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      • KCI등재

        광통신 모듈용 단일칩 CMOS 트랜시버의 설계

        채상훈,김태련,권광호 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.02

        This paper describes the design of monolithic optical transceiver circuitry being used as a part of the fiber optic modules. It has been designed in 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal silicon CMOS analog technology and operates at 155.52 Mbps(STM-1) data rates. It drives laser diode to transmit intensity modulated optical signal according to 155.52 Mbps electrical data from system. Also, it receives 155.52 Mbps optical data that transmitted from other systems and converts it to electrical data using photo diode and amplifier. To avoid noise and interference between transmitter and receiver on one chip, layout techniques such as special placement, power supply separation, guard ring, and protection wall were used in the design. The die area is 4 x 4 ㎟ and the estimated power dissipation is less than 900 mW with a single 5 V supply. STM-1 체계의 광통신용 광모듈 송수신부에 내장하기 위한 155.52 Mbps 트랜시버 ASIC을 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다. 설계된 ASIC은 시스템에 의해서 처리된 155.52 Mbps 데이터 신호를 LD를 통하여 광신호로 변환하여 상대 시스템으로 송신하는 트랜스미터의 역할과, 상대 시스템으로부터 전송되어온 155.52 Mbps 광신호를 PD로 수신하여 전기신호로 변환하고 원형으로 복구하는 리시버의 역할을 한다. 트랜스미터와 리시버를 하나의 실리콘 기판에 집적하여 단일칩 형태의 트랜시버를 설계하기 위하여, 잡음 및 상호 간섭 현상을 방지하기 위한 배치 상의 소자 격리 방법뿐만 아니라 전원분리, 가드링, 격리장벽 등을 도입한 새로운 설계 방법을 적용하였다. 설계된 칩의 크기는 4 x 4 ㎟이며, 5 V 전원 공급상태에서 소모전력은 900 mW로 예측할 수 있었다.

      • KCI등재

        광통신 모듈용 단일 칩 CMOS 트랜시버의 구현

        채상훈,김태련 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.09

        This paper describes the implementation of monolithic optical transceiver circuitry being used as a part of the fiber optic modules. It has been fabricated in 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal silicon CMOS analog technology and operates at 155.52 Mbps(STM-1) data rates. It drives laser diode to transmit intensity modulated optical signal according to 155.52 Mbps electrical data from system. Also, it receives 155.52 Mbps optical data that transmitted from other systems and converts it to electrical data using photo diode and amplifier. To avoid noise and interference between transmitter and receiver on one chip, layout techniques such as special placement, power supply separation, guard ring, and protection wall were used in the design. The die area is 4 x 4 ㎟, and it has 32.3 ps rms and 335.9 ps peak to peak jitter on loopback testing. the measured power dissipation of whole chip is 1.15 W(230 mW) with a single 5 V supply. STM-1 체계의 광통신용 광모듈 송수신부에 내장하기 위한 155.52 Mbps 트랜시버 ASIC을 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 구현하였다. 제작된 ASIC은 시스템에 의해서 처리된 155.52 Mbps 데이터 신호를 LD를 통하여 광신호로 변환하여 상대 시스템으로 송신하는 트랜스미터의 역할과, 상대 시스템으로부터 전송되어온 155.52 Mbps 광신호를 PD로 수신하여 전기신호로 변환하고 원형으로 복구하는 리시버의 역할을 한다. 트랜스미터와 리시버를 하나의 실리콘 기판에 집적하여 단일 칩 형태의 트랜시버를 설계하기 위하여, 잡음 및 상호 간섭 현상을 방지하기 위한 배치 상의 소자 격리 방법뿐만 아니라 전원분리, 가드링, 격리장벽 등을 도입한 새로운 설계 방법을 적용하였다. 설계된 칩의 크기는 4 x 4 ㎟이며, 루프백 측정에서 지터도 실효치 32.3 ps, 최대치 335.9 ps로 비교적 양호하게 나타났다. 전체 칩의 소비전력은 5 V 단일전원 공급 상태에서 약 1.15 W(230 mA)로 나타났다.

