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순차적 데이터 처리방식을 이용한 디지틀 오디오 방송용 2048 Point FFT/IFFT의 VLSI 설계
최준림 대한전자공학회 2002 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.39 No.5
본 논문에서는 순차적 입력 데이터 처리방식을 이용하여 2048 point FFT/IFFT를 단일 칩으로 구현하는 방법을 제안하고 검증하였다. 순차적으로 입력되는 2028개의 복소 데이터를 처리하기 위해서는 입력 데이터를 저장하는 버퍼가 필요하고 이 입력 버퍼로는 DRAM 회로를 이용한 지연 변환기 (delay commutator)를 사용하여 전체 칩 면적을 35% 이상 줄일 수 있었다. 전체 FFT/IFFT는 16 point FFT를 기본 블록으로 사용하며, radix-4 구조를 가지는 다섯 단계와 radix-2 구조를 가지는 하나의 단계로 이루어져 있다. 각 단계마다 연산을 수행하면서 증가되는 결과 S/N 비를 유지하면서 비트 라운딩을 하기 위해 convergent block floating point (CBFP) 알고리즘을 적용하여 digital audio broadcasting(DAB)을 위한 단일 칩 설계에 기여하였다. In this paper, we propose and verify an implementation method for a single-chip 2048 complex point FFT/IFFT in terms of sequential data processing. For the sequential processing of 2048 complex data, buffers to store the input data are necessary. Therefore, DRAM-like pipelined commutator architecture is used as a buffer. The proposed structure brings about the 60% chip size reduction compared with conventional approach by using this design method. The 16-point FFT is a basic building block of the entire FFT chip, and the 2048-point FFT consists of the cascaded blocks with five stages of radix-4 and one stage of radix-2. Since each stage requires rounding of the resulting bits while maintaining the proper S/N ratio, the convergent block floating point (CBFP) algorithm is used for the effective internal bit rounding and their method contributed to a single chip design of digital audio broadcasting system.
최준림 대한기계학회 1993 大韓機械學會誌 Vol.33 No.6
과거 10년 동안 마이크로 전자 공학의 극소형화는 실리콘 기판상에서 평면구조를 제작하는 기 술의 발전을 가져왔으며 정보처리 분야에 일대 혁명을 가져왔다. 그런데 지금은 이 기술의 발 전으로 기계공학에서도 이에 상응하는 연구개발이 진행되고 있으니 이를 총칭하여 마이크로 가 공기술(micromachining)이라 부른다. 기계, 광학, 전자 부품의 마이크로 집적화는 하나의 마이 크로 시스템으로 구현되어 기술혁신의 새로운 영역을 개척할 것으로 예상되고 있다. 이 새로운 기술은 마이크론 단위의3차원 초정밀 가공을 가능케 함으로써 미래 메카트로닉스 (mechatronics)의 새로운 영역으로 자리잡게 될 것으로 전망한다. 이 글에서는 마이크로 시스템에 대해서 기술하고자 한다.
최준림 ( Jun Rim Choi ) 한국센서학회 1998 센서학회지 Vol.7 No.2
Pyroelectric infrared detectors based on La-modified PbTiO₃ (PLT) thin films have been fabricated by RF magnetron sputtering and micromachining technology. The detectors form Pbi_(1-x)La_xTi_(1-x/4)O₃ (x=0.05) thin film ferroelectric capacitors epitaxially grown by RF magnetron sputtering on Pt/MgO (100) substrate. The sputtered PLT thin film exhibits highly c-axis oriented crystal structure that no poling treatment for sensing applications is required. This is an essential factor to increase the yield for realization of an infrared image sensor. Micromachining technology is used to lower the thermal mass of the detector by giving maximum sensor efficiency. Polyimide is coated on top of the sensing elements to support the fragile structure and the backside of the Mg0 substrate is selectively etched to reduce the heat loss. The sensing element exhibited a very high detectivity D* of 8.5x10^8 cm·√ Hz/W at room temperature and it is about 100 times higher than the case of micromachining technology is not used. A sensing system that detects the position as well as the existence of a human body is realized using the array sensor.