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아날로그 어댑티브 이퀄라이저를 이용한 120-㏈Ω 8-Gb/s CMOS 광 수신기
이동명(Dongmyung Lee),최부영(Booyoung Choi),한정원(Jungwon Han),한건희(Gunhee Han),박성민(Sung Min Park) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.6
트랜스임피던스 증폭기는 전체 광 수신기의 성능을 결정하는 가장 핵심적인 블록으로써 높은 트랜스임피던스 이득과 기가 비트급의 넓은 대역폭을 요구한다. 본 논문에서는 아날로그 어댑티브 이퀄라이저를 이용하여 트랜스임피던스 증폭기의 대역폭을 보상하고, 리미팅 증폭기를 이용하여 전체 트랜스임피던스 이득을 증가 시키는 단일 칩 광 수신기의 아날로그 회로를 제안한다. 0.13㎛ CMOS 공정을 이용하여 설계한 광 수신기는 포스트 레이아웃 시뮬레이션 결과, 120㏈Ω의 트랜스임피던스 이득과 5.88㎓의 대역폭을 갖는다. 수동 인덕터 소자를 사용하는 대신 네거티브 임피던스 컨버터 회로를 적용함으로써 0.088㎟의 매우 작은 칩 사이즈를 갖는다. Transimpedance amplifier(TIA) is the most significant element to determine the performance of the optical receiver, and thus the TIA must satisfy the design requirements of high gain and wide bandwidth. In this paper, we propose a novel single chip optical receiver that exploits an analog adaptive equalizer and a limiting amplifier to enhance the gain and bandwidth performance, respectively. The proposed optical receiver is designed by using a 0.13㎛ CMOS process and its post-layout simulations show 120㏈Ω transimpedance gain and 5.88㎓ bandwidth. The chip core occupies the area of 0.088㎟, due to utilizing the negative impedance converter circuit rather than using on-chip passive inductors.
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서브샘플링 직접변환 수신기용 광대역 증폭기 및 High-Q 대역통과 필터
박정민(Jeongmin Park),윤지숙(Jisook Yun),서미경(Mikyung Seo),한정원(Jungwon Han),최부영(Booyoung Choi),박성민(Sung Min Park) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.11
본 논문에서는 서브샘플링 기법을 이용한 직접변환 수신단에 이용할 수 있는 광대역 증폭기와 높은 Q-factor 값을 가지는 대역통과 필터(BPF) 회로를 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. 광대역 증폭기는 5.4GHz의 대역폭 및 12㏈의 파워이득 특성을 가지며, 대역통과필터는 2.4㎓ Bluetooth 규격에서 동작할 수 있도록 설계하였다. RF 신호가 안테나를 통해 광대역 증폭기와 BPF를 통과한 후의 주파수응답 측정결과를 살펴보면, 2.34㎓에서 18.8㏈의 파워이득과 31㎒의 대역폭을 갖는다. 이는 대역통과 필터의 Q-factor 값이 75로써 매우 높은 선택도(selectivity) 특성을 나타낸다. 또한, 전체 칩은 8.6㏈의 noise-figure 특성과 대역폭 내에서 -12dB 이하의 입력 임피던스 매칭 (S11) 특성을 보이며, 전력소모는 1.8V 단일 전원전압으로부터 64.8㎽ 이고, 칩 면적은 1.0x1.0mm2 이다. In this paper, a cascade of a wideband amplifier and a high-Q bandpass filter (BPF) has been realized in a 0.18㎜ CMOS technology for the applications of subsampling direct-conversion receivers. The wideband amplifier is designed to obtain the -3㏈ bandwidth of 5.4㎓, and the high-Q BPF is designed to select a 2.4㎓ RF signal for the Bluetooth specifications. The measured results demonstrate 18.8dB power gain at 2.34㎓ with 31㎒ bandwidth, corresponding to the quality factor of 75. Also, it shows the noise figure (NF) of 8.6㏈, and the broadband input matching (S11) of less than -12㏈ within the bandwidth. The whole chip dissipates 64.8㎽ from a single 1.8V supply and occupies the area of 1.0x1.0mm2.
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서브샘플링 직접변환 수신기용 5.3㎓ 광대역 저잡음 증폭기
박정민(Jeongmin Park),서미경(Mikyung Seo),윤지숙(Jisook Yun),최부영(Booyoung Choi),한정원(Jungwon Han),박성민(Sung Min Park) 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.44 No.12
본 논문에서는 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 서브샘플링 직접변환방식 RF 수신기용을 위한 광대역 저잡음 증폭기를 구현하였다. 인버터-형태의 트랜스임피던스 입력단과 3차의 Chebyshev 매칭네트워크를 사용함으로써, 제안한 광대역 저잡음 증폭기 회로는 5.35㎓의 대역폭, 12~18㏈의 전력이득, 6.9~10.8㏈의 NF, 대역폭 내에서의 -10㏈ 이하의 입력 임피던스 매칭과 -24㏈ 이하의 출력 임피던스 매칭을 얻었다. 제작한 칩은 1.8V 단일 전원전압으로부터 32.4mW의 전력소모를 가지며, 0.56 x 1.0 ㎟의 칩 사이즈를 갖는다. In this paper, a wideband low-noise amplifier (LNA) has been realized in a 0.18mm CMOS technology for the applications of subsampling direct-conversion RF receivers. By exploiting the inverter-type transimpedance input stage with a 3rd-order Chebyshev matching network, the wideband LNA demonstrates the measured results of the -3㏈ bandwidth of 5.35㎓, the power gain (S21) of 12~18㏈, the noise figure (NF) of 6.9~10.8㏈, and the broa㏈and input/output impedance matching of less than -10㏈/-24㏈ within the bandwidth, respectively. The chip dissipates 32.4mW from a single 1.8V supply, and occupies the area of 0.56x1.0 ㎟.
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