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질소이온 주입에 의한 Al의 재결정화 및 AlN의 형성에 관한 연구
조성진(S.J. Cho),최점수(J.S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.2
진공증착된 Al 다결정 박막에 질소이온을 25 keV-50 keV, 1×10¹⁴-2×10^(17)ions/㎠로 주입하여 박막의 결정구조와 nitride의 형성을 TEM으로 측정하였다. N₂^+ 이온을 에너지 25keV, dose 1×10¹⁴ions/㎠로 주입하면 fcc 구조의 Al 결정이 관찰되며, 40keV 이상의 에너지로 2×10^(17)ions/㎠ 이상 주입하면 AlN이 형성됨을 확인하였다. N₂^+ ions were bombarded onto films at room temperature to a dose of 2×10^(17)ions/㎠ (with energy 25-50 keV). The formation of nitride and ion induced crystallization were investigated by TEM. When the N₂^+ions are implanted with l×10¹⁴ions/㎠ (25keV) on the vacuum deposited Al thin film, the crystallization of the Al film (fcc structure) occured. At higher doses and energies (2×10^(17)ions/㎠, 40 keV) the formation of AlN was observed.
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Energy Exchanges and Inversion Temperatures in Electron Emission at High Fields and Temperatures
정문성(M. S. Chung),김일원(I. W. Kim),최점수(J. S. Choi),박지모(J. M. Park) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
전자방출에서 에너지 교환과 역온도를 새롭게 계산하였다. 전자방출에서 대체전자들에 유용한 빈상태들을 만드는 요소로 터널링 효과를 이 계산에서 고려하였다. 그것은 방출부분에서 일어나는 대체과정을 설명하기 위해서는 빈상태를 만드는데 터널링 기여가 필수적이기 때문이다. 이렇게 계산하여 온도와 전장의 함수로 얻어진 전자당 에너지 교환은 실험결과와 잘 일치하였다. 또한 전장의 함수로 얻어진 역온도도 실험치와 만족할 만한 일치를 보여주었다. 이 결과는 대체전자들의 평균에너지에 대한 노팅햄-플레밍과 헨더슨의 논쟁에서 후자의 견해를 지지하는 것이다. A new calculation of energy exchanges and inversion temperatures in electron emission is presented. In this calculation, we introduce the tunnelling state contribution as a mechanism to vacate levels available for replacement electrons in field emission. It is found that the tunnelling contribution to the availability of vacant states is necessary to explain the replacement process occurring in the emitter region. The net energy exchange △ε per electron obtained as a function of both temperature and field shows much improved agreement with experimental data. The inversion temperature T_i as a function of field is now in good quantitative agreement with existing experimental data. The present results favor the argument of Fleming and Henderson in the Nottingham-Fleming and Henderson controversy concerning the average energy of the replacement electrons.
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