4 차 산업혁명 시대를 맞이하여 차세대 전자기기는 다기능화, 소형화, 유연화 및
경량화 되고 있으며, 이에 따라, 전자부품 역시, 소형화, 정밀화 되어 고집적화된
형태로 전자기기에 적용...
4 차 산업혁명 시대를 맞이하여 차세대 전자기기는 다기능화, 소형화, 유연화 및
경량화 되고 있으며, 이에 따라, 전자부품 역시, 소형화, 정밀화 되어 고집적화된
형태로 전자기기에 적용되고 있다. 따라서 반도체를 포함하는 전자부품을 기판과
결합하는 솔더 페이스트 접합소재 또한 미세 사이즈 부품, 정밀한 인쇄 기술, 복잡한
패턴 등에 대응하기 위해, 높은 수준의 물성이 요구되고 있다. 솔더 분말의 입자
사이즈도 점진적으로 미분화 되고 있으며, 현재 범용적으로 사용되고 있는Type 4(입경
분포: 20 ~ 28µm) 솔더 분말에서 더 미세 사이즈인 Type 7(입경 분포: 2 ~ 11µm), 심지어
Type 8(입경 분포: 2 ~ 8µm) 솔더 분말로 제조 및 분급 기술이 발전하고 있다.
전자기기의 사용 및 그로 인한 발열 현상은 솔더 접합부와 PCB(특히, Cu) 기판
내부에서의 금속 이온 확산을 유발하며, 그에 따라, 솔더/Cu 접합 계면에서
금속간화합물(Intermetallic Compound, IMC)의 형성과 성장이 촉진된다. 이러한 IMC
층은 본질적으로 취성이 높아, 기기 사용 중 발생하는 진동, 충격 등의 외부
스트레스에 의해 크랙, 파단과 같은 고장을 유발시킬 수 있기 때문에, 접합 계면에
형성되는 IMC층의 성장을 억제하여 신뢰성을 확보하는 것이 매우 중요하다.
본 연구에서는 솔더/Cu 접합 계면에서의 접합 신뢰성을 향상시키기 위해
Sn3.0%Ag0.5%Cu(SAC305) 솔더 분말 기반의 페이스트에 Graphene Oxide(GO) 나노
입자를 도입하여, IMC 층의 성장을 억제하는 연구를 수행하였다. 솔더 페이스트에 GO
나노 입자를 도입하기 위한 물리적, 화학적 혼성 방법에 대해 탐색하였으며,
TEM(Transmission Electron Microscope), SEM(Scanning Electron Microscope)을 활용하여
표면 관찰 및 원소 분석을 수행하였다. 또한, Zeta-Potential 분석을 통해 표면 전하
측정함으로써 화학적 부착법의 최적 조성을 도출하였다. 최종적으로, SAC305 솔더
분말과 GO 를 정전기적 인력을 통해 부착하는 방식으로 혼성화하여 SAC305-GO 복합
솔더 분말 제조 방식을 GO 도입을 위한 최적의 방법으로 선정하였다.
SAC305-GO 복합 솔더 분말을 적용하여 Type 7 솔더 페이스트 제조 후, Cu 기판
위에 솔더링하여 준비된 솔더/기판 접합 시편을 고온/고습(85℃/85%RH) 가속
환경에서 420시간 동안 IMC 성장을 유도하고 그 두께를 측정한 결과, GO를 함유하지
않은 시편의 IMC 층 두께는 1.53 ㎛로 측정된 반면, GO 가 솔더 분말
대비 0.005wt% 함량으로 첨가된 SAC305-GO 복합 솔더 분말이 적용된 페이스트
시편에서는 IMC 층 두께가 0.95 ㎛로, 가속 환경에서 GO 가 함유된 접합부의 IMC
층의 성장이 약 37.9% 억제되는 것을 확인하였다. 추가적으로 결정립의 크기를 장축
기준으로 분석한 결과, 약 3.217μm 에서 0.005wt%의 GO 가 첨가된 시편에서는
1.722μm 로 측정되어 약 46.45%의 결정립 크기 감소가 이루어졌음을 확인하였다.
또한, 칩 저항기((L)3.2㎜x(W)1.6㎜x(H)0.55㎜)를 PCB(Printed Circuit Board) 기판에
접합하여 제조한 시편을 150℃에서 300 시간 동안 등온 시효(Isothermal Aging)
처리하여 IMC 성장을 유도한 후, 시편의 전단접착 강도(Shear Strength)를 측정한 결과,
GO를 함유하지 않은 시편에서 약 10.207%의 전단접착강도 감소가 발생한 반면, GO가
솔더 분말 대비 0.005wt% 함량으로 첨가된 SAC305-GO 복합 솔더 분말이 적용된
페이스트 시편에서는 전단 접착 강도 감소가 약 3.054%에 그쳐, GO 의 첨가가 기계적
물성 저하를 완화함을 확인하였다.
이러한 결과는 금속 결정립계 내부 GO 나노입자가 외부 열에너지에 의한 결정립
성장을 방해하여 약 46.45%의 결정립 크기 감소를 유도하였으며, Sn/Cu 계면에서
Sn 의 이동을 방해함으로써 IMC 층의 성장을 약 37.9% 억제한 것을 나타낸다. 이는
결과적으로 금속의 열 피로에 의한 강도 저하의 폭을 약 7.153% 낮추고, 기계적
강도를 향상시키는 역할을 한 것으로 판단된다.