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Al<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>N/GaN 에피층의 비정상적인 광발광과 Persistent Photoconductivity 현상
정상조,전용기,Chung, S.J.,Jun, Y.K. 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.10
We have investigated $Al_{x}$ $Ga_{l-x}$ N/GaN epilayers (x = 0.08, 0.15) grown by metal organic vapor phase epitaxy on sapphire with photoluminescence(PL), and persistent photoconductivity(PPC) experiments. An anomalous S-shaped shift behavior of temperature dependencies of PL peak energy is observed for the x = 0.15 sample. In PPC measurement, showed that the dark current recovery time of $Al_{x}$$Ga_{l-x}$ N/GaN epilayers mainly depends on the Al content. These behaviors are usually attributed to the presence of carrier localization states. All these phenomena are explained based on the alloy compositional fluctuations in the $Al_{x}$ /$Ga_{l-x}$ N/ epilayers. The photocurrent quenching observed in PPC measurements for $Al_{x}$ $Ga_{l-x}$ N/ epilayers less than 0.2 $\mu\textrm{m}$ thickness indicates that the presence of metastable state in the bandgap of GaN layer, and that the excess holes in the valence band recombine with free electrons.
윤창선(C. S. Yoon),노정숙(J. S. Ro),정상조(S. J. Chung),진문석(M. S. Jin),박홍이(H. L. Park),송호준(H. J. Song),김화택(W. T. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.4
TlGaSe₂:Ho 결정에 대한 간접전이 에너지간격의 온도의존성은 각각 1차 상전이와 2차 상전이에 상당하는 100K와 108K에서 변칙특성을 보여주었다. TlGaSe₂:Ho 결정에서 Ho^(3+) 이온에 기인된 5^I_8→5^I_7과 5^I_8→5^F_5의 두 광학적 전이가 광흡수와 광전도도 스펙트라로부터 관측되었다. TlGaSe₂와 TiGaSe₂:Ho 결정의 열자극 전류로부터 고유결함과 Ho 불순물에 관련된 양공 덫을 발견하였다. The temperature dependence of the indirect energy gap of TlGaSe₂:Ho crystals showed anomalies at 100 K and 108 K corresponding to first-order and second-order phase transitions (PTI), respectively. Two optical transitions of 5^I_8→5^I_7 and 5^I_8→5^F_5 due to HO^(3+) ions are observed from optical absorption and photoconductivity spectra of TlGaSe₂:Ho crystals. From the thermally stimulated current (TSC) of TlGaSe₂ and TlGaSe₂:Ho crystals, hole traps related to the intrinsic defect and Ho impurity are observed.
Spray pyrolysis 방법에 의한 넓은 면적의 Cu₂S / CdS 태양전지의 제작
차덕준(D. Cha),고정곤(J. Ko),정상조(S. Chung),남승재(S. Nam),김광윤(K. Kim),전용기(Y. Jun) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.4
Spray pyrolysis 방법으로 넓은 면적의 Cu₂S/CdS 태양전지를 제작하였다. 제작과정에서 전극형성, CdS spray 온도조건, Cu₂S층의 접합 조건등 태양전지의 효율에 영향을 주는 요인을 조사하였다. CdS 박막의 조건은 주사 전자현미경, X-선 회절기, 온도변화에 따른 광흡수 및 광전도 특성등을 통해 결정하였다. 1㎠의 면적의 전지에 air mass 2(AM2)인 75㎽/㎠로 빛을 조사했을 때 3.15%의 효율을 얻었다. We fabricated the effective Cu₂S/CdS solar cells with large area by a spray pyrolysis method. In preparation process, we investigated the process parameters which directly influenced the efficiency of solar cell, such as the grid contact for electrodes, the temperature condition of CdS spray and the junction characteristics of Cu₂S layer, by scanning electron microscope(SEM), x-ray diffraction(XRD) and temperature dependent optical absorption and photoconductivity. The Cu₂S/CdS solar cell with area of 1 ㎠ showed the efficient of 3.15% under air mass 2(AM2) spectrum irradiation with 75 mW/㎠.