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- 저자 : 제정호(Jung Ho Je) (검색결과 5 건)
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스퍼터링 방법을 이용한 중금속 산화물 유리 박막의 증착
김웅권,허종,제정호,Kim, Woong-Kwern,Heo, Jong,Je, Jung-Ho 한국세라믹학회 1995 한국세라믹학회지 Vol.32 No.6
In this study, EO glass films were deposited by R.F. magnetron sputtering using EO glass target. The glass formation of the EO film was greatly dependent on the substrate temperature and the crystallization started at approximately 28$0^{\circ}C$. As the temperature of the substrate or the oxygen content in the sputtering gas increased, UV/VIS/NIR absorption edge moved toward longer wavelength. A wave guiding phenomenon was observed from the prism-coupler experiment and a fluorescence of 1.06${\mu}{\textrm}{m}$ originated from 4Fe3/2longrightarrow4I11/2 transition of Nd3+ was detected from the film containing Nd3+ ions.
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펄스형 레이저 증착법으로 제조된 에피탁시 BST 박막의 구조 분석
김상섭(Sang Sub Kim),제정호(Jung Ho Je) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.4
250 Å과 1340 Å 두께의 에피탁시 (Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO₃(혹은 BST) 박막을 MgO(001) 단결정기판에 펄스형 레이저 증착법(pulsed laser deposition)으로 제조한 후 방사광 X선 산란을 이용하여 분석하였다. 박막은 초기에 MgO(001) 단결정 기판과 cube-on-cube 관계로 증착되며, 박막이 성장함에 따라 이 관계를 계속 유지하면서 성장하는 것으로 판단된다. 한편 박막이 성장함에 따라 박막의 표면은 급격하게 거칠어지는 반면 기판과 박막 사이의 계면의 거칠기는 크게 변하지 않았다. 에피탁시 BST 박막의 초기상태에서는 c축이 기판과 수직한 방향으로 배향된 정방정구조를 보였으며, 박막이 성장함에 따라 그 격자상수가 덩어리(bulk) BST의 값을 지닌 완전한 입방정 구조를 지녔으며, 아울러 기판의 수직(out-of-plane) 및 평행(in-plane) 방향으로의 모자익(mosaic) 분포가 좁아짐을 확인하였다. Epitaxial (Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO₃ thin films of two different thicknesses (~250 Å and ~1340 Å) on MgO(001) prepared by a pulsed laser deposition method were studied by synchrotron x-ray scattering measurements. The film initially grew on MgO(001) with a cube-on-cube relationship, maintaining it during further growth. As the film grew, the surface of the film became rough significantly, but the interface between the film and the substrate seemed to have changed little. In the early stage, the film was highly strained in a tetragonal structure with the longer axis parallel to the surface normal direction. As the growth proceeded further, it was mostly relaxed to a cubic structure with the lattice parameter of the bulk value and the mosaic distribution improved significantly in both in-plane and out-of-plane directions.
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에피탁시 BaTiO₃ 박막의 승온중 in - situ 구조분석
김상섭(Sang Sub Kim),제정호(Jung Ho Je) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.2
MgO(001) 단결정 기판에 스퍼터링법으로 제조된 에피탁시 BaTiO₃ 박막의 온도에 따른 구조적인 특성 변화를 실시간 방사광 x선 산란 실험을 이용하여 연구하였다. 제조된 박막은 상온에서 c축이 박막표면의 수직방향과 평행한 정방정 구조를 지닌 단일 분역구조의 박막임을 확인하였다. 또한 박막의 격자상수는 덩어리 BaTiO₃의 격자상수에 비하여 기판평행 방향 뿐만 아니라 기판수직 방향으로도 팽창되어 있었다. 한편 이 박막을 상온에서 600℃까지 가열하였을 때 정방정 결정구조가 그대로 유지되었으며, 일반적으로 정방정 에피탁시 강유전 박막에서 관찰되는 정방정-입방정 상변태가 발생하지 않았다. The structural characteristics of an epitaxial BaTiO₃ film on MgO(001) grown by sputtering were studied as a function of temperature using in-situ, real time synchrotron x-ray scattering experiments. We found that the as-grown film was single c-domain but strained at room temperature and tetragonally distorted with the c-axis normal to the film surface. Interestingly, its lattice parameters were found to be expanded in both the in-plane and the out-of-plane directions, i.e. biaxially, comparing with those of a bulk BaTiO₃. More importantly, as it was heated up to 600℃, the tetragonal structure was kept up through without any phase transition, which is usually observed in other epitaxial ferroelectric thin films.
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ICP(Inductively Coupled Plasma) 처리에 따른 n-type SiGe/Metal contact의 SBH(Schottky Barrier Height) 연구
김이곤,장호원,전창민,송영주,강진영,심규환,제정호,이종람 대한금속재료학회 2005 대한금속·재료학회지 Vol.43 No.2
The effect of surface treatment of n-type SiGe using the inductively coupled plasma (ICP) was studied by current-voltage and x-ray photoemission spectroscopy measurements. The ICP treatment produced surface oxides and point defects at the surface of SiGe. The x-ray photoemission spectroscopy measurements showed that atomic ratio of Ge/Si was increased after the etching treatment. These results provide the evidence that Si vacancies were produced at the etched surface. Si vacancies acting as donor for electrons resulted in shift of Fermi level to near the conduction band. As a result, Fermi level could be pinned at such Si vacancies, leading to the remarkable reduction of Schottky barrier height and the reduced dependence of Schottky barrier height on metal work function. (Received September 7, 2004)
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