스마트폰 환경에서 응용 보안을 위한 플랫폼 독립적인 보안 프레임워크

최대선(Dae Sun Choi),김승현(Seunghyun Kim),진승헌(Seunghun Jin),이윤호(Younho Lee) 한국정보과학회 2012 정보과학회논문지 : 정보통신 Vol.39 No.1

본 연구에서는 스마트폰 환경을 위한 플랫폼 독립적인 보안 프레임워크를 제안한다. 제안 보안 프레임워크는 이전의 방법과는 달리 사용되는 플랫폼 및 사용 브라우저와 관계없이 인증서, 비밀키 관리, 서명 등의 보안 기능을 제공한다. 또한, PAKE(Password Authenticated Key Exchange)[1] 등을 통하여 외부와의 보안연결(Security Association) 설정이 가능하며, 이를 통하여 URL spoofing 등의 공격을 막을 수 있는 효과가 존재한다. This paper proposes a new platform-independent security framework for smartphone environment. The proposed framework can be used on any platform and web-browser in order to support certificate operations, secret key management, and cryptographic operations such as digital signing. Based on PAKE [1], it can prevent URL spoofing attacks by making security association between the proposed framework and the external web servers or applications.

양으로 대전된 PET 박막의 열자극 전류

최대선(Dae Sun Choi) 강원대학교 기초과학연구소 1984 기초과학연구 Vol.1 No.-

TSC curve from alkaline metal ion injected PET using liquid contact method show two peaks at about 350 k(peak A) and 380 K(peak B). peak A is found to be due to permanent dipole alignment and peak B due to ionic space charge polarization. Activation energy and escape frequency for peak B is found to be (2.54 ± 0. 21) aV and (4. 17 ± 0. 16)×10³² sec^-1 repectively, And equilibrium polarization surface charge density(??eq) is found to be about 5.4×10^-10 C/ ㎝ at 300V of injection voltage from curve fitting experimental results to theoretical values. The radius of bydrated ions is found to play an important role in ion injection process.

다층 퍼셉트론(Multi-layer Perceptron)을 이용한 대출 심사 성능 실험

박소희(So-Hee Park),최대선(Dae-Sun Choi) 한국정보과학회 2017 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.2017 No.06

표면 분석용 Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (CAICISS) 장치의 제작과 특성

김기석(Ki-Seog Kim),김용욱(Yong-Wook Kim),박노길(No-Gill Park),정광호(Kwang-Ho Jeong),황정남(Chung-Nam Whang),김성수(Sung-Soo Kim),윤희중(Hee-Jung Yun),최대선(Dae-Sun Choi) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1

표면 분석용 CAICISS 장치를 제작하고, He^+과 Li^+이온을 사용하여 장치의 특성을 조사하였다. 장치 분해능의 평가기준으로 이용할 수 있는 △T를 정의하고 Li^+ 이온을 사용했을 경우와 비교한 결과, He^+ 이온의 경우 △T/T=0.034, Li^+ 이온의 경우 △T/T=0.04로서, Li^+ 이온의 경우가 분해능이 약간 떨어짐을 알았다. 그리고 Ta, Al 표적시료에 대한 실험결과를 보정함수를 이용하여 계산값과 비교한 결과 잘 일치함을 확인하였고, 보정함수는 입사이온의 에너지와 표적원자의 질량에는 무관하고, 실험조건에만 의존함을 알았다. 또한 Si(100) 표면에 He^+ 이온을 입사하여 입사각에 따른 산란강도 분포 스펙트럼으로부터 CAICISS 장치로 표면 1~4 원자층의 Si 원자에 대한 기하학적인 배열을 확인하였다. CAICISS system for surface analysis is constructed, and characteristics of our system are investigated using He^+ ion and Li^+ ion. We defined the △T which can be used to estimate the resolution of this system, and compared the value for the case using He^+ and that using Li^+. As a result, the △T/T is 0.034 and 0.04 for He^+ and Li^+, respectively. We also confirmed that the results of experiment for Ta, Al target atom agree well with these calculated values using a correction function, and the correction function is found to be independent of the energy of incident ion and the mass of target atom, but dependent of the experimental conditions. And we investigated the geometric structure of Si atoms from the angular scan curve for the Si(100) surface.

