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SnOx/Pt 薄膜 가스感知素子의 製造 및 그 感知特性
이성필,정완영,이덕동,손병기,Lee, Sung-Pil,Chung, Wan-Young,Lee, Duk-Dong,Sohn, Byung-Ki 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.
$SnO_X$/Pt 薄膜형 가스感知素子의 製造하고 그 특성을 결정하였다. $SnO_X$/Pt 薄膜은 $SnO_2$에 Pt를 重量比로 2% 섞은 표적을 電子량 加熱승치法으로 形成하였다. 素子의 전도도는 온도의존성을 보였고, CO 가스에 대한 感度는 2000 ppm 이하의 낮은 농도범위에서 가스농도는 평방근에 비례하였다. 최적동작온도는 약 300$^{\circ}$C 였고 CO 가스농도가 5000 ppm에서의 응답시간은 약 20초 였다. $SnO_X$/Pt thin film gas sensors were fabricated and their performance characteristics were measured. The $SnO_X$/Pt films were deposited by vacuum evaporating the $SnO_2$ target mixed with 2 wt% Pt. The conductivity showed the temperature dependence and the sensitivity to CO gas was proportional to the square root of gas concentration below 2000 ppm. The optimum operating temperature of the fabricated devices was about 300$^{\circ}$C and the response time in 5000 ppm CO gas was about 20 sec.
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이성필,김찬,Lee, Sung-Pil,Kim, Chan 한국융합신호처리학회 2006 융합신호처리학회 논문지 (JISPS) Vol.7 No.4
자동차용 ABS/TCS 시스템의 기존 개별소자 회로를 시험하고, 시스템의 문제점을 컴퓨터 시뮬레이션으로 분석하였다. ABS/TCS 시스템의 성능을 개선하기 위해 에러 보상회로, 비교기 및 UVLO 회로를 가진 인터페이스 IC를 설계하고, 전기적 특성을 조사하였다. 전압 조절기는 자동차 환경에 견디기 위해 $-20^{\circ}C$에서 $120^{\circ}C$ 사이의 온도 범위에서 온도변화를 보상하도록 하였고, ABS와 브레이크는 같은 주파수와 다른 주파수의 듀티 계수를 사용하여 분리하였다. UVLO 회로와 정전압 회로는 잡음을 제거하기 위해 적용하였고, 과도 전류를 제한하기 위해 보호회로를 사용하였다. ABS/TCS 시스템의 전기적 성능을 향상시키기 위해 IC 제조를 위한 레이아웃을 설계하였다. 제작된 마스크 패턴은 11개로 구성하였으며, 전류 손실을 줄이기 위해 8개의 패드를 유효하게 배치하였다. 브레드보드 시험치와 레이아웃을 설계한 후 시뮬레이션의 시험치를 비교한 결과 시뮬레이션과 브레드보드 실험치가 거의 일치하거나 우수한 결과를 가짐을 알 수 있었다. The conventional discrete circuit for ABS/TCS system was examined and the problems of the system were analyzed by computer simulation. In order to improve the performance of ABS/TCS system, interface IC which has error compensation, comparator and under voltage lock-out circuit was designed and their electrical characteristics were investigated. The voltage regulator was included to compensate the temperature variation in the temperature range from $-20^{\circ}C$ to $120^{\circ}C$ for automobile environment. ABS and brake signal were separated using the duty factor of same frequency or different frequencies. UVLO(Under Voltage Lock-Out) circuit and constant current circuit were applied for the elimination of noise, and protection circuit was applied to cut the excess current off. Layout for IC fabrication was designed to enhance the electrical performance of ABS/TCS system. Layout was consisted of 11 masks, arrayed effectively 8 pads to reduce the current loss. We can see that the result of layout simulation was better than the result of bread board.
