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- 저자 : Jun-Hyoung Sim(심준형) (검색결과 6 건)
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n-GaAs 구조에서의 ArF excimer laser annealing에 따른 Photoreflectance 특성 연구
김기홍,유재인,심준형,배인호,임진환,김진희,유재용,Kim, Ki-Hong,Yu, Jae-In,Sim, Jun-Hyoung,Bae, In-Ho,Lim, Jin-Hwan,Kim, Jin-Hi,Yu, Jae-Yong 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.2
n-GaAs의 시료를 furnace annealing 처리와 laser annealing 처리를 한 후, PR 방법으로 비교 조사하였다. 시료는 Furnace annealing을 5 분간 $400{\sim}800^{\circ}C$에서 처리한 시료와 ArF excimer laser($30{\sim}50\;W$)로 5 분간 Laser annealing 처리 한 시료로 준비하였다. Furnace로 annealing을 한 경우에 주 신호(정점)는 1.43 eV에서 관측되었는데 비해 laser로 annealing 한 샘플은 1.42 eV로 0.01 eV가 더 작게 관측되었다. 이는 laser annealing이 furnace annealing 보다 표면과 내면에서 일어나는 열처리 효과가 더 고르게 일어나가 때문이다. We investigated variation of the photoreflectance(PR) signals for n-GaAs furnace and laser annealed. The samples were annealed by using ArF excimer laser(5 min, $30{\sim}50\;W$) and furnace(5 min $400{\sim}700^{\circ}C$). The PR signals(top point) measured from the ArF excimer laser annealed sample showed 1.42 eV and furnace annealed sample showed 1.43 eV. This result is ArF excimer laser annealed sample was uniform annealed surface and inter state.
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자연 성장된 InAs/AlAs 양자점의 Photoreflectance 특성
김기홍,심준형,배인호,Kim, Ki-Hong,Sim, Jun-Hyoung,Bae, In-Ho 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.3
MBE법으로 성장된 InAs/AlAs 양자점(quantum dots; QD) 구조의 광학적 특성을 photoreflectance(PR) 이용하여 조사하였다. Wetting layer(WL) 두께에 따른 전체 장벽의 폭이 달라짐에 따라 GaAs 완충층 및 WL 신호의 세기가 변화되었다. QD 층이 식각된 시료의 상온 PR측정 결과로부터 $1.1{\sim}1.4\;eV$ 영역의 완만한 신호는 InAs QDs과 WL에 관련된 신호임을 알았다. 온도 $450{\sim}750^{\circ}C$범위에서 열처리 시켰을 때 WL층의 PR 신호가 red shift하였는데, 이는 열처리 후 InAs WL와 AlAs층 사이에 Al과 In의 내부 확산에 의해 양자점의 크기가 균일하게 재분포 되고, WL의 임계 두께가 증가하였음을 나타낸다. The optical characterization of self-assembled InAs/AlAs quantum dots(QD) grown by MBE were investigated using photoreflectance spectroscopy. The intensities of the signals of the GaAs buffer and wetting layer(WL) changed with the width of the WL layer. The PR spectrum for the sample, in which QDs layer were etched off at room temperature, indicated that the broadened signal ranging $1.1{\sim}1.4\;eV$ was originated from InAs QDs and WL. The intensities of signals of GaAs buffer and the WL changed with the WL width. A red shift of the PR peak of WL are observed when the annealing temperatures range from $450^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$, which indicates that the interdiffusion between dots and capping layer is caused by improvement in size uniformity of QDs.
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AlAs 에피층 위에 성장된 InAs 양자점의 Photoluminescence 특성연구
김기홍,심준형,배인호,Kim, Ki-Hong,Sim, Jun-Hyoung,Bae, In-Ho 한국재료학회 2009 한국재료학회지 Vol.19 No.7
The optical characterization of self-assembled InAs/AlAs Quantum Dots(QD) grown by MBE(Molecular Beam Epitaxy) was investigated by using Photoluminescence(PL) spectroscopy. The influence of thin AlAs barrier on QDs were carried out by utilizing a pumping beam that has lower energy than that of the AlAs barrier. This provides the evidence for the tunneling of carriers from the GaAs layer, which results in a strong QD intensity compared to the GaAs at the 16 K PL spectrum. The presence of two QDs signals were found to be associated with the ground-states transitions from QDs with a bimodal size distribution made by the excitation power-dependent PL. From the temperature-dependent PL, the rapid red shift of the peak emission that was related to the QD2 from the increasing temperature was attributed to the coherence between the QDs of bimodal size distribution. A red shift of the PL peak of QDs emission and the reduction of the FWHM(Full Width at Half Maximum) were observed when the annealing temperatures ranged from 500 $^{\circ}C$ to 750 $^{\circ}C$, which indicates that the interdiffusion between the dots and the capping layer was caused by an improvement in the uniformity size of the QDs.
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Zn(O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) 버퍼층 적용을 통한 Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub> 태양전지 특성 향상
양기정 ( Kee-jeong Yang ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),손대호 ( Dae-ho Son ),이상주 ( Sang-ju Lee ),김영일 ( Young-ill Kim ),윤도영 ( Do-young Yoon ) 한국화학공학회 2017 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.55 No.1
This experiment investigated characteristic changes in a Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>(CZTS) solar cell by applying a Zn (O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) butter layer with various compositions on the upper side of the absorber layer. Among the four single layers such as Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>), Zn(O<sub>0.56</sub>, S<sub>0.44</sub>), Zn(O<sub>0.33</sub>,S<sub>0.67</sub>), and Zn(O<sub>0.17</sub>,S<sub>0.83</sub>), the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer was applied to the device due to its bandgap structure for suppressing electron-hole recombination. In the application of the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer to the device, the buffer layer in the device showed the composition of Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) because S diffused into the buffer layer from the absorber layer. The Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer, having a lower energy level (E<sub>V</sub>) than a CdS buffer layer, improved the J<sub>SC</sub> and V<sub>OC</sub> characteristics of the CZTS solar cell because the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer effectively suppressed electron-hole recombination. A substitution of the CdS buffer layer by the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buf-fer layer improved the efficiency of the CZTS solar cell from 2.75% to 4.86%.
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강진규 ( Jin-kyu Kang ),손대호 ( Dae-ho Son ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),황대규 ( Dae-kue Hwang ),성시준 ( Shi-joon Sung ),양기정 ( Kee-jeong Yang ),김대환 ( Dae-hwan Kim ) 한국공업화학회 2017 공업화학전망 Vol.20 No.2
태양전지는 온실 가스 감축에 효과가 큰 기후 변화 대응 기술이다. 현재 상업화에 성공한 실리콘 태양전지의 뒤를 이어 박막 태양전지, 페로브스카이트 태양전지 등 차세대 태양전지가 가격과 효율 등을 극복하기 위하여 매우 많이 연구되고 있다. CZT(S,Se) 박막 태양전지는 차세대 태양전지의 유력 후보군인 CIGS, CdTe, 페로브스카이트 태양전지 등에 비해 범용 무독성 원소를 광흡수층으로 사용한다는 장점을 가지고 있지만 아직까지는 이들보다 효율이 낮아 상용화하기에는 많은 문제를 가지고 있다. CZT(S,Se) 박막태양전지의 기본적인 물성, 공정 등을 알아보고 고효율을 달성하는 방법에 대하여 알아보고자 한다.
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