이온주입이 금속의 일함수에 미치는 영향(Ⅰ)

김현경,강석태,황정남,이철주,최대선,정병두 연세대학교 자연과학연구소 1984 學術論文集 Vol.13 No.-

이온 주입이 일함수 차이에 미치는 영향을 연구하기 위하여 낮은 에너지 이온 가속기, 전자총과 기타 일함수 차이를 측정하기 위한 장치를 설계, 제작하였다. 제작된 이온 가속기의 집속 특성은 이론적인 값과 일치하였다. 즉, 집속 렌즈의 확대율이 이론값은 2.0인데 비하여 1.2로 상당히 작은 값이었다. 또한 집속 렌즈의 전압 V_L과 추출 전압 V_e에 의한 집속 특성 역시 이론값과 매우 잘 일치하였다 . 제작된 장치를 사용하여 다결정 Cu와 Ni의 일함수 차이를 측정한 결과 0.45eV임을 알았다. 그리고 전자선을 이용하여 억제 전위차로 일함수를 측정할때 입사 전자의 반사율을 고려해야 함을 알았다. Low energy ion accelerator, electron gun, and apparatus for measuring work function difference are designed and constructed in order to study the effect of ion implantation on the work function. The focusing properties of accelerator is coincided with theoretical results; the magnification of Einzel lens is found to be 1.2, while theoretical value is 2.0, and the focal properties as a function of V_L/V_e are in good agreement with theory. Using these systems, the work function difference between polycrystalline Cu and Ni is found to be 0.45eV, and the experimental retarding potential plots indicate close agreement with the theoretical values modified by electron reflection.

이온 주입이 금속의 일함수에 미치는 영향(Ⅱ)

백영환,김현경,강석태,황정남,이철주,최대선,정병두 연세대학교 자연과학연구소 1985 學術論文集 Vol.15 No.-

낮은 에너지 가속기를 제작하여 순도가 99.99%인 다결정 Ni에 Li^+ 이온을 7 keV의 에너지로 각 시료에 대한 이온주입율이 1.3×10^16atoms/㎠, 4.0×10^15atoms/㎠, 2.0×10^15atoms/㎠, 1.0×10^15atoms/㎠, 2.0×10^14atoms/㎠ 가 되도록 주입시킨 후 전자총과 억제 전위차형 에너지 분석기를 이용하여 일함수의 변화를 측정하였다. 이온 주입율이 2×10^15atoms/㎠보다 작을 때는 일함수가 1.9 eV까지 감소하였고 이온주입율이 4.0×10^15atoms/㎠보다 많을 때는 일함수가 2.8 eV까지 증가하였다. 이것은 Topping의 이론 및 Bauer의 실험결과와 일치함을 보였다. The changes in the work function of polycrystalline Ni with a purity of 99.99% due to Li^+ ions implanted using a low energy ion accelerator and retarding potential energy analyser(RPEA) have been studied. The implantation energy of the Li^+ ions is 7 keV and the implanted ion dose for the various samples are 1.3×10^16 atoms/㎠, 4.0×10^15 atoms/㎠, 2.0×10^15 atoms/㎠, 1.0×10^15 atoms/㎠ and 2.0×10^14 atoms/㎠. When the ion dose is less than 2×10^15 atoms/㎠ the, work function decreases to 1.9 eV, but when the ion dose is more than 4×10^15 atoms/㎠, the work function increses to 2.8 eV. These results are in good agreement with Topping's theory and Bauer's experiment.

