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Characteristics of Silver Ion - Exchanged Glass Waveguides at 633 ㎚ and 1.5㎛
유건호(Keon-Ho Yoo) 한국광학회 1992 한국광학회지 Vol.3 No.3
은 이온 교환법으로 만든 유리 도파로는 표면 굴절율 차가 크고 도파로 깊이가 얕기 때문에, 반도체 박막 이식법을 이용한 반도체 소자와 유리 도파로의 혼성 집적에 사용되기에 적합하다. 이 논문은 묽게한 질산화은 용액에서 이온 교환으로 만들어진 평면 및 채널 유리 도파로의 가시광선 및 적외선 파장 영역에서의 특성을 보고한다. 특히, 광통신에 중요한 파장인 1.5㎛에서의 단일 모우드 채널 도파로의 제작 조건을 결정하였다. 또한 여러가지 다른 구성 형태의 방향성 결합기가 제작되어, 파장과 편광 방향에 따른 3 ㏈ 결합 길이가 결정되었다. Silver ion-exchanged glass waveguide with its large surface index difference and shallow depth is suitable to be used for the hybrid integration of semiconductor device and glass waveguide using the semiconductor film grafting technique. We report characteristics of the planar and channel glass waveguides exchanged in the diluted silver nitrate melt in the visible and infrared spectral region. Especially, we determined the fabrication parameters for single-mode channel waveguide at 1.5 ㎛, an important wavelength in the optical communication. Directional couplers with several different configurations were fabricated, and their 3 ㏈ coupling length was determined as a function of wavelength and polarization.
비정질 및 다결정 실리콘 TFT-LCD에서의 플리커(flicker) 현상 비교 분석 연구
손명식,송민수,유건호,장진,Son, Myung-Sik,Song, Min-Soo,Yoo, Keon-Ho,Jang, Jin 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.40 No.1
In this paper, we present results of the comparative analysis of the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD and a-Si:H TFT-LCD arrays for the development and manufacturing of wide-area and high-quality TFT-LCD displays. We used four different types of TFTs; a-Si:H TFT, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT, silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and counter-doped lateral body terminal (LBT), poly-Si TFT. We defined the electrical quantity of the flicker so that we could compare the flickers quantitatively for four different 40" UXGA TFT-LCDs. We identify three factors contributing to the flicker, such as charging time, kickback voltage and leakage current, and analyze how much each of three factors give rise to the flincker in the different TFT-LCD arrays. In addition, we suggest and show that, in the case of the poly-Si TFT-LCD arrays, the low-level (minimum) gate voltages should be carefully chosen to minimize the flicker because of their larger leakage currents compared with a-Si TFT-LCD arrays.
SPICE를 사용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 화소의 전기적 특성 시뮬레이션 방법의 체계화
손명식,유재일,심성륭,장진,유건호,Son, Myung-Sik,Ryu, Jae-Il,Shim, Seong-Yung,Jang, Jin,Yoo Keon-Ho 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.12
복잡한 thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) array 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해서는 PSPICE나 AIM-SPICE와 같은 회로 시뮬레이터를 사용하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 다결정 실리콘 (poly-Si) TFT 소자의 입력 변수 추출을 체계화하는 방법을 도입한다. 이 방법을 excimer laser annealing 및 silicide mediated crystallization 방법으로 각각 제작된 다결정 실리콘 TFT 소자에 적용하여 실험 결과와 잘 일치하는 결과를 얻었다. SPICE 시뮬레이터 중에서 PSPICE는 graphic user interface(GUI) 방식의 편의성을 제공하므로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수가 있다는 장점이 있으나, poly-Si TFT 소자 모델을 가지고 있지 않다. 이 연구에서는 PSPICE에 다결정 실리콘 TFT 소자 모델을 이식하고, TFT가 이식된 PSPICE를 사용하여 poly-Si TFT-LCD 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소에 대한 전기적 특성을 분석하였다. 이러한 결과는 TFT-LCD 어레이 특성 분석을 위한 시뮬레이션을 효율적으로 수행하는데 기여할 수 있을 것으로 기대된다. In order to analyze the electrical characteristics of complicated thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) array circuits, it is indispensible to use simulation programs such as PSPICE and AIM-SPICE. In this paper, we present a systematic method of extracting the input parameters of poly-Si TFT for SPICE simulations. This method was applied to two different types of poly-Si TFTs, fabricated by excimer laser annealing and silicide mediated crystallization methods, and yielded good fitting results to experimental data. Among the SPICE simulators, PSPICE has the graphic user interface feature making the composition of complicated circuits easier. We added successfully a poly-Si TFT device model to the PSPICE simulator, and analyzed easily the electrical characteristics of pixels considering the line RC delay. The results of this work would contribute to efficient simulations of poly-Si TFT-LCD arrays.
김동철,유건호 慶熙大學校 레이저 工學硏究所 1997 레이저공학 Vol.8 No.-
Use of one-band model in the calculation of gain of semiconductor lasers is convenient because it is easy to understand and takes less time to implement. However, it gives an error in the gain by neglecting the nonparabolicity. In this paper, we study the limit of the one-band model by comparing the gain calculated by the one-band model with that by a multiband model. We find that, if the active layer is bulk, the peak gain by the one-band model is approximately same as that by a multiband model. However, if the active layer is a quantum well, the peak gain by the one-band model is much larger, and the one-band model may not be used for a quantitative analysis.