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      저자 : Awnish Kumar Tripathi (검색결과 1 건)
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        Effect of Ge doping on the electrical properties of amorphous Zn–Sn–O thin films

        Abhishek Sharma,Rahim Abdur,김다미,Awnish Kumar Tripathi,Son Singh,이재갑,유상임 한국물리학회 2020 Current Applied Physics Vol.20 No.9

        We report the effect of germanium doping on the active layer of amorphous Zinc–Tin-Oxide (a-ZTO) thin film transistor (TFT). Amorphous thin film samples were prepared by RF magnetron sputtering using single targets composed of Zn2Ge0.05Sn0.95O4 and Zn2SnO4 with variable oxygen contents in the sputtering gases. In comparison with undoped, Ge-doped a-ZTO films exhibited five order of magnitude lower carrier density with a significantly higher Hall-mobility, which might be due to suppressed oxygen vacancies in the a-ZTO lattice since the Ge substituent for the Sn site has relatively higher oxygen affinity. Thus, the bulk and interface trap densities of Ge-doped a-ZTO film were decreased one order of magnitude to 7.047 � 1018 eV 1cm 3 and 3.52 � 1011 eV 1cm 2, respectively. A bottom-gate TFT with the Ge-doped a-ZTO active layer showed considerably improved performance with a reduced SS, positively shifted Vth, and two orders of magnitude increased Ion/Ioff ratio, attributable to the doped Ge ions.

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