      • KCI등재
      • KCI등재

        ATM 교환기용 234.7 MHz 혼합형 주파수 체배분배 ASIC의 설계

        채상훈,정희범 한국통신학회 1999 韓國通信學會論文誌 Vol.24 No.10

        B-ISDN에 쓰이는 ATM 교환기 스위치 링크 및 망동기용 아날로그 / 디지털 혼합형 주파수 체배 분배 ASIC을 설계하였다. 이 ASIC은 46.94 MHz의 외부 입력 클럭을 이용하여 234.7 MHz의 시스템 클럭 및 77.76 MHz, 19.44 MHz의 가입자 클럭을 발생시키는 역학을 하며, 여러 개의 외부 입력 클럭에 대한 체크 및 선택 기능도 동시에 포함한다. 효율적인 ASIC 구성을 위하여 고속의 클럭 발생을 위한 아날로그 PLL 회로는 전주문 방식을, 외부 입력 클럭 체크 및 선택을 위한 디지털 회로는 표준셀 방식을 사용하여 아날로그 / 디지털 혼합 방식으로 설계하였으며, 0.8 $\mu\textrm{m}$ 디지털 CMOS 공정으로 제작 가능하도록 저항 및 커패시터를 특별한 방법으로 레이아웃 하였다. An analog / digital mixed mode frequency multiplication and distribution ASIC for switch link or network synchronization of ATM switching system for B-ISDN has designed. This ASIC generates 234-7 MHz system clock and 77.76 MHz, 19.44 MHz user clocks using 46.94 MHz external clock. It also includes digital circuits for checking and selecting between the two external clocks. For effective ASIC design, full custom technique is used in analog PLL circuit and standard cell based technique is used in digital circuit. Resistors and capacitors are specially designed so the chip can be implemented in 0.8$\mu\textrm{m}$ digital CMOS technology.

      • KCI등재

        STM-1급 155.52 Mbps 고성능 CMOS 리시버의 구현

        채상훈,정희범 한국통신학회 1999 韓國通信學會論文誌 Vol.24 No.6

        A high performance CMOS receiver for 155.52 Mbps STM-1 digital communication has been designed and fabricated. The ASIC operates properly with 155.52 MHz clock frequency in case of the data loss due to some system error such as transmission line open or data transfer fail. Also it operates properly in case the system starts after the power failure or system maintenance. The designed circuit has especially PLL based self oscillation loop which operates on abnormal environment which is added to main oscillation loop. The measured results show that the circuit operates well with 153.52 MHz clock frequency not only on normal environment but also on abnormal environment. Rms jitter of the PLL loop is about 23 ps. 155.52 Mbps STM-1급 디지털 통신용 고성능 CMOS 리시버 칩을 설계 제작하였다. 제작된 리시버는 전송선로의 단락 또는 송신 중단 등으로 인해 데이터신호가 입력되지 않거나, 정전 발생 또는 시스템의 유지보수 등으로 인해 전원이 차단되었다가 복구될 때에도 155.52 MHz의 클락 주파수를 유지하여 항상 안정된 동작을 할 수 있는 구조로 이루어진다. 이를 위해 설계된 회로는 PLL을 기본으로 한 데이터 및 클락 복원회로 외에 데이터 감시회로와 전원 감시회로도 내장한다. 측정 결과 제작된 IC는 데이터신호가 입력되는 정상적인 상황에서뿐만 아니라, 데이터신호가 입력되지 않는 비정상적인 상황하에서도 항상 155.52 MHz의 안정된 클락을 발생시키고 있음을 알 수 있었음, PLL 루프의 실효 지터도 23 ps로 우수한 특성을 나타내었다.

      • 오존을 이용한 웨이퍼 세정 및 감광막 제거 공정

        채상훈 湖西大學校工業技術硏究所 2003 工業技術硏究所論文集 Vol.22 No.-

        This paper has been studied on wafer cleaning and photoresist striping in semiconductor or LCD fabrication processes using ozone solved deionized water. For the purpose of this study, we have developed high concentration ozone generating system and high contact ratio ozone solving system to get high efficiency DIO_(3). Through this study, we obtained 11% ozone gas concentration, 99.5% of ozone efficiency and maximum 139.1 ppm㎎/L)of solubility in deionized water.

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