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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Tadahiro Fukushima (검색결과 1 건)
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        Electronic Transport Property of a YbMnO_3/ZnO Heterostructure

        Hiroaki Yamada,Tadahiro Fukushima,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.58 No.4

        The electronic transport property of a YbMnO_3/ZnO heterostructure was investigated. Since ZnO is a polar semiconductor, which has a spontaneous polarization, the spontaneous polarization of YbMnO3 can be expected to affect the carrier transport of the ZnO layer and to interact with that of ZnO. To investigate the effect of the spontaneous polarization of YbMnO_3, we characterized the temperature dependences of the conduction properties of the YbMnO_3/ZnO heterostructure by using Hall-effect measurement and analyzed them by using various scattering effects including polar optical phonon scattering, acoustic phonon scattering through the deformation potential and the piezoelectric potential, ionized impurity scattering and grain boundary scattering. The analysis revealed that the predominant scattering mechanism was changed from grain boundary scattering to ionized impurity scattering by the deposition of YbMnO_3. The change in the scattering mechanism is attributed to a partly depletion of ZnO induced by the spontaneous polarization of YbMnO_3.

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