Study on the post-treatment process based on thermal shock to control the carrier concentration of metal oxide semiconductors = 금속산화물 반도체의 캐리어 농도 조절을 위한 열충격 기반 후처리 공정 연구

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 금속 산화물 반도체의 캐리어 농도를 조절하는 방법으로 열충격을 이용한 후처리 방법을 제안했다. 연구에서 사용한 금속 산화물로는 Indium tin oxide, Indium oxide, Tin oxide, Zinc oxide, Indium gallium oxide 가 있다. 열충격 및 급랭, 패시베이션에 따른 금속 산화물 박막의 저항 변화 관찰을 통해 열충격의 효과를 확인하였으며, 패시베이션에 의한 산소 공공 농도의 안정화로 금속 산화물 박막의 저항을 용이하게 제어할 수 있음을 확인하였다. 또한 X-선 회절분석기, X선 광전자 분광을 이용한 결정도, 화학 조성 분석과 투과도 측정을 통해 열충격에 의해 금속 산화물 내 산소 공공의 농도가 증가한다는 것을 알 수 있었다. 이 결과로부터 본 연구에서 제안한 열충격 후처리 방법이 금속산화물 반도체 산업에 활용되는 것을 기대할 수 있다

목차 (Table of Contents)

• 1. 연구 배경 1
• 2. 실험 방법 및 재료 4
• 2.1 졸-겔 재료준비 4
• 2.2 박막 증착 5
• 2.3 측정 장비 7
• 3. 결과 및 토의 8
• 3.1 전류변화 측정 8
• 3.2 물질 분석 15
• 3.3 메커니즘 25
• 3.4 플레시 라이트 28
• 3.5 다양한 MO 30
• 3.6 TFT 적용 33
• 4. 결론 39
• 참고문헌 41