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알루미늄 도핑된 하프늄 산화물과 비정질 InGaZnO를 이용한 강유전성 MFSM 캐패시터
장유성(Yuseong Jang),이수연(Soo-Yeon Lee) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
강유전체 특성 발현을 위해서는, HfO₂ 박막 상부 물질로 금속 화합물 TiN 전극을 사용하거나, Zr 원소를 도핑하는 것이 일반적이었다. 본 연구에서는 Al 원소를 도핑한 HfO₂ 박막과 비정질 산화물 반도체 InGaZnO (IGZO)를 이용한 metal-ferroelectric-semiconductor -metal (MFSM) 캐패시터 구조를 최초로 제작하여 잔여 분극 7.7 µC/cm²을 달성하였다. 본 연구를 통해 강유전체 기반 산화물 반도체 박막 트랜지스터 후속 연구에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.
Transparent IGZO-based Memristors for Reservoir Computing Systems Fabricated via Microwave Treatment
Chanmin Hwang(황찬민),Yuseong Jang(장유성),Myoungsu Chae(채명수),Doowon Lee(이두원),Hee-Dong Kim(김희동) 대한전자공학회 2024 대한전자공학회 학술대회 Vol.2024 No.6
In this paper, we proposed microwave treatment (MWT) to obtain low power consumption transparent volatile memristors for reservoir computing and successfully demonstrated highly transparent and stable volatile memristor characteristics for ITO/TiOx/IGZO/TiOx/ITO structures. In addition, we found that increasing the MWT time and compliance current (CC) can reduce the device’s volatility, indicating that our device could potentially adjust its volatile behavior. Based on this result, finally, with four consecutive input pulses, we successfully discriminated 16-4bit states, demonstrating the potential of our device as a reservoir computing (RC) system. These results show that MWT seems to be a good method for transparent volatile memory (TVM) study for RC system application because it can control the volatile characteristics of the device over time and has the advantages of low power consumption.