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박재철(J. C. Park),홍성태(S. T. Hong),방근태(K. T. Bang) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
MWPECVD법으로 CH₃CHO-H₂계와 CH₄H₂-O₂계로부터 Si기판 위에 다이아몬드박막을 성장시키고, 성장된 박막을 SEM, XRD 및 Raman 분광기로 평가하고, 박막과 입자의 성장율을 조사하였다. 마이크로파전력 950W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 200 sccm, 기판온도 950℃ 및 CH₃CHO 농도 3.5%로 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 4 ㎛/hr가 되었고, 12%<O₂/CH₃CHO<14%의 산소농도에서 비다이아몬드상 탄소성분을 가장 효과적으로 에칭할 수 있음을 추정할 수 있었다. 마이크로전력 800 W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 80 sccm, 메탄농도 7%, O₂/CH₄ 농도 40% 및 기판온도 960℃로 Si기판 위에 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 3.2 ㎛/hr가 되었다. Diamond thin films were deposited on Si substrate from CH₃CHO-H₂ system and CH₄-H₂-O₂ system by MWPECVD, and the deposited films were identified by SEM, XRD and Raman spectroscopy, and the growth rate was investigated. The growth rate of diamond films was 4 ㎛/hr and it of diamond particles was 11.5 ㎛/hr at the condition of power: 950 W, pressure: 80 torr, H₂ flow rate: 200 sccm, substrate temp.: 950℃ and CH₃CHO concentration: 3.5% and deposition time: 5 hr. It was deduced that etching of non-diomand phase carbon components was the most effective at 12%<O₂/CH₃CHO<14% of O₂ concentration. The growth rate of diamond films was 3.2 ㎛/hr at the condition of power: 800 W, pressure: 80 torr, H₂ flow rate: 80 sccm, substrate temp.: 960℃, CH₄ concentration: 7%. O₂/CH₄ concentration: 40% and deposition time: 5 hr.
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