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강길범,김성일,김영환,박민철,김용태,이창우,Kang, Gil-Bum,Kim, Seong-Il,Kim, Young-Hwan,Park, Min-Chul,Kim, Yong-Tae,Lee, Chang-Woo 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.2
밀도가 높고 주기적으로 배열된 실리콘 나노점이 실리콘 기판위에 형성 되었다. 실리콘 나노점을 형성하기 위해 사용된 나노패턴의 지름은 $15{\sim}40$ 나노미터(nm)이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 $40{\sim}80\;nm$ 이었다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 형성된 나노패턴에 전자빔 기상증착장치를 사용하여 금 박막을 $100\;{\AA}$ 증착하고 리프트오프(lift-off) 방식으로 금 나노점을 만들었다. 형성된 금 나노점을 불소기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각하고 황산으로 제거하였다. 형성된 실리콘 나노점의 지름은 $30{\sim}70\;nm$였고 높이는 $10{\sim}20\;nm$ 였다. Dense and periodic arrays of holes and Si nano dots were fabricated on silicon substrate. The nanopatterned holes were approximately $15{\sim}40nm$ wide, 40 nm deep and $40{\sim}80\;nm$ apart. To obtain nano-size patterns, self?assembling diblock copolymer were used to produce layer of hexagonaly ordered parallel cylinders of polymethylmethacrylate (PMMA) in polystyrene(PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed with acetic acid rinse to produce a PS. $100\;{\AA}-thick$ Au thin film was deposited by using e-beam evaporator. PS template was removed by lift-off process. Arrays of Au nano dots were transferred by using Fluorine-based reactive ion etching(RE). Au nano dots were removed by sulfuric acid. Si nano dots size and height were $30{\sim}70\;nm$ and $10{\sim}20\;nm$ respectively.
마이크로파 및 광도파관의 고유모드에 관한 유한요소법 해석
강길범,윤대일,김정기 한국통신학회 1989 韓國通信學會論文誌 Vol.14 No.4
유한요소법을 이용하여 유전체 도파관의 전파특성을 해석하였다. 자계 3성분에 의한 변분표현방식 Galerkin법을 적용하여 주파수를 파라메터로 해서 전파정수를 구하는 유한요소 표시식을 제안하였다. 이 방법은 조건을 고려해서 해석한 결과 spurious 해는 전혀 나타나지 않았으며 이론치와 잘 일치하였다. 이 해법이 타당성을 확인하기 위하여 부분적으로 유전체가 채워직 구형도파관에 적용하여 수치해석 결과를 다른해석 결과와 비교하였다. The propagation characteristics of dielectric waveguides has been analyzed by finite element method. We have proposed the finite element formutation of the variational expression in the three-component magnetic field based on Galerkin's method which seek for the propagation constant by a given value of frequency. In this approach, the divergence relation for H is satisfied and spurious modes does not appear and finite element solustions agree with the exact solutions. In order to varify the validity of the present method the numerical results for a rectangular waveguide partilly filled with dielectric are compared with other results.
강길범,김성일,한일기,Kang, Gil-Bum,Kim, Seong-Il,Han, Il-Ki 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.5
밀도가 높고 주기적으로 배열된 나노 크기의 기공이 25nm 두께의 실리콘 산화막 기판위에 형성 되었다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 폴리스티렌으로 이루어진 나노패턴의 지름은 $8{\sim}30nm$ 였고 높이는 40nm였으며, 패턴과 패턴사이의 간격은 60nm였다. 형성된 패턴을 실리콘 산화막 위에 전사시키기 위해 불소 기반의 화학 반응성 식각을 사용하였다. 실리콘 산화막에 형성된 기공의 지름은 $9{\sim}33nm$였다. 실리콘 산화막을 불산으로 제거하여 실리콘에 형성된 기공을 관찰하였고, 실리콘기판에 형성된 기공의 지름은 $6{\sim}22nm$였다. 형성된 기공의 크기는 폴리메틸메타아크릴레이트의 분자량과 관계가 있음을 알 수 있었다. Nano-scopic holes which are distributed densely and uniformly were fabricated on $SiO_2$ surface. Self-assembling resists were used to produce a layer of uniformly distributed parallel poly methyl methacrylate (PMMA) cylinders in a polystyrene (PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed by acetic acid rinsing. Subsequently, PS nanotemplates were fabricated. The patterned holes of PS template were approximately $8{\sim}30\;nm$ wide, 40 nm deep, and 60 nm apart. The porous PS template was used as a dry etching mask to transfer the pattern of PS template into the silicon oxide thin film during reactive ion etching (RIE) process. The sizes of the patterned holes on $SiO_2$ layer were $9{\sim}33\;nm$. After pattern transfer by RIE, uniformly distributed holes of which size were in the range of $6{\sim}22\;nm$ were fabricated on Si substrate. Sizes of the patterned holes were controllable by PMMA molecular weight.