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천연광물을 이용한 황철석 표면 코팅을 통한 폐광산 산성배수 저감 기술 개발
윤현식(Hyun-Shik Yun),지은도(Eun Do Gee),지민규(Min Kyu Ji),이우람(Woo Ram Lee),양중석(Jung-Seok Yang),박영태(Young-Tae Park),권현호(Hyun-ho Kwon),지원현(Won-Hyun Ji),김기준(Kijoon Kim),전병훈(Byong-Hun Jeon),최재영(Jaeyoung Choi) 한국지반환경공학회 2011 한국지반환경공학회논문집 Vol.12 No.2
본 연구에서는 폐광산의 산성광산배수(Acid Mine Drainage, AMD)의 발생을 억제하기 위해 산성광산배수의 주원인인 황철석 표면을 천연광물 및 시멘트를 사용하여 화학적으로 코팅하여 산성광산배수의 문제를 해결하고자 한다. 표면 코팅에 필요한 철이온의 생성을 위해 먼저 산화제 H₂O₂, NaClO 를 이용하여 표준황철석, 영동탄광, 신림광산 시료의 표면을 산화시켰다. 그리고 천연광물(인회석(Apatite), 석회석(Limestone), 망간광(Mangnite), 돌로마이트(Dolomite), 벤토나이트(Bentonite), 시멘트(Cement))를 이용하여 발생된 철이온과 천연광물의 이온을 결합시켜 표면 코팅을 진행하였다. 그 결과 시멘트와 시료의 양을 1:1로 이용하고 4일 이상 진행하였을 때 위의 실험조건에서 가장 효과적으로 황철석의 표면을 코팅하여 SO₄<SUP>2-</SUP>의 발생이 억제되었다. In this study, the effect of surface coating on iron-sulfide mineral for preventing the product acid mine drainage(AMD) was progressed by oxidation process of sulfide minerals abandoned mine Area. Three abandoned mines, Yongdong coal mine, Sil Lim mine, and Il Koang mine were selected as a sulfide mineral resource due to higher contamination rate. Six coating agents, apatite, limestone, mangnite, dolomite, bentonite, and cement were used for preventing the AMD with H₂O₂ and NaClO as a oxidizing agent helping for oxidizing process on sulfide minerals. Experimental results showed that sulfide mineral surface was coated effectively. Cement has a higher ability of preventing AMD when the ratio of cement to mineralis 1:1 and experimental condition is maintaining 4Days.
AFTL: Hot Data 검출기를 이용한 적응형 플래시 전환 계층
윤현식(Hyun-Sik Yun),주영도(Young Do Joo),이동호(Dong-Ho Lee) 한국정보과학회 2008 정보과학회논문지 : 시스템 및 이론 Vol.35 No.1·2
최근 NAND 플래시 메모리는 빠른 접근속도, 저 전력 소모, 높은 내구성, 작은 부피, 가벼운 무게 등으로 차세대 대용량 저장 매체로 각광 받고 있다. 그러나 이런 플래시 메모리는 데이타를 기록하기 전에 기존의 데이타 영역이 지워져 있어야 한다는 제약이 있으며, 비대칭적인 읽기, 쓰기, 삭제 연산의 처리속도, 각 블록당 최대 소거 횟수 제한과 같은 특징들을 지닌다. 위와 같은 단점을 극복하고 NAND플래시 메모리를 효율적으로 사용하기 위하여, 다양한 플래시 전환 계층 제안되어 왔다. 그러나 기존의 플래시 전환 계층들은 Hot data라 불리는 빈번히 접근되는 데이타에 의해서 잦은 겹쳐쓰기 요구가 발생되며, 이는 급격한 성능 저하를 가져 온다. 본 논문에서는 Hot data 검출기를 이용하여, 매우 적은 양의 데이타인 Hot data를 검출한 후, 검출된 Hot data는 섹터사상 기법을 적용시키고, 나머지 데이타인 Cold data는 로그 기반 블록 사상 기법을 적용시키는 적응형 플래시 전환 계층(AFTL)을 제안한다. AFTL은 불필요한 삭제, 쓰기, 읽기 연산을 최소화시켰으며, 기존의 플래시 전환 계층과의 비교 측정을 통하여 성능의 우수성을 보인다. NAND Flash memory has been growing popular storage device for the last years because of its low power consumption, fast access speed, shock resistance and light weight properties. However, it has the distinct characteristics such as erase-before-write architecture, asymmetric read/write/erase speed, and the limitation on the number of erasure per block. Due to these limitations, various Flash Translation Layers (FTLs) have been proposed to effectively use NAND flash memory. The systems that adopted the conventional FTL may result in severe performance degradation by the hot data which are frequently requested data for overwrite in the same logical address. In this paper, we propose a novel FTL algorithm called Adaptive Flash Translation Layer (AFTL) which uses sector mapping method for hot data and log-based block mapping method for cold data. Our system removes the redundant write operations and the erase operations by the separating hot data from cold data. Moreover, the read performance is enhanced according to sector translation that tends to use a few read operations. A series of experiments was organized to inspect the performance of the proposed method, and they show very impressive results.
임성훈,윤현식,유제황,문종현,박규창,장진,문병연,Lim Sung Hoon,Yun Hyun Sik,Ryu Je Hwang,Moon Jong Hyun,Park Kyu Chang,Jang Jin,Moon Byeong Yeon 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.4
본 연구는 실리콘 질화막 박막을 덮개층으로 사용하여 탄소나노튜브를 성장하고, 성장된 나노튜브의 전자방출특성을 조사하였다. 탄소 나노튜브는 triode PE-CVD 장치에 의해 성장되었으며, 탄소나노튜브의 밀도는 실리콘 질화막의 두께에 따라 크게 변하였다. 탄소 나노튜브의 밀도가 $10^{4}$/$cm^{2}$에서 전자방출 특성이 가장 우수하였으며, 이때 전자방출특성은 문턱전계 1.2 V/$\mu$m, 전류밀도는 3.6 V/$\mu$n의 전기장에서 0.17 mA/$cm^{2}$으로 측정 되었다. 또한, 진공 챔버에서 질소($N_{2}$) 분위기 하에서 전자방출 안정성을 조사하였으며, 탄소나노튜브의 밀도가 감소함에 따라 전자방출 안정성이 향상되었고, 탄소나노튜브의 밀도가 $10^{4}$/$cm^{2}$ 인 경우 $1\times10^{-4}$ A/$cm^{2}$ 이상의 전류가 흐르는 특성을 보였으며, 이 경우 $1\times$$10^{-5}$ Torr의 압력하에서 방출 전류의 안정도는 최소인 $2\%$를 유지하였다. We report on the field emission properties from vertically aligned carbon nanotubes (CNTs) produced by a triode PECVD with a SiNx capping layer on metal catalyst. It is found that the CNTs density can be controlled by the capping layer thickness and decreases with increasing SiNx thickness. The CNT density of $\~$ 104/$cm^{2}$ exhibited highest electron emission characteristics, the threshold field of 1.2 V/$\mu$m and the current density of 0.17 mA/$cm^{2}$ at 3.6 V/$\mu$m. We have carried out investigation of electron emission stability under ambient gas of N2. The electron emission stability was improved with decreasing CNT density. Under $1\times$$10^{-5}$ Torr ambient pressure, the CNTs in 5 $\mu$m hole show electron emission current higher than $1\times$$10^{-4}$ A/cm2 and it's electron emission uniformity has $2\%$.