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        펄스레이저증착에 의한 투명전도성 산화주석 박막

        윤천호(C. Yoon),박성진(S.-J. Park),이규왕(K.-W. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2

        투명전도성 산화주석 박막이 펄스레이저증착에 의하여 파이렉스유리 기판상에 제조되었다. 진공, O₂ 및 Sn(CH₃)₄ 분위기에서 Nd-YAG 레이저 빛살이 다결정 SnO₂ 타켓을 융제하여 실온에서 기판상에 박막을 증착시키고, 증착된 막을 230, 420, 및 610℃에서 각각 2시간 동안 공기중에서 열처리하였다. 박막의 특성이 UV-VIS-NIR 분광법와 X-선 회절법에 의하여 조사되고, 전기적 성질이 촉심식법으로 구해진 막의 두께와 함께 사점 탐침법에 의하여 측정되었다. Sn(CH₃)₄이 존재할 때 SnO₂ 상들이 실온에서조차 성장되는 것이 관찰되었다. 이는 레이저 융제 동안 발생된 마이크로플라즈마가 전구물질분자의 분해에 중요한 역할을 함을 시사한다. The transparent conducting thin films of tin oxides were prepared on pyrex glass substrates by the pulse laser deposition. In the atmospheres of vacuum, O₂ and Sn(CH₃)₄ a polycrystalline SnO₂ target was ablated by Nd-YAG laser beam to deposit thin films on the substrates at room temperature, and as-deposited films were subsequently heat-treated in the air for 2 h at 230, 420 and 610℃, respectively. The characteristics of the thin films were examined by UV-VIS-NIR spectrometry and X-ray diffractometry, and the electrical properties were measured by four-point probe method along with film thickness monitored by the stylus method. It was observed that in the presence of Sn(CH₃)₄ SnO₂ phases were grown even at room temperature. This suggests that the microplasma produced during the laser ablation plays an important role in the dissociation of precursor molecules.

      • KCI등재
      • KCI우수등재

        오존에 의한 전구체와 혼입제의 화학적 활성화

        이상운(S.-W. Lee),윤천호(C. Yoon),박정일(J.-I. Park),박광자(K.-J. Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(1)

        저압화학증착 기술을 이용하여 유리 기판 위에 투명전도성 산화주석막을 증착하였다. Tetramethyltin, 1,1,1,2-tetrafluoroethane, 및 순수한 산소 혹은 오존 포함한 산소가 전구체, 혼입제 및 산화제로 각각 사용되었다. 산화주석막의 저압화학증착에서 오존의 역할을 조사하기 위하여 오존 포함한 산소를 사용해 증착된 산화주석막의 증착속도와 전기적 및 광학적 성질을 순수한 산소를 사용한 그것들과 비교하였다. Tetramethyltin과 1,1,1,2-tetrafluoroethane은 오존이 열적으로 개시되어 분해됨으로써 화학적으로 활성화되었다. 다른 점에서는 동일한 증착조건에서 오존 포함한 산소를 사용하여 보다 높은 증착속도에서 양질의 산화주석막을 제조할 수 있었다. Transparent and conducting tin oxide films have been deposited on glass substrates employing the low pressure chemical vapor deposition technique. Tetramethyltin, 1,1,1,2-tetrafluoroethane, and pure oxygen or ozone-containing oxygen were used as the precursor, dopant and oxidant, respectively. In order to examine the role of ozone in the low pressure chemical vapor deposition of tin oxide films, deposition rate, and electrical and optical properties of tin oxide films deposited using ozone-containing oxygen were compared with those using pure oxygen. Tetramethyltin and 1,1,1,2-tetrafluoroethane were chemically activated by thermally initiated decomposition of ozone. Using ozone-containing oxygen under otherwise identical deposition conditions, we succeeded in preparing tin oxide films of better quality at higher deposition rate.

      • KCI우수등재

        원격플라즈마화학증착에 의한 투명전도성 산화주석 박막

        이흥수(H. S. Lee),윤천호(C. Yoon),박정일(J. I. Park),박광자(K. J. Park) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.1

        원격플라즈마화학증착(RPCVD)에 의하여 파이렉스 유리 기판 위에 투명전도성 산화주석막을 제조하였다. RPCVD 공정의 주요한 조절변수는 증착시간, 사메틸주석, 산소 및 아르곤의 유속, 라디오 주파수 출력, 및 기판온도를 포함했다. 양질의 산화주석막을 제조하고 RPCVD 공정을 보다 잘 이해하기 위하여 이들 파라미터에 대한 증착속도, 전기적 저항, 광학적 투과도 및 결정구조의 의존성을 체계적으로 살펴보았다. 산화주석막의 성질에 미치는 이들 파라미터의 영향은 복잡하게 서로 연관되어 있다. 최적화된 증착조건에서 제조된 산화주석막은 102 Å/min의 증착속도, 9.7×10^(-3) Ωㆍ㎝의 비저항 및 ~80%의 가시선 투과도를 나타냈다. Transparent and conducting tin oxide films were prepared on Pyrex glass substrates by the remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD). The main control variables of the RPCVD process included the deposition time, the flow rates of tetramethyltin, oxygen and argon, the radio-frequency power, and the substrate temperature. Dependence of the deposition rate, electric resistivity, optical transmittance and crystal structure on these parameters was systematically examined to prepare high qualities of tin oxide films and to better understand RPCVD process. The effect of those parameters on the properties of tin oxide films is complicatedly related one another. A tin oxide film prepared under optimized deposition conditions exhibited deposition rate of 102 Å/min, electric resistivity of 9.7×10^(-3) Ωㆍ㎝, and visible trasnsmittance of ~80%.

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