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Radiation-Induced Modifications of the Electrical Characteristics of Nanocrystal Memory Cells and Arrays
Gasperin, A., Cester, A., Wrachien, N., Paccagnell IEEE; 1999 2006 IEEE transactions on nuclear science Vol.53 No.6
Impact of 24-GeV Proton Irradiation on 0.13-mum CMOS Devices
Gerardin, S., Gasperin, A., Cester, A., Paccagnell IEEE; 1999 2006 IEEE transactions on nuclear science Vol.53 No.4
Impact of Heavy-Ion Strikes on Nanocrystal Non Volatile Memory Cell Arrays
Cester, A., Gasperin, A., Wrachien, N., Paccagnell IEEE; 1999 2006 IEEE transactions on nuclear science Vol.53 No.6
Annealing of Heavy-Ion Induced Floating Gate Errors: LET and Feature Size Dependence
Bagatin, M., Gerardin, S., Cellere, G., Paccagnell IEEE; 1999 2010 IEEE transactions on nuclear science Vol.57 No.4
Can Atmospheric Neutrons Induce Soft Errors in nand Floating Gate Memories?
Cellere, G., Gerardin, S., Bagatin, M., Paccagnell IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2009 IEEE electron device letters Vol.30 No.2
Effects of Heavy-Ion Strikes on Fully Depleted SOI MOSFETs With Ultra-Thin Gate Oxide and Different Strain-Inducing Techniques
Griffoni, A., Gerardin, S., Cester, A., Paccagnell IEEE; 1999 2007 IEEE transactions on nuclear science Vol.54 No.6
Key Contributions to the Cross Section of NAND Flash Memories Irradiated With Heavy Ions
Bagatin, M., Gerardin, S., Cellere, G., Paccagnell IEEE; 1999 2008 IEEE transactions on nuclear science Vol.55 No.6
Radiation Tolerance of Nanocrystal-Based Flash Memory Arrays Against Heavy Ion Irradiation
Cester, A., Wrachien, N., Gasperin, A., Paccagnell IEEE; 1999 2007 IEEE transactions on nuclear science Vol.54 No.6
TID Sensitivity of NAND Flash Memory Building Blocks
Bagatin, M., Cellere, G., Gerardin, S., Paccagnell IEEE; 1999 2009 IEEE transactions on nuclear science Vol.56 No.4
1GigaRad TID impact on 28 nm HEP analog circuits
Resta, F., Gerardin, S., Mattiazzo, S., Paccagnell Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2018 INTEGRATION -AMSTERDAM- Vol.63 No.-
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