전자선 조사방법을 이용한 PET박막의 전하분포 측정

이철주,박영우,최대선 연세대학교 자연과학연구소 1983 學術論文集 Vol.11 No.-

전자선의 입사에너지를 단계적으로 증가시키면서 PET박막에 주입된 전자에 의한 전하 분포를 측정하였다. 가상전극의 위치는 실제 전자 위치보다 1.3~2배나 더 깊게 위치하여 있었으며, recall시간은 2~5분 정도가 적당함을 알았다. 5 keV의 전자선을 조사시켰을 때 음전하가 0.2~1μm영역에 분포되어 있었고 0.2μm이하에서는 2차 이온 발생에 의해 양전하가 분포됨을 알았다. The spatial charge distribution in 25㎛ PET film was investigated increasing stepwisely the incident energy of electron using small accelerator. The location of virtual electrode was found to be deeper by a factor of 1.3∼2 than real electron penetration range, which means that the tail of conduction profile is extended more deeper than real charge location. The adequate recall time was found to be 2∼5min. The negative charge in 5 keV electron beam irradiated PET film were distributed in the region from 0.2㎛ to 1㎛, and unexpected positive charge were distributed in the region less than 0.2㎛ due to secondary ion production.

A Study on the Direct Generation of Electricity from Sea Water Using Surface Excitation and Photodissociative Ionization

Lee, Chul Chu,Chung, Won Mo,Whang, Chung Nam,Choi, Dae Sun,Cho, Seong Jin,Kim, Hyun Kyong 연세대학교 자연과학연구소 1980 學術論文集 Vol.6 No.-

해수 및 순수한 물이 고온의 금속표면에 닿을 때, 발생된 양이온 전류의 크기는 금속표면의 온도가 높을수록, 염수의 농도가 증가할수록 전류의 크기가 증가하였고, 금속의 일함수가 클수록 증가함을 보아 전하분리현상이 표면이온화 작용에 의한 것임을 확인하였다. 과열증기 발생장치를 사용하였을 경우 이온전류는 실온에서 물방울을 사용하였을 경우보다 2×10^2배나 증가하였고, 백색광을 사용하였을 경우 이온전류가 30%나 증가함을 보아 이온화 및 표면여기 현상이 동시에 발생됨을 알았다. The ionization produced from pure and saline water (3%, 5% and 10%) impinging on heated metals (such as Cu, Ag, Pt, Mo and Ta) over a range of metal temperatures from 300℃ to 700℃ has been investigated. The magnitude of the positive ion current from the water vapour has been found in general to increase with the temperature of the metal, the concentration of the salt, and also with the work function of the metal. When superheated steam (400℃) was used, the current was larger by a factor of 2×10^2 than for water drops at room temperature, and irradiation by white light caused a further increase of more than 30%.

Ion Implantation과 Ion Plating법으로 제작한 반도체 태양 전지 및 방사선검출기의 물리적 성질과 그 응용에 관한 연구(Ⅰ)

강영희,황정남,고년규,정원모,이철주,최대선 연세대학교 자연과학연구소 1983 學術論文集 Vol.11 No.-

본 연구에 사용된 ISFET는 p형 Si기판에 n-channel transistor를 TO-5 10 pin에 부착시키고, 표준적극으로는 Ag/AgCl을 사용하였으며, gate SiO_2층에는 Si_3N_4를 증착시킨 것이다. 이 ISFET의 I-V특성곡선은 drain에 걸어준 전압이 1V 이하에서는 I_D가 ??V_D에 비례하였으나, 1.4V이상에서는 I_D가 포화되었다. pH가 증가함에 따라 I_D는 감소하였으며, LiCl을 완충용액에서 반응시켰을때 LiCl의 몰수가 증가함에 따라 I_D가 증가되었으며, pH 10.5용액에 대한 ISFET의 반응시간은 0.5초이었다. An n-channel ISFET, with Si_3N_4 layer deposited on top of the gate insulator and an Ag/AgCI reference electrode, was attached to a TO-5 10 pin header. The I-V characteristics of the ISFET was found to be a square root function varying with the gate voltage. Within 1V of the drain voltage, the drain current I_D is proportional to the square root of the drain voltage V_D. When drain voltage was more than 1.4V, the drain current I_D was saturated. The drain current I_D decreased with increasing pH. However I_D increased with increasing concentration of the LiCI dissolved in the buffered solution and the ISFET has a response time of about 0.5 seconds.