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Photoreflectance 측정에 의한 InxGa₁-xAs(0.03≤X≤0.11) 에피층의 특성 연구
김인수(In-Soo Kim),손정식(Jeoog-Sik Son),이철욱(Cheul-Wook Lee),배인호(In-Ho Bae),임재영(Jae-Youog Leem),한병국(Byung-Kuk Han),신영남(Young-Nam Shin) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.4
Molecular Beam Epitaxy(MBE)법으로 성장된 In_xGa_(1-x)As/GaAs 에피층에 대해 photoreflectance (PR)실험을 통해 특성을 조사하였다. PR 측정결과 성장된 In_xGa_(1-x)As 에피층의 띠간격 에너지(E。) 신호가 시료의 변형(strain)에 의해 heavy-hole(E。(HH))과 light-hole(E。(LH))로 분리되어 관측되었다. 에피층의 조성과 변형은 각각 시료에서의 E。(HH) 및 Eo(HH)와 Eo(LH)신호의 에너지 차이를 이용하여 구하였다. 또 160 K이하의 온도에서는 Eo(LH)의 신호가 사라짐을 볼 수 있었다. Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 계산되어진 InGaAs/GaAs 계면전장 (E)은 In 조성의 증가에 따라 0.75×10^5 V/㎝에서 2.66×10^5 V/㎝로 증가하였다. In 조성이 x=0.09인 시료에 대한 PR신호의 온도의존성 실험에서 Varshni 계수와 Bose-Einstein 계수들을 각각 구하였다. Photoreflectance (PR) measurents have been performed on In_xGa_(1-x)As/GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE). Bandgap (E。) of In_xGa_(1-x)As epilayer measured from PR was separated as heavy-hole (E。(HH)) and light-hole (E。(LH)) by strain effect. The compositions and the strains of epilayer were obtained from the energy value of E。(HH) and from enegy difference of E。(HH) and E。(LH), respectively. In addition, the PR signal of E。(LH) was diminished below 160 K. The interface electric field (E) of InGaAs/GaAs was increased from 0.75×10^5 V/㎝ to 2.66×10^5 V/㎝ as In composition increased, which was calculated from Franz-Keldysh oscillation (FKO) peaks. As the temperature dependence of the PR signal at x=0.09 sample, we obtained Varshni and Bose-Einstein coefficients.
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