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RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 MFM 구조의 SrBi₂Ta₂O9 박막 특성에 관한 연구
이후용(Hu-Yong Lee),최훈상(Hoon-sang Choi),최인훈(In-Hoon Choi) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.2
RF magnetron sputtering법으로 SrBi₂Ta₂O_9 (SBT)박막을 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 증착하여 DRO 강유전체 메모리(destructive read out ferroelectric random access memory)에 사용되는 강유전체막으로 Pt/SBT/Pt/Ti/SiO₂/Si (MFM)구조의 응용가능성을 확인하였다. 구조적인 특징들이 열처리 시간의 변화와 Ar/O₂의 가스 유량비의 변화에 따라서 XRD(x-ray diffractometer)에 의해 관찰되었으며 표면 특성은 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)에 의해서 관찰하고 박막의 전기적 특성들은 P-V(polarization-voltage measurement)와 I-V(current-voltage measurement)를 사용하여 관찰하였다. 스퍼터링 증착시 Ar/O₂의 가스 유량비는 1:4에서 4:1까지 변화 시켰고 SBT박막은 상온에서 증착시켰다. XRD 측정시 박막들은 SBT의 (105), (110) peak들을 나타내었다. 상온에서 증착시킨 박막은 l시간, 2시간 동안 산소 분위기에서 800℃열처리를 하여 결정화 시켰다. SBT 박막의 P-V곡선은 이력 곡선의 모양을 갖추었으며 비대칭적인 강유전체 특정을 나타내었다. Ar/O₂ 가스유량비가 1:1, 2:1인 경우에 박막의 누설 전류밀도 값이 제일 좋았으며, 그 값은 3V, 5V, 7V에서 각각 3.11×10^(-8) A/㎠, 5×10^(-8) A/㎠, 7×10^(-8) A/㎠이었다. 열처리 시간을 2시간으로 증가시킨 후, 그들의 전기적 특성과 결정화특성이 개선됨을 확인하였다. AES분석 및 EPMA분석으로 SBT박막의 깊이 분포 및 조성을 확인하였다. SrBi₂Ta₂O_9 (SBT) films were deposited on p-type Si(100) at room temperature by rf magnetron sputtering method to confirm the possibility of application of Pt/SBT/Pt/Ti/SiO₂/Si structure (MFM) for destructive read out ferroelectric RAM (random access memory). Their structural characteristics with the various annealing times and Ar/O₂ gas flow ratios in sputtering were observed by XRD (X-ray diffractometer) and the surface morphologies were observed by FE-SEM (field emission scanning electron microscopy), and their electrical properties were observed by P-V (polarization-voltage measurement) and I-V (current-voltage measurement). The Ar/O₂ gas flow ratios of sputtering gas were changed from 1:4 to 4:1 and SBT thin films were deposited at room temperature. The films show (105), (110) peaks of SBT by XRD measurement. SBT thin films deposited at room temperature were crystallized by furnace annealing at 800℃ in oxygen atmosphere during either one hour or two hours. Among their electrical properties, P-V curves showed shaped hysteresis curves, but the SBT thin films showed the asymmetric ferroelectric properties in P-V curves. When Ar/O₂ gas flow ratios are 1:1, 2:1, the leakage current density values of SBT thin films are good, those values of 3V, 5V, nd 7V are respectively 3.11×10^(-8) A/㎠, 5×10^(-8) A/㎠, 7×10^(-8) A/㎠. After two hours of annealing time, their electrical properties and crystallization are improved.
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장혜지 ( Hye-ji Jang ),장원근 ( Won-geun Jang ),이후용 ( Hu-yong Lee ),김성기 ( Sung-ki Kim ) 한국정보처리학회 2013 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.20 No.2
대기 중에 비는 기체상태 혹은 입자상태로 대기오염물질을 습성침착 하는 대기정화작용을 한다. 환경과학분야에서는 이러한 자연의 대기정화 프로세스를 분석하여 강우량에 따라 대기정화 정도를 예측하기 위한 모델들을 제시하고 있고, 이러한 모델들을 이용하여 대기오염을 예보하는 응용이 확산되고 있다. 본 논문은 강수량에 따른 대기오염물질(NO2, PM10) 정화효과 모델을 기반으로, 강우량 정보를 이용하여 대기오염도 예측결과를 시각화하는 도구를 제시한다. 본 연구의 결과는 직관적인 대기오염피해를 예방하는 도구로서 활용 가능하다.
DBpia
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