적합하도록 설계하여 시뮬레이션을 수행하였다. 각 포트의 여파기들은 개별적으로 설계한 후 최적화 하여 결합하였다. 본 논문에서 설계된 믹서는 통과대역에서의 변환손실 약 6dB, 잡음지수 약 4dB, 동적영역 9dBm 정도의 결과를 가짐을 시뮬레이션을 통해 확인되었다. 기존의 X-밴드에서 설계된 게이트 믹서와 비교한 결과 동적영역에서 4dBm, 잡음지수에서 2.7dB 개선되었다. 그러나, 변환이득/손실면에서는 12dB의 감쇠가 있음이 확인되었다. In this paper, FET resistive mixer was designed, which uses the linear channel resistance of a GaAs MESFET to achieve frequency mixing. This mixer is entirely for use in low noise receivers, because it can be designed easily, has a low noise, and reduce intermodulation distortion. Required frequency specifications of this design are RF center frequency 12.5GHz, LO frequency 11GHz, IF 1.5GHz, and RF passband 1GHz. In this design, it is designed properly for substrate that has dielectric constant 2.48 with using general purpose GaAs MESFET and simulated. Each port filters was designed and optimized individually before the mixer was assembled. Designed mixer of this paper had the results that conversion loss is about 6dB in its passband, noise figure is about 4dB, and dynamic range is about 9dBm through simulation. Result of comparison between previous designed gate mixer in X-band and this mixer, it is improved 4dBm in dynamic range, 2.7dBm in noise figure but is reduced 12dB in conversion gain/loss.
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IMT-2000용 수신단 One-chip MMIC의 설계 및 제작
신상문,권태운,최재하 울산대학교 2002 공학연구논문집 Vol.33 No.1
본 논문은 IMT-2000용 수신단 One-chip MMIC의 설계 및 제작에 관한 것이다. LNA, 이중 평형 믹서, LO 발룬, RF 발룬, 그리고 IF 증폭기를 하나의 칩에 집적시켰다. 새롭게 제안된 바이어스 회로는 공정상의 변화와 온도의 변화 등의 원인에 의한 문턱전압의 변화를 보상할 수 있다. 제작된 칩의 측정 결과는 모의실험으로 얻은 결과와 일치하지 않는다. LNA는 변환이득이 평탄하게 동작하지 않을 뿐만 아니라 발진현상도 나타났다. 문제에 대한 분석을 통해 원인을 찾았으며, 이 결과는 향후 연구에 사용하려고 한다. 믹서의 변환손실은 -14㏈, IP3는 4㏈m, 포트간 격리도는 25㏈ 이상인 특성을 나타낸다. 설계된 칩은 ETRI MESFET 0.5 ㎛공정으로 제작하였으며 칩 사이즈는 1.4㎜×1.4㎜이다 This is paper describes a design and fabrication of a one-chip receiver MMIC for IMT-2000. The LNA, double balanced mixer, LO balun, RF balun, IF amplifier and a bias circuit are integrated a chip. Each balun operates active and composed of MESFETs. The new applied bias circuit is able to compensate the variation of the threshold voltage caused by the process variation, temperature changes, and etc. The measured response of the fabricated chip doesn't correspond with the simulated performance, the LNA is not only the conversion gain doesn't operates flatly, but also even the oscillation presented. By the study of the cause about the problem, the factor was found. And the result will be deal with further study. The mixer achieves the conversion losses of -14㏈, IP3 of 4㏈m, and port to port isolation over 25㏈. The designed chip is fabricated by the ETRI MESFET 0.5㎛ process. The chip size is 1.4m×1.4m.
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무선랜용 Q-대역 0.25㎛ pHEMT MMIC 저잡음증폭기 설계
최우성,이원조,권태운,최재하 울산대학교 2002 공학연구논문집 Vol.33 No.1
본 논문에서는 무선랜용 수신 시스템의 첫 단에 쓰이는 Q-대역 2단 MMIC 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기의 이득은 10.312±0.5㏈, 잡음지수는 2.677㏈이다. 입력 정재파비 VSWR_in = 1.072이고, 출력 정재파비 VSWR_out = 1.055이며, 1㏈ 이득압축점은 5.824㏈m IIP9는 13㏈m이다. 이번 저잡음 증폭기 설계에 사용된 pHEMT는 HP-EEsof사의 각각 0.25㎛×50㎛ 크기의 2-finger 루트모델이다. 제작을 위한 레이아웃은 칩사이즈가 1,800×1,500㎛이다 칩사이즈를 고려해서 바이어스딘의 λ/4 라인은 구부려서 구성하였으며 1단과 2단은 50Ω 정합을 하였다. In this paper, the design of Q-band 0.25㎛ pHEMT MMIC 2-Stage Low Noise Amplifier for Wireless LAN is discussed. The LNA has a gain of 10.312±0.5㏈ and a noise figure of 2.677㏈. An input VSWR of the LNA is 1.072 and an output VSWR of the LNA is 1.055. 1㏈ gain compression point of the LNA is 5.824㏈m and IIP of the LNA is 13㏈m. In this paper, HP EEsof's pHEMT 2-finger ROOT Model of 0.25㎛×50㎛ is used. The layout chip size for manufacturing is 1,800㎛×1,500㎛. To reduce the size, a curved shape is adapted for λ/4-line realization. The first and second stage are matched to 50Ω.
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