Si-In₂O₃n-n Heterojunction의 電氣的 光學的 特性에 關한 硏究

국문 초록 (Abstract)

Si-In_(2)O_(3) n-n Heterojunction은 Si-Single Crystal Wafer의 (111)面에 In_(2)O_(3) (SnO_(2) 5wt%)powder를 ∼10^(-5) ㎜Hg 眞空에서 flash 蒸發시킨 後, 空氣中에서 250℃로 30分間 □處理하여 In_(2)O_(3)薄膜을 成長시켜 만들었다.
本 論文에서는 이 n-n Heterojungtion의 物性을 究明하기 爲하여 In_(2)O_(3) 薄膜과 Si-In_(2)O_(3) n-n Heterojunction의 光學的, 電氣的 特性을 測定하여 energy band profile를 作成하고 아울러 轉流轉送防備를 究明하였다.
그리고 이 Heterojunction은 300㎚로부터 1100㎚까지의 太陽光 spectrum의 넓은 領域에 걸쳐 좋은 感度를 나타내기 때문에 光電素子로서의 效率을 檢討하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The photovoltaic elements of Si-In_(2)O_(3) n-n heterojunction are fabricated by flash-evaporating In_(2)O_(3)(SnO_(2) 5wt %) powder on the(1 1 1) face of Si single crystal wafer in a vacuum of 10^(-5)mmHg and by heat treatment for 30 minutes at 250℃ in air.
The characteristic properties of In_(2)O_(3) thin film atone and of Si-In_(2)O_(3) n-n heterojunction are studied through optical and electrical measurements and the energy band profile of the n-n wide to narrow energy band heterojunction is also determined.
The samples show a good photovoltaic response over a solar spectral range of 300nm to 1100nm and its photovoltaic conversion efficiency is calculated to be 10.4 %.

목차 (Table of Contents)

• 목차 = 1
• 記號說明 = 5
• 1. 緖論 = 6
• 2. Heterojunction에 關한 理論的考察 = 7
• 2-1. Energy Band Model = 7
• 2-2. 擴散電位와 接合容量과의 關係 = 9
• 2-3. 電流-電壓 特性 = 9
• 2-4. 光起電力 特性 = 11
• 3. 實驗 = 12
• 3-1. In_(2)O_(3) 薄膜 製作 = 12
• 3-2. Si-In_(2)O_(3) n-n heterojunction 製作 = 13
• 3-3. 特性測定 方法 = 13
• (A) In_(2)O_(3) 薄膜의 X-Ray 回折무늬 및 Crystal size 測定 = 13
• (B) In_(2)O_(3) 薄膜의 ρ, μ, η 測定 = 14
• (C) In_(2)O_(3) 薄膜의 光學的 特性 = 15
• (D) Si-In_(2)O_(3) n-n heterojunction의 V-I 및 V-C 特性 測定 = 15
• (E) 光起電力 特性 特定 = 15
• 4. 實驗結果와 考察 = 15
• 4-1. In_(2)O_(3) 薄膜의 構造 = 15
• 4-2. In_(2)O_(3) 薄膜의 電氣的 特性 = 16
• 4-3. In_(2)O_(3) 薄膜의 光學的 特性 = 17
• 4-4. Si-In_(2)O_(3) n-n heterojunction의 電壓-電流 特性 = 17
• 4-5. Si-In_(2)O_(3) n-n Heterojunction의 電壓 容量 特性 = 18
• 4-6. Si-In_(2)O_(3) n-n Heterojunction의 光起電力 特性 = 18
• 4-7. Si-In_(2)O_(3) n-n Heterojunction의 Energy Band profile = 20
• 5. 結論 = 21
• REFERENCES = 23