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이 학술지의 논문 검색
Single-Event Transients in Bipolar Linear Integrated Circuits
Buchner, S.; McMorrow, D. IEEE; 1999 2006 p.3079-3102
Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies
Barnaby, H. J. IEEE; 1999 2006 p.3103-3121
Effects of Angle of Incidence on Proton and Neutron-Induced Single-Event Latchup
Schwank, J. R.; Shaneyfelt, M. R.; Baggio, J.; Dodd, P. E.; Felix, J. A.; Ferlet-Cavrois, V.; Paillet, P.; Lum, G. K.; Girard, S.; Blackmore, E. IEEE; 1999 2006 p.3122-3131
Implications of Characterization Temperature on Hardness Assurance Qualification
Shaneyfelt, M. R.; Schwank, J. R.; Dodd, P. E.; Hash, G. L.; Paillet, P.; Felix, J. A.; Baggio, J.; Ferlet-Cavrois, V. IEEE; 1999 2006 p.3132-3138
A Statistical Technique to Measure the Proportion of MBU's in SEE Testing
Chugg, A. M.; Moutrie, M. J.; Burnell, A. J.; Jones, R. IEEE; 1999 2006 p.3139-3144
Characterization of Single-Event Burnout in Power MOSFET Using Backside Laser Testing
Miller, F.; Luu, A.; Prud homme, F.; Poirot, P.; Gaillard, R.; Buard, N.; Carriere, T. IEEE; 1999 2006 p.3145-3152
SEL Induced Latent Damage, Testing, and Evaluation
Layton, P.; Kniffin, S.; Guertin, S.; Swift, G.; Buchner, S. IEEE; 1999 2006 p.3153-3157
Total Ionizing Dose Effects on Triple-Gate FETs
Gaillardin, M.; Paillet, P.; Ferlet-Cavrois, V.; Faynot, O.; Jahan, C.; Cristoloveanu, S. IEEE; 1999 2006 p.3158-3165
An Investigation of Dose Rate and Source Dependent Effects in 200 GHz SiGe HBTs
Sutton, A. K.; Prakash, A. P. G.; Jun, B.; Zhao, E.; Bellini, M.; Pellish, J.; Diestelhorst, R. M.; Carts, M. A.; Phan, A.; Ladbury, R. IEEE; 1999 2006 p.3166-3174
The Effects of Irradiation Temperature on the Proton Response of SiGe HBTs
Prakash, A. P. G.; Sutton, A. K.; Diestelhorst, R. M.; Espinel, G.; Andrews, J.; Jun, B.; Cressler, J. D.; Marshall, P. W.; Marshall, C. J. IEEE; 1999 2006 p.3175-3181
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