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- 저자 : 庾基洙 (검색결과 151 건)
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유기수 대한기계학회 2017 JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY Vol.31 No.12
The reaction mechanism for a leaching process was described in a slurry consisting of Rare earth ore (REO) particles and magnesiumsulfate solution. An inner diffusion control shrinking core model was adopted to describe reactant migration within the REO particle, and the outer diffusion layer was modeled by considering a thin diffusion layer to capture the convection effect on the particle surfaces. This reaction mechanism was implemented in a Computational fluid-particle dynamics (CFPD) simulation coupled with a Coarse-grained particle model (CGPM) for a liquid-solid leaching reactor equipped with a mixing impeller. The simulations of batch reactor were carried out to predict leaching efficiency with various impeller speed and REO particle sizes. The simulation results show that inefficient leaching of REO particles was caused by solute depletion due to incomplete mixing. This magnesium ion depletion intensified in packedparticle regions due to poor species transfer from the bulk solution. This CFPD study also demonstrates that the REO particle size has a major effect on the leaching process.
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유기수,최금란 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1993 基礎科學硏究誌 Vol.12 No.2
전자빔 리소그래피(electron beam lithography)에서 Si기판과 GaAs기판 위에 도포한 PMMA 리지스트(electron resist)를 전자빔으로 露光하여 現像液에서 현상한 리지스트의 2차원 斷面形狀을 수치계산하였다. 전자산란이론은 CSDA(continuous-slowing-down-approximation)으로 계산하였고, 現像은 弦모델(string development model)에 의해서 계산하였다. 이 결과를 리지스트 프로파일을 기술하는 매개변수(profile description parameters)에 의해 분석해 보면, 저에너지에서는 GaAs기판의 리지스트 단면형상이 Si기판의 것에 비해 같은 현상 조건하에서 線幅 변화율이 크고 리지스트의 표면식각(surface etching)도 심하나, 전자빔의 에너지가 커지면 이 현상이 둔화되는 결과를 얻었다. Electron scattering and energy deposition within the sensitive polymer resist coated on a bulk of silicon and gallium arsenide substrates are simulated with Monte Carlo technique in electron beam lithography. The modified CSDA approach has been used to calculate the absorbed energy density in a cross-section of resist and the string development algorithm were used to develop the resist. The energy density profiles in the polymer resist, the time evolution of the electron-beam exposed resist profiles, and its dependence on substrate materials were calculated. The results show that both the linewidth variation and background surface etching in PMMA resist on Si substrate are lower than GaAs substrate in spite of the same development conditions. According as the electron energy increases, however, the linewidth variation and background surface etching become dull.
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庾基洙 圓光大學校 1973 論文集 Vol.7 No.-
In 1925 W. Heisenberg had just succeeded to break to the old guantum theory in the new. Through the work of many experts, this theory soon acquired a fully developed mathematical formalism. But despite its enormous practical success, the quantum theory of measurement is so contrary to intuition that the experts themselves still do not all agree. The area of disagreement centers primarily around the following: 1. Formally, the result of a measurement is a superposition of vectors and these vectors represent the quantity of observation. 2. This superposition can be reconciled with the fact that we only observe one value. 3. A micro-world compose of just two dynamical entities, a system and an apparatus. 4. This world split into a multiplicity of mutually unobservable but equal real worlds, in each one of which a measurement does give a definite result. On this measurement theory of quantum theory I shall attempt to meet these challenges by discussing numerous thought experiments, each of which are subjected to the question.
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庾基洙 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1982 基礎科學硏究誌 Vol.1 No.1
시간의 일상적인 개념을 넘어서 과연 「시간의 본성이란 무엇이며 또 그 속성은 무엇이가?」라는 문제는 이미 고대 희랍사람들에 의해서 제기되었던 문제이다. 그들은 그 당시 시간을 재는 해시계와 수시계를 만들어 해시계는 천체관측에, 수시계는 Academy사람들의 수면시간을 최소량으로 줄이는데 쓰였다 한다. 그러나 그에 앞서 기원전 2000년경 이미 Babilionia사람들은 천체운동을 기준으로 해서 지금 우리가 쓰고 있는 시간의 단위를 사용하고 있었다. 이와같이 이미 고대 사람들은 시간을 천체운동과 관계지웠고, 그 개념은 Platon과 Aristoteles에 의해서 희랍의 자연학과 연결되어 시간론의 전통을 만들었다.
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전자빔 리소그래피에서 0.3μm 리지스트 패턴을 위한 工程許容範圍
유기수,최금란,유흥우 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1993 基礎科學硏究誌 Vol.12 No.2
전자빔 直接 露光方法에 의해서 64 M bit DRAM을 위한 0.3㎛ 線幅 리지스트 斷面形狀에 대한 工程 許容範圍를 컴퓨터 시뮬레이션으로 계산하였다. 시료 구성은 0.3㎛의 W을 입히지 않은 Si기판과 W을 입힌 Si기판으로 구성한 3층 리지스트系로 하였다. 공정 허용범위는 0.2㎛ 단일선과 0.2㎛선 -0.4㎛선간 거리의 평행선에서 0.3㎛ 線幅과 0.3㎛ 線間 距離를 위한 리지스트 단면형상으로 전자빔의 에너지와 전자빔 조사법을 달리하면서 계산하였다. 그리고 평행선의 외각선은 補助 露光法에 의해서 중앙선의 공정 허용범위와 같게 하였다. This study describes the electron beam direct writing technology for 64M bit DRAMs including a resist process for 0.3㎛ fabrication. The delineation capability of 0.3㎛ lines is estimated by evaluating process latitudes with computer simulation. The trilayer resist system consists of layers on bare silicon substrate covered with 0.3㎛ tungsten. The behaviour of developed resist profiles under different conditions of direct writing technology and electron energy is presented in case of 0.2㎛ isolated line and a grating of 0.2㎛/0.4㎛ lines and spaces. The results show that the higher electron energy makes the process latitude larger and the resist patterns on W layer is less effective than bare Si substrate, however the process latitudes of two beam writing are larger than those of three beam writing. And the proper resist profiles of the grating periphery can be much the same as its center by the subsidiary exposure method.
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유기수 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1987 基礎科學硏究誌 Vol.6 No.3
고체시료 표면에 입사한 전자의 배후산란 전자에 대한 Monte carlo계산은 일반적으로 배후산란전자의 각분포, 에너지분포 그리고 배후산란 계수등에 실험값과 약간의 어긋남이 있다. 이 연구는 이론식을 Rutherford의 가려진 단면적 공식과 Bethe의 저지능 공식을 보완한 식 그리고 Poisson 분포식에 의한 주행거리를 이용한 단일산란 모델에 의해서 Monte Carlo방법으로 배후산란 전자에 대한 공간분포, 각분포, 에너지분포 그리고 배후 산란 계수를 계산하였다. 이 계산 결과는 실험값과 아주 잘 일치하였다. In the Monte Carlo calculations, there were some discrepancies between theory and experiments on backscattered electons, angular as well as energy distribution and backscatter coefficients. In this paper we attempted to examine the applicability of the Monte Carlo method in connection with a sing scattering model in which the screened Rutherford cross-section, the Bethe energy loss replenshed formula and the Poisson distribution's steps are used. The calculations show fairly good agreement with those of the experiments on backscattered electrons.
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