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대학생을 위한 ‘소명 기반 진로프로그램’ 개발과 구성: WCT(Work as a Calling Theory)를 중심으로
정지애 ( Jiae Jeong ) 사단법인 아시아문화학술원 2020 인문사회 21 Vol.11 No.6
본 연구는 대학생을 위한 ‘소명 기반 진로프로그램’을 개발하는데 목적을 두었다. 이를 위해 목표수립(기획) → 요구조사(기획) → 프로그램 구성(설계) → 모형 타당화(실시 및 예비 평가)의 과정을 거쳐 최종 프로그램을 확정하였다. 구체적으로는 선행연구 및 문헌고찰과 요구조사를 통해 프로그램의 목표를 정립하였고, 전문가 검증과 재학생 및 졸업생을 대상으로 한 Interview, 1차와 2차 예비적용 등의 절차로 이루어졌다. 개발된 프로그램은 WCT(Work as a Calling Theory)에 입각하여 5개모듈(Calling Dream Up → Calling Career Up → Calling Mean Up → Calling Living Up → CallingMind Up), 총 15회기로 구성되었다. 본 연구는 WCT 적용에 대한 실증적 함의와 진로가치인 소명의식과 진로행동인 소명실행의 개입방향을 제공한데 의의가 있다. 향후 적용연구를 통한 효과측정과 소명의식 형성에 기여하는 변인에 대한 깊이 있는 후속연구를 제언하는 바이다. This study aimed to develop a ‘Calling-Based Career Program’ for college students. To this end, the final program was finalized through the process of goal setting (planning) → required construction engineer (planning) → program composition (design) → model validation (implementation and preliminary evaluation). Specifically, the goal of the program was established through prior research, literature review, and demand survey, and the procedure consisted of expert verification, interviews for current students and graduates, and the first and second preliminary application. The developed program consisted of 5 modules (Calling Dream Up → Calling Career Up → Calling Mean Up →Calling Living Up → Calling Mind Up), a total of 15 sessions based on WCT (Work as a Calling Theory). This study is significant in providing empirical implications for the application of WCT, a perceiving a calling as a career value, and an intervention direction for living a calling as a career action. I would like to suggest an in-depth follow-up study on the variables that contribute to the measurement of effectiveness and the formation of a sense of vocation through future applied research.
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대학생을 위한 ‘소명 기반 진로프로그램’이소명과 진로성숙도에 미치는 효과
정지애 ( Jiae Jeong ) 사단법인 아시아문화학술원 2021 인문사회 21 Vol.12 No.6
본 연구는 대학생을 위한 ‘소명 기반 진로프로그램’이 소명과 진로성숙도에 미치는 효과를 확인하고자 실시되었다. 연구대상은 충청북도 소재 S대학에서 진로고민이 있는 대학생 16명(실험집단 8명, 통제집단 8명)이다. 프로그램 적용은 2021년 9월 28일부터 10월 12일까지 주 1~2회, 1회당 3회기, 회기당 60분으로, 총 15회기로 실시되었다. 프로그램 시작 전과 사후에 설문조사를 실시하였고, 연구분석은 SPSS/WIN 25.0을 이용하여 Wilcoxon signed rank test로 검증하였다. 본 연구의 결과로 ‘소명 기반 진로프로그램’은 실험집단에서는 소명과 진로성숙도 향상에 통계적으로 유의미한 효과가 있었고, 통제집단은 변화가 없었다. 본 연구는 소명을 통해 대학생의 올바른 직업관 정립과 진로성숙을 이루기 위해 향후 대학의 진로교육 및 상담에서 소명을 적용한 다양한 프로그램이 구성될 필요성을 제언하는 바이다. This study confirmed the effect of ‘Calling-based Career Program’ for college students on calling and career maturity. The subjects of this study were 16 college students (8 people in the experimental group, 8 people in the control group) who had career concerns at S university in Chungcheongbuk-do. The program was applied once or twice a week, for a total of 15 sessions. A survey was conducted before and after the program start and the research analysis was verified by Wilcoxon signed rank test using SPSS/WIN 25.0. As a result of this study, the ‘Calling-based Career Program’ had a statistically significant effect on the improvement of calling and career maturity in the experimental group, and there was no change in the control group. In this study, it is necessary to organize various programs that apply the calling in future college career education and counseling in order to establish the correct career outlook and achieve career maturity of college students through calling.
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높은 수율의 임계값 스위칭 특성을 위한 CMOS 호환 전극을 갖는 NbO<SUB>x</SUB> 층에서 산화물 장벽의 역할
최현식(Hyeonsik Choi),김윤서(Yunsur Kim),박형진(Hyoungjin Park),정지애(Jiae Jeong),우지용(Jiyong Woo) 대한전자공학회 2023 대한전자공학회 학술대회 Vol.2023 No.11
This study shows how the threshold switching (TS) characteristics of a NbOx layer with noninert W electrodes can be improved by introducing an oxide barrier. The ~10-nm-thick NbOx layer exhibits TS, which is known to originate from NbO₂, after electroforming. However, through X-ray photoelectron spectroscopy, a Nb₂O<SUB>5</SUB> layer, which is known to cause resistive memory switching, is formed mainly at the top interface as well. This results in a worsening TS yield. Therefore, thin oxides were introduced to improve the TS behavior and systematically investigate the role of the oxide barrier by considering their location and material properties. The barrier inserted at the bottom interface makes the formation of NbO₂ difficult, preventing TS. When the barrier was introduced at the top interface, the unwanted Nb₂O<SUB>5</SUB> created through reaction with the W electrode can be mitigated, promoting the occurrence of TS. Note that when an AL₂O₃ (or HfO₂) barrier is used, which prefers to scavenge (or provide) oxygen from (or to) the NbOx, a dielectric (or weak TS) behavior is shown. As a result, excellent cell-to-cell uniformity of the TS is achieved in the ZrO₂/NbOx stack, which not only prevents the formation of Nb₂O<SUB>5</SUB> but also stabilizes the NbO₂ in the NbOx layer. Through examining the temperature dependence of the TS obtained from the W/NbOx/W and W/ZrO₂/NbOx/W stacks, it was found that the suppression of the Nb₂O<SUB>5</SUB> at the top interface is indirectly shown as a strengthened Schottky barrier from an electrical measurement perspective.
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