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박영삼,윤성민,유병곤,Park, Y.S.,Yoon, S.M.,Yu, B.G. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.6
세계 최고 권위의 반도체 시장 조사기관인 Gartner Dataquest는 2004년 세계 메모리시장 규모는 480억 달러로 2003년의 335억 달러 대비 43% 성장하였다고 보고하고있다[1]. 또한 DRAM은 55%, 플래시 메모리는 35%를 차지하고 있으며, 이들 두 메모리가 전체 메모리 시장을 양분하고 있다[1]. DRAM은 cost 및 random access가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 휘발성이라는 단점을 가지고 있으며, 플래시 메모리는cost 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있으나 random access가 불가능하다는 단점을 보유하고 있다. 하지만, PRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 장점만을 융합한 통합형메모리로서, 현재 가장 각광받고 있으며 양산화에 가장 근접한 메모리이다. 본 고에서는 PRAM의 구조 및 동작특성, 개발동향 및 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.
유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM)
유병곤,류상욱,윤성민,Yu, B.G.,Ryu, S.O.,Yoon, S.M. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.1
최근, 디지털 기술의 발전과 인터넷 보급이 활성화 되면서 PC 뿐만 아니라 모든 단말기가 네트워크에 상시 접속되어, 누구든지 시간과 장소에 제약이 없이 다양한 서비스를 제공 받을 수 있는 유비쿼터스환경의 사회로의 진입이 가시화되고 있다. 이러한 기술을 가능하게 하는 핵심 코어 기술 중의 하나가 메모리 기술이다. 최근에 유비쿼터스용 유니버설 메모리가 연구 개발되고 있어 이 기술에 대한 원리와 간단한 구조 및 최근의 기술 동향에 대하여 살펴보고, 향후의 유니버설 메모리 기술의 연구개발 방향에 대하여 언급하였다. 여기서는 유니버설 메모리라고 불리는 차세대의 비휘발성 메모리 중에서 현재 가장주목 받고 있는 MRAM, FeRAM, PRAM의 기본적인 구조에 대해서 설명하고 그 최근의 기술 개발 동향에 대하여 분석하여 언급하고자 한다.