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이성필,김찬 한국융합신호처리학회 2006 융합신호처리학회 논문지 (JISPS) Vol.15 No.1
The conventional discrete circuit for ABS/TCS system was examined and the problems of the system were analyzed by computer simulation. In order to improve the performance of ABS/TCS system, interface IC which has error compensation, comparator and under voltage lock-out circuit was designed and their electrical characteristics were investigated. The voltage regulator was included to compensate the temperature variation in the temperature range from -20℃ to 120℃ for automobile environment. ABS and brake signal were separated using the duty factor of same frequency or different frequencies. UVLO(Under Voltage Lock-Out) circuit and constant current circuit were applied for the elimination of noise, and protection circuit was applied to cut the excess current off. Layout for IC fabrication was designed to enhance the electrical performance of ABS/TCS system. Layout was consisted of 11 masks, arrayed effectively 8 pads to reduce the current loss. We can see that ㅅhe result of layout simulation was better than the result of bread board. 자동차용 ABS/TCS 시스템의 기존 개별소자 회로를 시험하고, 시스템의 문제점을 컴퓨터 시뮬레이션으로 분석하였다. ABS/TCS 시스템의 성능을 개선하기 위해 에러 보상회로, 비교기 및 UVLO 회로를 가진 인터페이스 IC를 설계하고, 전기적 특성을 조사하였다. 전압 조절기는 자동차 환경에 견디기 위해 -20℃에서 120℃ 사이의 온도 범위에서 온도변화를 보상하도록 하였고, ABS와 브레이크는 같은 주파수와 다른 주파수의 듀티 계수를 사용하여 분리하였다. UVLO 회로와 정전압 회로는 잡음을 제거하기 위해 적용하였고, 과도 전류를 제한하기 위해 보호회로를 사용하였다. ABS/TCS 시스템의 전기적 성능을 향상시키기 위해 IC 제조를 위한 레이아웃을 설계하였다. 제작된 마스크 패턴은 11개로 구성하였으며, 전류 손실을 줄이기 위해 8개의 패드를 유효하게 배치하였다. 브레드보드 시험치와 레이아웃을 설계한 후 시뮬레이션의 시험치를 비교한 결과 시뮬레이션과 브레드보드 실험치가 거의 일치하거나 우수한 결과를 가짐을 알 수 있었다.
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이성필 慶南大學校 附設 工業技術硏究所 1997 硏究論文集 Vol.14 No.2
습도 측정용 HUSFET(humidity sensitive field effect transistor)와 온도 측정용 다이오드를 같이 한 칩에 내장한 FET형 온 ·습도 멀티센서를 설계하고 그 특성을 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 조사하였다. 설계한 FET 형 온 ·습도 멀티센세의 크기는 1.3×1.5 ㎟이며 HUSFET의 게이트 종횡비는 100/20이다. HUSFET은 p-well내에 존재하게 되는데 이는 소자의 전기적 isolation을 위한 것이다. 그리고 게이트 활성영역은 TiO₂/Si₃N₄/ SiO₂로 설계하였다. 시뮬레이션 결과 HUSFET의 문턱전압은 드레인 전압을 3 V로 고정시켰을 때 상대습도가 30%에서 60%, 90%로 증가함에 따라 2.5 V에서 2 V로 감소하였다. 그리고 온도측정용 다이오드의 I-V특성은 약 0.8 V에서 전류가 흐르기 시작하였다. A FET type multi-functional temperature · humidity sensor was designed in one chip and a computer simulation for the sensor was investigated. The size of sensors was 1.3×1.5 ㎟ and the gate area was 100/20. The devices showed typical enhancement characteristics and threshold voltage was about 2.3 V in 60 %RH. It can be seen that the threshold voltages of HUSFET(humidity sensitive field effect transistors)decreased from 2.5 V to 2.0 V according to increasing the relative humidities from 30% to 90%. The simulation was carried out for a series of values of relative ??, which was varied between 123 and 223. The current of diode for temperature sensor began tp flow at 0.8 V.
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