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A Comment on Ellingsen(1991) : the Social Cost of Monopoly under Asymmetric Lobbying Abilities
Keem, Jung-Hoon 全北産業大學校 産業經營硏究所 1997 産業經營硏究 Vol.5 No.-
이 논문에서는 두 기업이 독점지위를 놓고 경쟁하며 동시에 독점규제를 놓고 소비자와 경쟁하는 모형을 연구한다. Ellingsen(1991)처럼 먼저 기업끼리 독점지위를 놓고 경쟁한 후에, 독점지위를 쟁취한 기업은 소비자와 독점규제를 놓고 경쟁하는 경우를 다룬다. 이 논문에서는 기업들이 정치적 영향력 행사함에 있어 능력의 차이를 도입하여 '소비자의 참여가 독점의 사회적 비용을 줄인다'는 Ellingsen의 결과를 확인하고자 한다. 특히 소비자와 경쟁에서 기업간에 정치적 영향력의 차이를 인정한다. 능력의 차이에 따라서 소비자의 정치적 영향력 행사가 독점의 사회적 비용을 증가시키기도 한다. 따라서 비대칭적인 정치적 영향력의 차이의 인지는 소비자의 참여가 독점의 사회적 비용을 줄인다는 추정을 약하게 만든다.
ZnO nanowire-based nonvolatile memory devices with Al2O3 layers as storage nodes.
Keem, Kihyun,Kang, Jeongmin,Yoon, Changjoon,Yeom, Donghyuk,Jeong, Dong-Young,Park, Byoungjun,Park, Jucheol,Kim, Sangsig American Scientific Publishers 2009 Journal of Nanoscience and Nanotechnology Vol.9 No.7
<P>Top-gate ZnO nanowire field-effect transistors (FETs) with Al2O3 gate dielectric layers as storage nodes were fabricated and their memory effects were characterized in this work. The Al2O3 layers deposited on the ZnO nanowire channels were utilized not only as gate dielectric ones but also as charge trapping ones. For a representative top-gate ZnO nanowire FET, its I(DS)-V(GS) characteristics for the double sweep of the gate voltages exhibit the counterclockwise hysteresis and the threshold voltage shift. The gate voltage in the pulse form was applied for 1 s, and the threshold voltage shift of I(DS)-V(GS) characteristics was extended from 0.3 to 0.8 V compared with that for the double sweep. In this ZnO nanowire FET, negative charge carriers originated from the gate electrode are stored in the Al2O3 layer for applied negative gate voltages, and they are extracted for applied positive gate voltages.</P>