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레이저 멀티 펄스 중첩과 회절광학소자를 이용한 숨쉬는 필름 고속 가공 기술
유동윤,최훈국,손익부,노영철,이용탁,김영재,김영한,강호민,노지환,Yoo, Dongyoon,Choi, Hun-Kook,Sohn, Ik-Bu,Noh, Young-Chul,Lee, Yong-Tak,Kim, Young-Jae,Kim, Young-Han,Kang, Ho-Min,Noh, Jihwan 한국레이저가공학회 2014 한국레이저가공학회지 Vol.17 No.3
In this paper, we studied a machining method using a diffractive beam splitter (DBS) and multi- pulse repeated radiation for breathable film. We fabricated micro-grooves on polypropylene (PP) films using multi-pulse radiation and one-shot radiation (radiating pulses at once) and a DBS. In the result, width and depth of the PP film using multi-pulse repeated radiation were more precisely controllable. Therefore, this method can be applicable to in manufacturing breathable film precisely at a high speed.
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
양전욱,심규환,최영규,조낙희,박철순,이경호,이진희,조경익,강진영,이용탁,Yang, Jeon-Uk,Shim, Kyu-Hwan,Choi, Young-Kyu,Cho, Lack-Hie,Park, Chul-Soon,Lee, Keong-Ho,Lee, Jin-Hee,Cho, Kyoung-Ik,Kang, Jin-Yeong,Lee, Yong-Tak 한국전자통신연구원 1991 전자통신 Vol.13 No.4
저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1\mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트 MESFET 은 2" 기판 내에서 84mV의 임계전압 변화를 나타내었다.